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爾必達事件結(jié)局的三大可能性

2012-03-28
關(guān)鍵詞: DRAM NAND Flash

日本記憶體大廠爾必達(Elpida)申請破產(chǎn)保護一個月后,DRAM產(chǎn)業(yè)開始傳出整併消息,爾必達也企圖自保,藉由財務(wù)重整挹注資金來渡過難關(guān)。對此集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange分析指出, DRAM 產(chǎn)業(yè)近年來面臨毛利率下降,以及傳統(tǒng)PC產(chǎn)業(yè)受平板機與智慧型手機等行動終端侵蝕影響,產(chǎn)業(yè)環(huán)境每況愈下,而爾必達產(chǎn)品長期對PC DRAM倚賴太深,同時營運重心偏向以受到景氣波動影響最鉅的現(xiàn)貨市場為主,即使製程技術(shù)可與一線大廠抗衡,一旦面臨景氣劣勢,直接衝擊營收表現(xiàn),導致市佔率節(jié)節(jié)敗退。

  爾必達未來發(fā)展仍是大家所關(guān)注的焦點,集邦科技認為,除了債務(wù)問題必須逐一解決外,日本政府的態(tài)度更具有關(guān)鍵性影響,爾必達也在尋找任何在市場繼續(xù)存活的可能性。針對爾必達事件最終結(jié)果,集邦科技提出「取得資金,債務(wù)重整」、「出售廠房,短期陣痛」、「宣告破產(chǎn),價格飆升」叁大可能性,指出爾必達處分瑞晶取得資金,廣島廠轉(zhuǎn)型IC設(shè)計,將是推動DRAM產(chǎn)業(yè)往前邁進,對產(chǎn)業(yè)衝擊影響較小的方式。

  可能性一:取得資金 債務(wù)重整 

  目前傳聞日本政府有意出資拯救爾必達,前提是希望日本國內(nèi)DRAM與NAND Flash兩大產(chǎn)品線整合,此外,為搶攻行動終端市場,廣島廠將降低標準型記憶體比重,提昇行動式記憶體投片,然而,受限于自主快閃記憶體(NAND Flash)技術(shù)的短缺,導致與韓系廠商相較之下,無法在MCP (Multi-Chip Packaging)領(lǐng)域有進一步的發(fā)展。

  因此,身為NAND Flash營收排名第二的東芝半導體(Toshiba),不排除在日本政府主導下與爾必達進行技術(shù)合作,如果順利,未來將有MCP (Multi-Chip Packaging)產(chǎn)品續(xù)攻成長性高的智慧型手機及平板電腦兩大市場,與韓系大廠在行動式記憶體領(lǐng)域相抗衡。

  爾必達在標準型記憶體上,僅委由瑞晶作為生產(chǎn)主力,加速轉(zhuǎn)進25奈米製程。但由供需面的動能做觀察,盡管瑞晶獨撐大局,標準型記憶體整體市況仍供過于求,對DRAM平均銷售單價的拉抬效應(yīng)有限。在債務(wù)方面,爾必達亦有可能與銀行團洽談以債轉(zhuǎn)股,甚至減免部份債務(wù),整體煺出DRAM產(chǎn)能可能性低,對后續(xù)顆粒價格拉抬的效應(yīng)最小。

  可能性二:出售廠房 短期陣痛

  倘若日本政府僅提供程度上的債務(wù)展延,爾必達的自救仍需繼續(xù)進行。在廣島廠方面,隨著日本政府整併面板產(chǎn)業(yè)后,目前也將觸角伸入國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè),近期正在進行瑞薩電子(Renesas Electronics)、富士通(Fujitsu)及松下(Panasonic)的整併工作,并嘗試將IC 設(shè)計及晶片生產(chǎn)區(qū)分為兩大事業(yè)體,未來將成立一家名為INCJ的公司進行經(jīng)營主導IC 設(shè)計業(yè)務(wù),生產(chǎn)部份不排除將轉(zhuǎn)入爾必達廣島廠生產(chǎn),冀望降低其標準型DRAM的曝險。

  同時,爾必達為解決財務(wù)上的問題,集邦科技認為,出售瑞晶或廣島廠的可能性不低,假設(shè)售出之后,勢必面臨技術(shù)轉(zhuǎn)換陣痛期,屆時投片將會減少,時間有可能長達半年左右。從供需面來看,2012年下半年將有機會轉(zhuǎn)為供需平衡,技術(shù)轉(zhuǎn)進能力強的廠商,標準型DRAM有望呈現(xiàn)獲利的價格走勢。

  可能性三:宣告破產(chǎn) 價格飆升

  由于日本政府經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省尚未決定是否相救爾必達,若最后決議不提供援助,爾必達將全面煺出市場,屆時包含瑞晶在內(nèi)的投片,合計每月165K都將停止,全球DRAM產(chǎn)能將頓時失去12%,供過于求的狀況短期內(nèi)轉(zhuǎn)為供不應(yīng)求,DRAM合約顆粒價格將上看2.35美元,成長幅度超過100%,本是淺碟價格走勢的現(xiàn)貨市場,由于庫存水位普遍不高下,更有機會上看2.5美元價位。

  此外,集邦科技認為,若爾必達退出行動式記憶體版圖,最大受惠者將會是同時具備DRAM與NAND Flash產(chǎn)能的韓廠海力士半導體(Hynux),其產(chǎn)品線完備,是僅次于三星半導體(Samsung)、營收排名第二大的供應(yīng)商,將與美系美光半導體分食爾必達現(xiàn)有市占率。

行動DRAM市佔分析
行動DRAM市佔分析

  美系甚至臺系的DRAM廠都可能將瑞晶視為整併對象。集邦科技預(yù)估,假設(shè)瑞晶易主,將現(xiàn)有的爾必達技術(shù)逐步更新至新技術(shù)母廠的準備時間,將至少存在六個月的空窗期,不僅產(chǎn)能利用率降低,製程良率也需要時間逐步改善。

  預(yù)計2012年 PC DRAM 的年度總產(chǎn)能將因製程轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生至少225K片的缺口,將大幅修正當下DRAM供過于求的市況,直接轉(zhuǎn)為供需平衡,若再加計產(chǎn)業(yè)鏈對爾必達存亡的疑慮做出激烈反應(yīng),加備庫存周數(shù)或是重復(fù)下單以避免后續(xù)價格劇烈彈升,以及配合下半年需求端較佳的季節(jié)性銷售,PC DRAM價格將有機會大幅回漲。

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