同方國芯800億元的定增方案一經(jīng)推出，便引發(fā)了市場的廣泛關(guān)注。從11月6日同方國芯定增方案推出至12日，其股價亦連續(xù)拉出5個漲停，股價飆升至52.66元/股。
值得注意的是，此次同方國芯定增方案中有600億元定增資金用于存儲芯片工廠建設(shè)，而NAND作為存儲芯片中的一個主導(dǎo)產(chǎn)品，有券商表示，該行業(yè)存在產(chǎn)能過剩的隱憂。同時，同方國芯何時能取得存儲芯片生產(chǎn)技術(shù)也是其實施存儲芯片戰(zhàn)略的關(guān)鍵步驟之一。
NAND大幅擴產(chǎn)
11月6日，同方國芯公布的《非公開發(fā)行股票預(yù)案》（以下簡稱“預(yù)案”）顯示，公司本次非公開發(fā)行A股股票募集資金總額不超過800億元，扣除發(fā)行費用后擬全部用于如下項目：600億元用于存儲芯片工廠；37.9億元用于收購臺灣力成25%股權(quán)；162億元用于對芯片產(chǎn)業(yè)鏈上下游公司的收購。
存儲芯片，又稱為存儲器，是指利用電能方式存儲信息的半導(dǎo)體介質(zhì)設(shè)備，其存儲與讀取過程體現(xiàn)為電子的存儲或釋放，廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U 盤、消費電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域，目前有取代磁盤的趨勢，存儲芯片是全球芯片市場比重最大的產(chǎn)品之一。
目前國內(nèi)半導(dǎo)體存儲芯片需求大，但國產(chǎn)化比例小，主要依賴三星、英特爾、東芝等國外企業(yè)。據(jù)統(tǒng)計，國內(nèi)消耗的 80%的芯片都需要進(jìn)口，尤其是高端芯片幾乎全部進(jìn)口。
《預(yù)案》顯示，存儲芯片根據(jù)斷電后所儲存的數(shù)據(jù)是否會丟失，可以分為易失性存儲器（Volatile Memory）和非易失性存儲器（Non-Volatile Memory），其中DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)與NAND Flash（資料儲存型閃存）分別為這兩類存儲器的代表。盡管存儲芯片種類眾多，但從產(chǎn)值構(gòu)成來看，DRAM與NAND Flash已經(jīng)成為存儲芯片產(chǎn)業(yè)的主要構(gòu)成部分。根據(jù)IDC的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2013年存儲芯片市場規(guī)模接近690億美元，而DRAM和NAND Flash 就占據(jù)了約600億美元，占比超過85%。
DRAM 是最常見的存儲元件之一，常用的 PC 內(nèi)存就是一種 DRAM。 DRAM發(fā)展至今，已經(jīng)成為 PC、智能手機、平板電腦以及服務(wù)器等產(chǎn)品不可或缺的零組件。由于對大容量、高速度、小體積和便攜性存儲需求的增加，智能手機搭載NAND Flash 的容量快速增長， SSD（固態(tài)硬盤）也在 PC 中獲得青睞。智能手機與 SSD 已經(jīng)成為 NAND Flash 最主要的需求。
《預(yù)案》顯示，同方國芯將投資新建存儲類芯片工廠，工廠實施完成并完全達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計可新增12萬片/月的存儲芯片生產(chǎn)產(chǎn)能。根據(jù)公司測算，該項目計劃投資總額約為938.27億元。其中建設(shè)投資為920.33億元，鋪底流動資金17.94億元，公司擬以本次募集資金投資600億元，其余部分由公司自籌解決。
根據(jù)同方國芯測算，預(yù)計項目投產(chǎn)一年后可完全達(dá)產(chǎn)，即至項目建設(shè)后第四年生產(chǎn)負(fù)荷可達(dá) 100%。本項目運營期內(nèi)年均不含稅營業(yè)收入為353.56億元，預(yù)計年均利潤總額為87.19億元，稅后財務(wù)內(nèi)部收益率為17.65%，稅后投資回收期6.28年（含建設(shè)期2年）。
對于DRAM和NAND廠商擴張意愿，《預(yù)案》中表示，DRAM 目前主流的制程為 20nm~30nm， NAND 也進(jìn)入 20nm 以下制程的時代，進(jìn)一步縮小制程所需的研發(fā)與建廠投資大大增加，新建廠房往往需要花費數(shù)十億美元，所以，從整體上來看，存儲芯片廠商的擴產(chǎn)意愿和擴產(chǎn)能力都不強。
對于DRAM和NAND前景，廣發(fā)證券電子元器件分析師許興軍在其研究報告中指出，DRAM行業(yè)得益于過去頻繁發(fā)生的破產(chǎn)、并購與整合，目前寡頭壟斷的格局已然形成，行業(yè)供給相對可控，在 PC 和智能手機需求的刺激下，預(yù)計未來DRAM 整體供需大概率將保持平衡或供給略微緊缺的狀態(tài)。
許興軍進(jìn)一步指出，未來NAND 行業(yè)有可能重現(xiàn)產(chǎn)能過剩與價格下跌的狀況。從需求方面來看，智能手機對NAND Flash的需求保持較快增長，但SSD成為最大的不確定性因素。目前，SSD每GB的價格仍然高出普通磁盤(HDD)數(shù)倍，在消費級市場的吸引力有限；同時，在企業(yè)級市場以及數(shù)據(jù)中心應(yīng)用方面，由于對SSD的穩(wěn)定性與壽命仍然存在疑慮，未來這類市場的存儲需求仍然以HDD為主，若SSD的發(fā)展不及預(yù)期，那么整個NAND市場的需求增長勢必將大打折扣。
其表示，從供給端來看，由于NAND市場相對分散，廠商之間難以形成有效的自律，近兩年來紛紛擴產(chǎn)。例如東芝與SanDisk合資建立的Fab 5工廠，以及美光新加坡的Fab 7工廠等，皆將各自的NAND Flash產(chǎn)能提升至1.5~2倍的水準(zhǔn)。近兩年來，整個NAND產(chǎn)業(yè)的晶圓產(chǎn)量一直保持上升趨勢， 再加上由于制程技術(shù)進(jìn)步導(dǎo)致的單片晶圓產(chǎn)出芯片數(shù)量增多， 整體NAND位元(Bit)產(chǎn)能實際增長更快。
許興軍表示，從NAND整體供需狀況來看，近幾年來一直呈現(xiàn)略微過剩的狀態(tài)。隨著各大廠商的大幅擴產(chǎn)，產(chǎn)能過剩將進(jìn)一步加劇， NAND產(chǎn)業(yè)未來恐難樂觀。
不過，上海一位券商人士也對記者表示，對于未來NAND是否會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩的局面目前還無法判斷，畢竟市場都在變化，供給和需求也在不斷變更中，現(xiàn)在說未來該行業(yè)會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩的局面還為時尚早。
技術(shù)難題
除了NAND未來可能會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩的局面之外，目前同方國芯生產(chǎn)存儲芯片的技術(shù)實力也是該項目的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。
北京一位券商分析師對記者表示，目前存儲芯片核心技術(shù)被國際企業(yè)美光、三星電子等幾家企業(yè)所掌握，國內(nèi)尚沒有企業(yè)能大規(guī)模生產(chǎn)存儲芯片。存儲芯片是國家重點發(fā)展項目，但生產(chǎn)技術(shù)也是核心，未來同方國芯能否獲得該領(lǐng)域生產(chǎn)技術(shù)也是該項目能否成功的重要因素，由于國內(nèi)企業(yè)在這方面技術(shù)較為薄弱，要收購這些國際企業(yè)存在的難度不小。
而之前有消息表明，同方國芯的新控股股東紫光集團(tuán)或?qū)⑹召徝绹鎯揞^美光科技。
有媒體在今年7月份報道稱，同為“清華系”控股的紫光集團(tuán)擬斥巨資收購美光科技，價格可能達(dá)到230億美元。隨后美光發(fā)言人在接受媒體采訪時否認(rèn)收到收購提議，并未對相關(guān)信息給予置評，清華紫光方面相關(guān)負(fù)責(zé)人在接受媒體采訪時表示，一些重大信息以公告為準(zhǔn)。
9月份，接近紫光集團(tuán)的一位人士對媒體透露說，紫光集團(tuán)想收購美國芯片制造商美光集團(tuán)，對方企業(yè)很積極，但是美國政府不積極，因為美光集團(tuán)除了做芯片之外還涉及到一些高端技術(shù)。
華泰證券猜測，同方國芯如何通過外延獲得 NAND Flash 相關(guān)專利技術(shù)、制造工藝等，成為整個計劃的關(guān)鍵，仍將值得期待。
值得注意的是，今年紫光集團(tuán)孫公司紫光聯(lián)合擬投資37.75億美元收購西部數(shù)據(jù)新發(fā)行0.41億股股份。認(rèn)購發(fā)行完成后，紫光集團(tuán)將通過紫光聯(lián)合持有西部數(shù)據(jù)發(fā)行在外的約15%股份，成為其第一大股東。
隨后，西部數(shù)據(jù)宣布以約 190 億美元收購美國納斯達(dá)克上市公司閃迪公司（股票代碼：SNDK，以下簡稱“閃迪”）所有發(fā)行在外的股份。
紫光股份表示，此次收購將使西部數(shù)據(jù)的存儲產(chǎn)業(yè)鏈得到進(jìn)一步的加強，使西部數(shù)據(jù)成為一個擁有更廣泛產(chǎn)品和技術(shù)，并在非易失性存儲領(lǐng)域尤為專業(yè)的全球規(guī)模的存儲解決方案提供商。
為此記者致電紫光股份，詢問西部數(shù)據(jù)和閃迪是否具有生產(chǎn)存儲芯片的技術(shù)，以及這些技術(shù)是否會歸于公司所有，公司一位證券部人士對記者表示，對于這些問題其并不清楚。