nand 相關(guān)文章(400篇)
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出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù)受阻 東芝考慮賣(mài)別的業(yè)務(wù)
發(fā)表于：2017/3/20 5:00:00
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打破市場(chǎng)壟斷 國(guó)產(chǎn)32層堆棧3D閃存將于2019年量產(chǎn)
發(fā)表于：2017/3/17 6:00:00
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西數(shù)和Rambus達(dá)成專(zhuān)利授權(quán)協(xié)議
發(fā)表于：2017/3/9 6:00:00
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傳臺(tái)積電將競(jìng)標(biāo)東芝半導(dǎo)體事業(yè) 反擊三星
發(fā)表于：2017/3/3 6:00:00
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3D NAND良率影響NAND Flash整體市場(chǎng)發(fā)展
發(fā)表于：2017/2/27 9:31:00
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國(guó)內(nèi)廠商發(fā)力存儲(chǔ)芯片 行業(yè)發(fā)展將迎來(lái)拐點(diǎn)
發(fā)表于：2017/2/24 6:00:00
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國(guó)內(nèi)廠商發(fā)力存儲(chǔ)芯片 行業(yè)發(fā)展將迎來(lái)拐點(diǎn)
發(fā)表于：2017/2/24 6:00:00
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中國(guó)3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展
發(fā)表于：2017/2/17 6:00:00
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東芝半導(dǎo)體考慮出售過(guò)半股權(quán) 紫光加入競(jìng)爭(zhēng)
發(fā)表于：2017/2/16 5:00:00
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比NAND速度快千倍40nm ReRAM投產(chǎn)
發(fā)表于：2017/2/13 13:04:00
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比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國(guó)際投產(chǎn)
發(fā)表于：2017/2/13 6:00:00
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東芝半導(dǎo)體分散釋股 海力士志在必得
發(fā)表于：2017/2/13 6:00:00
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西數(shù)開(kāi)始生產(chǎn) 64層 512 Gb 3D NAND 閃存芯片
發(fā)表于：2017/2/8 6:00:00
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三星或追投西安3D NAND廠43億美元
發(fā)表于：2017/2/8 5:00:00
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鐘情NAND型閃存 郭臺(tái)銘攪局東芝半導(dǎo)體招標(biāo)
發(fā)表于：2017/2/8 5:00:00
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三星未來(lái)兩年或追投西安3D NAND廠43億美元
發(fā)表于：2017/2/7 9:20:00
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紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目簽約
發(fā)表于：2017/1/20 6:00:00
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2016獨(dú)立Flash控制芯片廠商財(cái)報(bào)
發(fā)表于：2017/1/20 6:00:00
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2017年存儲(chǔ)行業(yè)趨勢(shì) 且看這些技術(shù)如何發(fā)展
發(fā)表于：2017/1/18 6:00:00
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美國(guó)阻擋下 大陸半導(dǎo)體企業(yè)或加速挖角行動(dòng)
發(fā)表于：2017/1/11 6:00:00
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未來(lái)五年存儲(chǔ)器成長(zhǎng)力道強(qiáng)勁
發(fā)表于：2017/1/11 5:00:00
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內(nèi)存市場(chǎng)前景旺 未來(lái) 5 年年均增長(zhǎng)達(dá) 7.3%
發(fā)表于：2017/1/10 6:00:00
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全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)
發(fā)表于：2017/1/9 6:00:00
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全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè)深度研究
發(fā)表于：2017/1/9 6:00:00
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投資240億美元國(guó)家存儲(chǔ)器基地在武漢開(kāi)工
發(fā)表于：2017/1/3 9:16:00
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SK海力士/三星爭(zhēng)搶做蘋(píng)果供應(yīng)商
發(fā)表于：2017/1/1 6:00:00
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受惠于四大廠封測(cè)訂單 力成明年?duì)I收將逐季創(chuàng)高
發(fā)表于：2016/12/28 6:00:00
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傳SK海力士72層3D NAND存儲(chǔ)器明年量產(chǎn)
發(fā)表于：2016/12/28 6:00:00
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2017存儲(chǔ)“芯”發(fā)展 DRAM與NAND將持續(xù)漲價(jià)
發(fā)表于：2016/12/24 5:00:00
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2017年NAND產(chǎn)能成長(zhǎng)有限價(jià)格走高
發(fā)表于：2016/12/23 9:21:00
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