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基于ClearNAND閃存的系統(tǒng)設(shè)計(jì)改進(jìn)方案
發(fā)表于：1/21/2011 12:00:00 AM
2010年半導(dǎo)體銷售額增幅創(chuàng)最高紀(jì)錄
發(fā)表于：1/18/2011 12:00:00 AM
半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測(cè)
發(fā)表于：1/5/2011 12:00:00 AM
基于Nand Flash的VIVI裝載器的分析與改進(jìn)
發(fā)表于：12/31/2010 12:00:00 AM
2010全球半導(dǎo)體市場(chǎng)或大幅增長(zhǎng)至3040億美元
發(fā)表于：12/22/2010 12:00:00 AM
2011年半導(dǎo)體市場(chǎng)回歸正常軌道
發(fā)表于：12/20/2010 12:00:00 AM
Micron 推出創(chuàng)新閃存裝置，延長(zhǎng) NAND閃存生命周期
發(fā)表于：12/6/2010 5:08:45 PM
預(yù)警2011年NAND Flash市場(chǎng)：上半年小心供過于求
發(fā)表于：12/4/2010 12:00:00 AM
DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下跌
發(fā)表于：11/11/2010 12:00:00 AM
美光和英特爾率先利用業(yè)界領(lǐng)先的25納米硅工藝技術(shù)推出3-bit-per-cell NAND 閃存
發(fā)表于：8/19/2010 12:00:00 AM
Spansion、爾必達(dá)（Elpida）宣布建立更廣泛閃存合作聯(lián)盟
發(fā)表于：7/27/2010 12:00:00 AM
存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲引發(fā)全球前20大IC供應(yīng)商排名大變
發(fā)表于：6/3/2010 12:00:00 AM
分析稱4月IC出貨低于預(yù)期臺(tái)灣雙M表現(xiàn)兇猛
發(fā)表于：5/28/2010 12:00:00 AM
閃存新技術(shù)終于接近量產(chǎn)！可變電阻式內(nèi)存可望取代NAND（一）
發(fā)表于：5/20/2010 12:00:00 AM
iSuppli預(yù)測(cè)2010年NOR Flash市場(chǎng)收益將止跌回升
發(fā)表于：5/12/2010 12:00:00 AM
可管理的存儲(chǔ)器：為存儲(chǔ)器系統(tǒng)增加智能的途徑
發(fā)表于：5/11/2010 12:00:00 AM
美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)
發(fā)表于：5/11/2010 12:00:00 AM
三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)
發(fā)表于：5/11/2010 12:00:00 AM
基于VxWorks的三星 NAND FLASH驅(qū)動(dòng)程序設(shè)計(jì)
發(fā)表于：4/30/2010 12:00:00 AM
DSP系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)Nand+Flash存儲(chǔ)管理
發(fā)表于：4/14/2010 12:00:00 AM
一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商將繼續(xù)維持低庫存
發(fā)表于：1/8/2010 12:00:00 AM
東芝推出業(yè)界最高容量(64GB)的嵌入式NAND閃存模塊
發(fā)表于：12/17/2009 9:11:06 AM
美光或收購Numonyx Intel脫離NAND市場(chǎng)？
發(fā)表于：9/8/2009 3:00:20 PM
未來10年閃存將發(fā)展到盡頭 3D內(nèi)存接班
發(fā)表于：7/30/2008 5:00:00 PM
NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析
發(fā)表于：7/16/2008 9:00:00 AM
nand nor flash區(qū)別
發(fā)表于：6/30/2008 1:00:00 PM

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