這家技術(shù)分析企業(yè)還就此制作了一份圖表，其中顯示3D NAND方案到2017年將占據(jù)超過三分之二的閃存市場份額——相比之下，目前其市場占有率僅為1%到2%。

 

全球3D NAND出貨量在整體NAND閃存出貨量當(dāng)中所占比例(來源：HIS，2013年10月)

 

為什么會這樣?簡而言之：目前16到19納米工藝已經(jīng)是NAND閃存產(chǎn)品的極限，任何進(jìn)一步壓縮尺寸的嘗試都會帶來極高的成本且導(dǎo)致存儲位不再穩(wěn)定可靠。有鑒于此，要想在同樣體積的閃存產(chǎn)品中獲得更大存儲空間，我們就必須往芯片里塞進(jìn)更多閃存單元層。

 

三星公司于今年八月宣布，他們正在利用其V-NAND技術(shù)將3D堆疊方案變成現(xiàn)實(shí)。

 

IHS公司內(nèi)存與存儲高級分析師Dee Robinson在一份錄音聲明中這樣解讀上述圖表：“目前大部分技術(shù)人員已經(jīng)達(dá)成共識，NAND閃存再有一到兩代產(chǎn)品就將逼近傳統(tǒng)單導(dǎo)體技術(shù)的理論極限。隨著光刻技術(shù)精度的進(jìn)一步提升，產(chǎn)品的性能表現(xiàn)與可靠性將大幅退化。如此一來，NAND根本無法以足夠低廉的成本廣泛普及到各種應(yīng)用領(lǐng)域。”

 

在芯片上進(jìn)行存儲層堆疊則不僅能夠增加容量，更可能在未來將閃存產(chǎn)品的成本控制到較低水平。

 

HIS公司的分析人士也表示：“這很可能成為NAND進(jìn)入新水平的最具成本效益的方式，因?yàn)榇蟛糠脂F(xiàn)有生產(chǎn)設(shè)備都能夠與新產(chǎn)品順利對接，這一方面能夠最大限度減少開支、另一方面則有效提高了投資回報率。”不過需要指出的是，“由于堆疊式技術(shù)所使用的多級結(jié)構(gòu)，故障分析工作會變得難于進(jìn)行。”