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NAND Flash價格續(xù)滑 難擺脫供給過剩困境

2015-01-27
關(guān)鍵詞: NAND Flash 三星

    由于MLC(Multi-Level Cell)供應(yīng)量持續(xù)增加,造成價格連續(xù)兩個月下滑,業(yè)界預(yù)期若電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)生產(chǎn)比重,后續(xù)MLC產(chǎn)品價格下滑情況恐將更明顯。

  根據(jù)韓媒DigitalTimes報導(dǎo),由于USB、硬碟與記憶卡市場進(jìn)入淡季,加上庫存堆積,導(dǎo)致價格走滑,市場供給過剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認(rèn)為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受到淡季影響,但2015年就算是旺季,預(yù)估價格上漲幅度也不會太大,由于廠商提升技術(shù)力及產(chǎn)量,預(yù)期將持續(xù)陷入供過于求困境。

  更多NAND Flash價格系自2014年4月起維持持平或微幅上升曲線,然10月開始走下坡直到現(xiàn)在,剛好與在2014年10月宣布量產(chǎn)全球首款TLC 3D V-NAND時機(jī)相近,在12月完成華城半導(dǎo)體廠3位元V-NAND量產(chǎn)體系,2015年起固態(tài)硬碟(SSD)所有產(chǎn)品線將全部采用TLC技術(shù)生產(chǎn)。

  另外,SK海力士(SK Hynix)亦正在開發(fā)TLC SSD,東芝(Toshiba)整體NAND Flash中約有35%采取TLC技術(shù),美光(Micron)也從2014年底投入TLC技術(shù)量產(chǎn),讓TLC NAND Flash轉(zhuǎn)換競爭日趨白熱化。存儲器業(yè)者表示,SLC(Single-Level Cell)NAND Flash市場可視為已經(jīng)消失,MLC NAND Flash價格戰(zhàn)正打得火熱,如果三星等業(yè)者提高TLC產(chǎn)品生產(chǎn)比重,MLC產(chǎn)品價格下滑情況將更為明顯。

  盡管相較于SLC,MLC及TLC NAND Flash能增加單位面積內(nèi)資料儲存量,但亦導(dǎo)致存儲器儲存壽命縮短,讓資料分散式軟體系統(tǒng)更顯重要,業(yè)界認(rèn)為TLC NAND Flash雖然在技術(shù)上未臻完美,但成為市場主流已是時勢所趨,不具備相關(guān)技術(shù)的NAND Flash制造廠,恐將在市場競爭中遭到淘汰。

  360°:TLC SSD

  市場預(yù)期低成本SSD解決方案TLC SSD,在2015年將會取下全球40%以上的占有率,三星電子(Samsung Electronics)搶頭香推出TLC SSD后,慧榮、群聯(lián)等控制晶片業(yè)者也加入戰(zhàn)場,有助于此市場的滲透率提前攀升。

  隨著快閃存儲器產(chǎn)業(yè)年度盛事,快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)熱鬧登場,各業(yè)者積極宣示新產(chǎn)品誕生,慧榮也推出秘密武器SATA 6Gb/s SSD控制晶片SM2256,是全球第一款搭載韌體,并支援全系列TLC NAND Flash控制晶片,支援快閃存儲器制程技術(shù)包括1x/1y/1z納米,以及未來新一代的3D TLC NAND產(chǎn)品。

  慧榮M2256控制晶片搭載獨有NANDXtend解錯修正技術(shù),在多層解錯修正機(jī)制運(yùn)作下,提升資料讀寫保護(hù)能力,也提升高達(dá)3倍的TLC NAND寫入和抺除的次數(shù)(P/E Cycle),目前已經(jīng)進(jìn)入送樣測試的階段,預(yù)計2014年第3季可進(jìn)入量產(chǎn)。

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