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武漢240億美元打造存儲器基地

2015-10-30

       16日從省經(jīng)信委獲悉,經(jīng)過多輪溝通,由國家基金公司、武漢新芯集成電路制造有限公司、湖北基金公司、北京亦莊開發(fā)區(qū),共同出資在武漢建設(shè)的國家存儲器基地項目達(dá)成共識。項目總投資將達(dá)240億美元,以武漢新芯集成電路制造有限公司為主體,組建存儲器公司,實現(xiàn)每月30萬片存儲芯片的產(chǎn)能規(guī)模。

   根據(jù)國內(nèi)知名分析機構(gòu)賽迪顧問提供的數(shù)據(jù),2014年,中國芯片市場規(guī)模達(dá)到10393.1億元,占全球芯片市場的50.7%。其中存儲芯片市場規(guī)模達(dá) 到2465.5億元,占國內(nèi)市場比重23.7%,其比重超過CPU、手機芯片。然而,中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)基本空白,幾乎100%依賴進口。2014年,我國 芯片產(chǎn)業(yè)進口2176億美元,僅次于原油進口的2283億美元。

  武漢新芯集成電路制造有限公司成立于2006年,是湖北省與武漢市耗資百億元打造的重大戰(zhàn)略投資項目,由湖北省科技投資集團100%控股。目前,該公司主要生產(chǎn)NORFlash存儲芯片,累計出貨量超過10萬片。

  為增強產(chǎn)業(yè)競爭力,今年2月,武漢新芯集成電路制造有限公司與國際知名存儲公司Spansion達(dá)成合作,開發(fā)與生產(chǎn)比NORFlash性能更優(yōu)的3DNAND三維存儲器,并簽署共同開發(fā)和交*授權(quán)協(xié)議。此外,該公司還與IBM達(dá)成合作,獲得了后者的制造技術(shù)授權(quán)。據(jù)預(yù)測,得益于物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,到2018年3DNAND的復(fù)合年增長率將超過80%。

   省經(jīng)信委表示,國家級存儲器產(chǎn)業(yè)基地建成后,武漢新芯將成為國內(nèi)存儲器行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。為支持企業(yè)發(fā)展,我省已制定出臺了《湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動 方案》,實施“2020年實現(xiàn)千億產(chǎn)業(yè)大跨越”行動計劃,并設(shè)立了湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金,首期100億基金已到位,后期將進一步擴大到300億元。


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