韓媒etnews 4日?qǐng)?bào)導(dǎo)，業(yè)界消息證實(shí)，SK海力士第四代72層的3D NAND進(jìn)入量產(chǎn)，主要用于移動(dòng)裝置，并已交貨給客戶。SK海力士4月份才宣布研發(fā)出72層3D NAND，3個(gè)月內(nèi)就進(jìn)入量產(chǎn)，速度極為驚人。一般研發(fā)成功之后，快的話要6個(gè)月，慢的話要一年以上，才會(huì)開(kāi)始量產(chǎn)。以三星電子為例，該公司2016年8月研發(fā)出64層3D NAND，今年6月才宣布量產(chǎn)，大約花了10個(gè)月時(shí)間。
據(jù)傳SK海力士不只量產(chǎn)，生產(chǎn)效能也極佳，該公司72層3D NAND生產(chǎn)率提高30%，與三星64 層3D NAND近似，而且達(dá)到“黃金良率”（golden yield），比美三星。不只如此，新品采用SK Hynix自家的控制器和韌體（firmware），不再對(duì)外采購(gòu)，可提高毛利。專家稱，如此一來(lái)，SK Hynix的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)逼近三星。
SK海力士是NAND Flash的第四大廠，市占率落后三星電子、東芝、Western Digital（WD）。不過(guò)目前東芝和WD為了東芝記憶體業(yè)務(wù)出售案，鬧得不可開(kāi)交，倘若SK海力士掌握72層3D NAND技術(shù)，可趁勢(shì)奪取客戶，改寫NAND市場(chǎng)版圖。
投180億擴(kuò)充芯片市場(chǎng)，有意而為之？
在SK海力士挑戰(zhàn)的消息傳出之后，韓國(guó)三星電子有限公司本周二表示，計(jì)劃在韓國(guó)投資至少21.4萬(wàn)億韓元（約合186.3億美元），以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這家營(yíng)收居位全球第一位的存儲(chǔ)芯片制造商表示，到2021年，該公司在平澤市的新NAND工廠總計(jì)投入將達(dá)到14.4萬(wàn)億韓元，其中的6萬(wàn)億韓元將用于建造一條新的半導(dǎo)體生產(chǎn)線，但未對(duì)時(shí)間或產(chǎn)品加以詳細(xì)說(shuō)明。
由于市場(chǎng)對(duì)長(zhǎng)期數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片的需求不斷增長(zhǎng)，該公司還將在中國(guó)西安的NAND工廠增設(shè)一條生產(chǎn)線，但沒(méi)有設(shè)定投資金額或時(shí)間框架。
外界普遍預(yù)計(jì)，三星和其他內(nèi)存生產(chǎn)商將在2017年實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)創(chuàng)紀(jì)錄，因?yàn)橹悄苁謾C(jī)和服務(wù)器的性能不斷提高，從而導(dǎo)致價(jià)格上漲。行業(yè)消息人士和分析師表示，由于高端存儲(chǔ)產(chǎn)品的普及，NAND芯片的短缺問(wèn)題更為嚴(yán)重。
一些分析師表示，三星的生產(chǎn)技術(shù)至少要比東芝和SK海力士（SK Hynix Inc）等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手領(lǐng)先一年。三星每年在半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資超過(guò)100億美元，幫助其保持領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。分析師表示，最新投資旨在拉大這一差距。
近年來(lái)，三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來(lái)推動(dòng)NAND閃存的生產(chǎn)，但分析師和業(yè)內(nèi)人士表示，由于新設(shè)備在2017年無(wú)法提供有意義的供應(yīng)，短缺可能至少持續(xù)到明年。
一些分析師表示，這種額外的產(chǎn)能可能會(huì)在2018年初造成輕微的供應(yīng)過(guò)剩，但隨著智能手機(jī)制造商選擇更大的內(nèi)部存儲(chǔ)，價(jià)格崩潰的現(xiàn)象不太可能發(fā)生。市場(chǎng)對(duì)用于云計(jì)算和虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用程序的高端服務(wù)器存儲(chǔ)的需求也將繼續(xù)增長(zhǎng)。
“我相信，2020年之前，NAND市場(chǎng)環(huán)境將繼續(xù)利好供應(yīng)商，”HMC投資分析師Greg Roh表示。他說(shuō)，任何供應(yīng)過(guò)剩的問(wèn)題都將是暫時(shí)的，而且僅限于季節(jié)性較弱的時(shí)期。
三星表示，對(duì)韓國(guó)的投資是為了響應(yīng)新總統(tǒng)文在寅的號(hào)召，將在2021年創(chuàng)造多達(dá)44萬(wàn)個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)，并將有助于提振經(jīng)濟(jì)。
該公司周二還表示，三星顯示器公司計(jì)劃在韓國(guó)新成立一家企業(yè)，生產(chǎn)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，投資約1萬(wàn)億韓元。
中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)也是未來(lái)的挑戰(zhàn)？
三星前有強(qiáng)敵，在后面也有追兵。自從紫光和武漢新芯合作打造閃存產(chǎn)業(yè)，并拉攏了高啟全來(lái)負(fù)責(zé)全新的長(zhǎng)江存儲(chǔ)以后，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)獲得了突飛猛進(jìn)的進(jìn)步。這無(wú)疑會(huì)給三星帶來(lái)壓力。
在今年四月份，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，公司現(xiàn)已投入3D NAND研發(fā)，2017年底提供32層3D NAND的樣本，將是公司技術(shù)自主的里程碑，之后從事64層技術(shù)，待該技術(shù)成熟后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)才會(huì)投入3D NAND量產(chǎn)，屆時(shí)與三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)等國(guó)際大廠的技術(shù)差距會(huì)縮短至一代左右。
再者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也考慮自己開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù)，可能的切入點(diǎn)是18/20納米制程，無(wú)論是3D NAND或是DRAM，一定要自己掌握核心技術(shù)，不會(huì)再走過(guò)去臺(tái)灣技術(shù)授權(quán)的老路！
高啟全表示，無(wú)論是DRAM或3D NAND技術(shù)，最好的合作伙伴是美光，但現(xiàn)在政治氣氛不對(duì)，美國(guó)對(duì)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的積極度有被威脅之感，因此洽談的時(shí)間會(huì)再延長(zhǎng)，但美光1年來(lái)全球DRAM市占率從28%掉到18%，不快加入長(zhǎng)江存儲(chǔ)的陣營(yíng)一起奮斗，未來(lái)只會(huì)更辛苦。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)分為武漢和南京12寸廠兩大據(jù)點(diǎn)，各自單月產(chǎn)能都是30萬(wàn)片規(guī)劃，外界對(duì)于這樣的產(chǎn)能規(guī)模，以及何時(shí)量產(chǎn)都有很多疑問(wèn)，他強(qiáng)調(diào)，12寸廠規(guī)劃不會(huì)是虛晃一招，但技術(shù)沒(méi)成熟前也絕對(duì)不會(huì)冒然投產(chǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的內(nèi)存規(guī)劃是有計(jì)劃、慢慢做，千秋大業(yè)是急不得，我們也不會(huì)去打亂市場(chǎng)的行情。
高啟全指出，這樣的12寸產(chǎn)能規(guī)模將會(huì)成為對(duì)抗三星電子(Samsung Electroncis)的充裕子彈和最佳利器，歡迎美光加入，現(xiàn)在南韓控制全球DRAM市占高達(dá)80%、NAND Flash高達(dá)60%，不出幾年的時(shí)間，南韓就會(huì)掌握全球90%的內(nèi)存芯片，這是全世界都該害怕的事情，三星是全球科技業(yè)的威脅。
他進(jìn)一步表示，一定要有人扮演在全球平衡三星的勢(shì)力，對(duì)臺(tái)灣亦有利，以大陸有計(jì)劃的布局可扮演此角色，且只有大陸才有這個(gè)資源投入，長(zhǎng)江存儲(chǔ)就是基于這個(gè)出發(fā)點(diǎn)而誕生，也是大基金唯一真正投資的內(nèi)存陣營(yíng)。
他強(qiáng)調(diào)，3D NAND和DRAM技術(shù)絕對(duì)在大陸自主開(kāi)發(fā)，技術(shù)不成熟時(shí)不會(huì)冒然投產(chǎn)，另外，我們不會(huì)再走回過(guò)去臺(tái)灣技術(shù)授權(quán)的失敗老路，發(fā)展自有技術(shù)同時(shí)，侵犯別人專利會(huì)付錢，且長(zhǎng)存已累積多個(gè)3D NAND專利，別人用到也要付費(fèi)，唯有合法來(lái)源取得技術(shù)，持續(xù)前進(jìn)，才能吸引到全球人才，打造國(guó)際級(jí)的規(guī)格。