據(jù)海外媒體報道,去年下半年以來NAND Flash市場供不應(yīng)求,主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進3D NAND,但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期,2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小,NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題,價格也因此明顯上漲。
不過,隨著3D NAND加速量產(chǎn),下半年產(chǎn)能若順利開出,將成為NAND Flash市場最大變數(shù)。
2D NAND Flash制程持續(xù)往1y/1z納米進行微縮,如三星及SK海力士去年已轉(zhuǎn)進14納米,東芝及西部數(shù)據(jù)(WD)進入15納米,美光導(dǎo)入16納米等。但因芯片線寬線距已達物理極限,2D NAND技術(shù)推進上已出現(xiàn)發(fā)展瓶頸,用1y/1z納米生產(chǎn)的2D NAND并未出現(xiàn)成本效益,因此,NAND Flash廠開始將投資主力放在3D NAND,但也因產(chǎn)能出現(xiàn)排擠,NAND Flash產(chǎn)出量明顯減少,導(dǎo)致下半年價格強勁上漲。
去年NAND Flash價格自第2季開始全面回升,漲勢直達年底,主流的SSD價格漲幅超過4成,eMMC價格最高逼近6成,完成出乎市場意料。在此一情況下,原廠為了維持競爭優(yōu)勢,決定加速搶進3D NAND市場,而今年亦成為3D NAND市場成長爆發(fā)的一年,產(chǎn)能軍備競賽可說是一觸即發(fā)。
以各原廠的技術(shù)進展來看,三星去年進度最快已成功量產(chǎn)3D NAND,去年底出貨占比已達35%,最先進的64層芯片將在今年第1季放量投片,3D NAND的出貨比重將在本季達到45%。另外,三星不僅西安廠全面量產(chǎn)3D NAND,韓國Fab 17/18也將投入3D NAND量產(chǎn)。
包括東芝及WD、SK海力士、美光等其它業(yè)者,去年是3D NAND制程轉(zhuǎn)換不順的一年,良率直到去年底才見穩(wěn)定回升,生產(chǎn)比重均不及1成。不過,今年開始3D NAND量產(chǎn)情況已明顯好轉(zhuǎn),東芝及WD已開始小量生產(chǎn)64層芯片,今年生產(chǎn)主力將開始移轉(zhuǎn)至64層3D NAND,除了Fab 5開始提高投片外,F(xiàn)ab 2將在本季轉(zhuǎn)進生產(chǎn)64層3D NAND,F(xiàn)ab 6新廠將動土興建并預(yù)估2018年下半年量產(chǎn)。
SK海力士去年在36層及48層3D NAND的生產(chǎn)上已漸入佳境,M12廠已量產(chǎn)3D NAND,今年決定提升至72層,將在第1季送樣,第2季進入小量投片,而韓國M14廠也將在今年全面進入3D NAND量產(chǎn)階段。
美光與英特爾合作的IM Flash已在去年進行3D NAND量產(chǎn),去年底第二代64層3D NAND已順利送樣,今年將逐步進入量產(chǎn),F(xiàn)10x廠也會開始全面轉(zhuǎn)向進行3D NAND投片。英特爾大陸大連廠則已量產(chǎn)3D NAND,并將在今年開始量產(chǎn)新一代XPoint存儲器。