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為打破存儲器壟斷格局而生,長江存儲真能續(xù)寫傳奇

2017-08-13
關鍵詞: NAND DRAM 海力士 美光

存儲器兇險的江湖

從莫大康的《存儲器熱要冷思考》一文了解到,存儲器江湖的壟斷格局早已成定局。從1999年開始,歷經六次大的兼并與退出,廠家數量上己經越來越少,在DRAM塊,剩下三家,包括三星,海力士美光(它于2012年兼并日本的爾必達),以及在NAND塊剩下四組,分別為三星,東芝/新帝,海力士以及美光/英特爾。盡管臺灣地區(qū)尚有幾家,但由于實力不濟,紛紛依附于美光,或者轉型代工。其中一個鮮明的事實是從未再有“新進者“呈現。

三星及海力士兩家壟斷的局面己經持續(xù)多年,三星己連續(xù)24年稱霸全球。如依2015年計,韓國的DRAM及NAND全球市場份額分別達73%%及43.7%。如果從存儲器的周期性計,在2001至2010年期間,僅三星和海力士兩家盈利80億美元,而其它諸廠累積虧損達130億美元。反映全球存儲器業(yè)的競爭十分激烈,以及壟斷格局己成定局。

這樣的背景下,再加上頂級大廠將目光聚焦中國,中國這場馬拉松大賽到底會跑到什么名次?

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本期《中國芯勢力》的主角就是中國三大存儲器主力軍之一——長江存儲。

誕生

2016年3月,總投資約1600億元人民幣的國家存儲器基地在武漢啟動。四個月后“長江存儲”集團正式成立,紫光集團參與了長江存儲的二期出資[1]。

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([1]據武漢新芯介紹,長江存儲的注冊資本分兩期出資。一期由國家集成電路產業(yè)投資基金、湖北國芯產業(yè)投資基金和武漢新芯股東湖北省科技投資集團共同出資,武漢新芯的基礎上建立長江存儲。二期將由紫光集團和國家集成電路產業(yè)投資基金共同出資。)

2016年12月19日,紫光控股與大基金、湖北國芯投資和湖北省科投共同簽訂了《長江控股出資協(xié)議》。長江控股注冊資本為386億元,紫光控股以貨幣出資197億元,占長江控股注冊資本的51.04%;大基金、湖北國芯投資和湖北省科投以股東權益加貨幣出資,合計占長江控股注冊資本48.96%。

中科院微電子所所長葉甜春表示,目前中國還沒有真正意義上的存儲芯片生產能力,該項目的布局可謂中國半導體產業(yè)的“淮海戰(zhàn)役”。

這里提一下武漢新芯,它成立于2006年,是湖北省與武漢市的重大戰(zhàn)略投資項目,成立之初,原計劃主打生產動態(tài)存儲器(DRAM),孰料遭遇全球DRAM市場的價格崩盤,利潤一再下滑。在此背景下,武漢新芯被迫將產品線轉向閃存。命運多舛的武漢新芯,歷經幾次管理權變更,直到長江存儲的出現,其法定代表人是紫光國芯董事長趙偉國,將全力布局大規(guī)模存儲器與延續(xù)武漢新芯在物聯(lián)網方向的戰(zhàn)略規(guī)劃。

據長江日報報道,趙偉國透露,按照計劃,2017年8月,主體廠房就要建成,2018年試生產,2019年就要實現一期項目10萬片滿負荷生產。一旦試生產開始后,就會同時開展二期建設,到2020-2021年完成二期建設,總共形成每個月30萬片晶圓的產能。

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隨后在IC咖啡首屆國際智慧科技產業(yè)峰會(ICTech Summit 2017)上,長江存儲CEO楊士寧匯報了3D NAND存儲器進展,表示32層3D NAND芯片順利通過電學特性等各項指標測試,達到預期要求。

紫光的垂涎

然而作為主要股東之一的紫光,“到底會不會百分百并購長江存儲”這一話題,一直受業(yè)界高度關注。

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在今年4月19日,紫光國芯首次披露重組標的為長江存儲,擬通過發(fā)行股份收購標的公司全部或部分股權。

5月4日,紫光國芯披露了對長江存儲重組的最新進展。公告稱,根據目前的工作進度,公司預計無法按照原計劃在5月20日前披露重組預案。不過,紫光國芯已與交易對方紫光控股簽署了發(fā)行股份認購資產的框架協(xié)議。

7月16日,紫光國芯發(fā)布公告:由于本次重大資產重組的標的資產長江存儲的存儲器芯片工廠項目投資規(guī)模較大,目前尚處于建設初期,短期內無法產生銷售收入,公司認為收購長江存儲股權的條件尚不夠成熟,同意終止本次股權收購。這是紫光國芯在一年多的時間里第二次終止重大資產重組項目,此前是800億人民幣非公開發(fā)行項目。

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隨即,紫光國芯發(fā)布關于這次終止籌劃重大資產重組的情況澄清聲明,表示收購長江存儲股權的條件還不夠成熟。

如何突圍?

目前來看,三星和海力士壟斷存儲市場多年。并且根據三星英特爾近期發(fā)布的財報來看,三星最終以銷售額158億美元超過了英特爾的147.6億美元,取代英特爾成為芯片市場新的霸主。對此,有業(yè)內人士分析,全球內存芯片需求上漲導致價格飆升,令三星電子業(yè)績顯著受益。據行業(yè)追蹤機構DRAMeXchange的數據,過去一年NAND現貨價格上漲了50%,DRAM價格上漲115%。并且由于內存芯片供應短缺的情況持續(xù),三星電子至少在今年底之前有望一直維持龍頭地位。

如此形勢之下,中國存儲器發(fā)展應該注意什么?賽迪智庫集成電路研究所所長霍雨濤曾表示,國產存儲芯片要想取得更大的進展,需要合理規(guī)劃和統(tǒng)籌布局,做好長期持續(xù)大投入的準備;要聚焦核心技術和人才,立足自主研發(fā),完善產業(yè)生態(tài);要抓住計算和存儲產業(yè)深度融合帶來的機遇。

可見技術專利和人才是重中之重。

今年有消息爆出,為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn),SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組,以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關法律。

暫時大陸半導體技術并未趕上韓國,但為防患于未然,SK海力士才會決定盡早防范未來可能的專利紛爭。韓國業(yè)界對此評估稱,韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。

可見國際存儲大廠也在不斷壘高技術壁壘。目前,三星在3D NAND方面處于領先地位,主流技術已經是64層的3D NAND,且其3D NAND產出己經占到其NAND總出貨量的40%。東芝公司的追趕也很快。東芝計劃在2017年3D NAND占NAND產出的50%,2018年達80%。國際企業(yè)給中國大陸發(fā)展存儲產業(yè)的機會窗口期將不長。

還有就是人才方面,但中國半導體企業(yè)的高薪挖人一直讓國外公司聞風喪膽,據說國內企業(yè)為這些人才開出的年薪是韓國企業(yè)的3-10倍,同時還提供住房和車,并承諾解決子女教育問題等。

之前有韓國媒體報道,盡管連政府調查機關都已經出動,嚴防國內半導體尖端技術外泄,但是依然難以阻止人才和技術的流失,比如退休人員再就業(yè)就很難監(jiān)管。甚至還有很多韓國人在幫忙:一名曾擔任過三星電子和SK海力士高管的韓國人,兩年前成立了一家資源外包公司,也就是俗稱的中介,主要業(yè)務就是從韓國企業(yè)中挖來人才,再送往中國企業(yè)。

IC Insights卻認為,采用這種方法來發(fā)展半導體制程技術十分危險。

IC Insights 舉例指出,2003 年臺積電曾經狀告才剛量產第2 年的中芯國際。原因是中芯國際雇用了100 多名臺積電前員工,并誘使這些員工向中芯國際泄露臺積電的商業(yè)機密。臺積電宣稱,中芯國際此舉侵犯了臺積電8 項半導體制程技術專利。時至2005 年,中芯國際最后以支付臺積電1.75 億美元罰款,并將中芯國際8% 的股份售予臺積電而達成和解。

正如莫大康所說,中國存儲器之前暫時的落后如今要迎頭趕上去,尤如參加一場馬拉松賽跑,中國不參與進去是一點希望都沒有。至于在短時期勇奪第一或者第二尚不敢胡言,但是一定要鼓足勇氣,樹立信心盡最大的可能跑在前列方陣中,把差距縮到最小。


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