存儲器兇險的江湖
從莫大康的《存儲器熱要冷思考》一文了解到,存儲器江湖的壟斷格局早已成定局。從1999年開始,歷經(jīng)六次大的兼并與退出,廠家數(shù)量上己經(jīng)越來越少,在DRAM塊,剩下三家,包括三星,海力士及美光(它于2012年兼并日本的爾必達),以及在NAND塊剩下四組,分別為三星,東芝/新帝,海力士以及美光/英特爾。盡管臺灣地區(qū)尚有幾家,但由于實力不濟,紛紛依附于美光,或者轉(zhuǎn)型代工。其中一個鮮明的事實是從未再有“新進者“呈現(xiàn)。
三星及海力士兩家壟斷的局面己經(jīng)持續(xù)多年,三星己連續(xù)24年稱霸全球。如依2015年計,韓國的DRAM及NAND全球市場份額分別達73%%及43.7%。如果從存儲器的周期性計,在2001至2010年期間,僅三星和海力士兩家盈利80億美元,而其它諸廠累積虧損達130億美元。反映全球存儲器業(yè)的競爭十分激烈,以及壟斷格局己成定局。
這樣的背景下,再加上頂級大廠將目光聚焦中國,中國這場馬拉松大賽到底會跑到什么名次?
本期《中國芯勢力》的主角就是中國三大存儲器主力軍之一——長江存儲。
誕生
2016年3月,總投資約1600億元人民幣的國家存儲器基地在武漢啟動。四個月后“長江存儲”集團正式成立,紫光集團參與了長江存儲的二期出資[1]。
([1]據(jù)武漢新芯介紹,長江存儲的注冊資本分兩期出資。一期由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金和武漢新芯股東湖北省科技投資集團共同出資,武漢新芯的基礎(chǔ)上建立長江存儲。二期將由紫光集團和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金共同出資。)
2016年12月19日,紫光控股與大基金、湖北國芯投資和湖北省科投共同簽訂了《長江控股出資協(xié)議》。長江控股注冊資本為386億元,紫光控股以貨幣出資197億元,占長江控股注冊資本的51.04%;大基金、湖北國芯投資和湖北省科投以股東權(quán)益加貨幣出資,合計占長江控股注冊資本48.96%。
中科院微電子所所長葉甜春表示,目前中國還沒有真正意義上的存儲芯片生產(chǎn)能力,該項目的布局可謂中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“淮海戰(zhàn)役”。
這里提一下武漢新芯,它成立于2006年,是湖北省與武漢市的重大戰(zhàn)略投資項目,成立之初,原計劃主打生產(chǎn)動態(tài)存儲器(DRAM),孰料遭遇全球DRAM市場的價格崩盤,利潤一再下滑。在此背景下,武漢新芯被迫將產(chǎn)品線轉(zhuǎn)向閃存。命運多舛的武漢新芯,歷經(jīng)幾次管理權(quán)變更,直到長江存儲的出現(xiàn),其法定代表人是紫光國芯董事長趙偉國,將全力布局大規(guī)模存儲器與延續(xù)武漢新芯在物聯(lián)網(wǎng)方向的戰(zhàn)略規(guī)劃。
據(jù)長江日報報道,趙偉國透露,按照計劃,2017年8月,主體廠房就要建成,2018年試生產(chǎn),2019年就要實現(xiàn)一期項目10萬片滿負荷生產(chǎn)。一旦試生產(chǎn)開始后,就會同時開展二期建設(shè),到2020-2021年完成二期建設(shè),總共形成每個月30萬片晶圓的產(chǎn)能。
隨后在IC咖啡首屆國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會(ICTech Summit 2017)上,長江存儲CEO楊士寧匯報了3D NAND存儲器進展,表示32層3D NAND芯片順利通過電學(xué)特性等各項指標測試,達到預(yù)期要求。
紫光的垂涎
然而作為主要股東之一的紫光,“到底會不會百分百并購長江存儲”這一話題,一直受業(yè)界高度關(guān)注。
在今年4月19日,紫光國芯首次披露重組標的為長江存儲,擬通過發(fā)行股份收購標的公司全部或部分股權(quán)。
5月4日,紫光國芯披露了對長江存儲重組的最新進展。公告稱,根據(jù)目前的工作進度,公司預(yù)計無法按照原計劃在5月20日前披露重組預(yù)案。不過,紫光國芯已與交易對方紫光控股簽署了發(fā)行股份認購資產(chǎn)的框架協(xié)議。
7月16日,紫光國芯發(fā)布公告:由于本次重大資產(chǎn)重組的標的資產(chǎn)長江存儲的存儲器芯片工廠項目投資規(guī)模較大,目前尚處于建設(shè)初期,短期內(nèi)無法產(chǎn)生銷售收入,公司認為收購長江存儲股權(quán)的條件尚不夠成熟,同意終止本次股權(quán)收購。這是紫光國芯在一年多的時間里第二次終止重大資產(chǎn)重組項目,此前是800億人民幣非公開發(fā)行項目。
隨即,紫光國芯發(fā)布關(guān)于這次終止籌劃重大資產(chǎn)重組的情況澄清聲明,表示收購長江存儲股權(quán)的條件還不夠成熟。
如何突圍?
目前來看,三星和海力士壟斷存儲市場多年。并且根據(jù)三星英特爾近期發(fā)布的財報來看,三星最終以銷售額158億美元超過了英特爾的147.6億美元,取代英特爾成為芯片市場新的霸主。對此,有業(yè)內(nèi)人士分析,全球內(nèi)存芯片需求上漲導(dǎo)致價格飆升,令三星電子業(yè)績顯著受益。據(jù)行業(yè)追蹤機構(gòu)DRAMeXchange的數(shù)據(jù),過去一年NAND現(xiàn)貨價格上漲了50%,DRAM價格上漲115%。并且由于內(nèi)存芯片供應(yīng)短缺的情況持續(xù),三星電子至少在今年底之前有望一直維持龍頭地位。
如此形勢之下,中國存儲器發(fā)展應(yīng)該注意什么?賽迪智庫集成電路研究所所長霍雨濤曾表示,國產(chǎn)存儲芯片要想取得更大的進展,需要合理規(guī)劃和統(tǒng)籌布局,做好長期持續(xù)大投入的準備;要聚焦核心技術(shù)和人才,立足自主研發(fā),完善產(chǎn)業(yè)生態(tài);要抓住計算和存儲產(chǎn)業(yè)深度融合帶來的機遇。
可見技術(shù)專利和人才是重中之重。
今年有消息爆出,為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn),SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組,以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。
暫時大陸半導(dǎo)體技術(shù)并未趕上韓國,但為防患于未然,SK海力士才會決定盡早防范未來可能的專利紛爭。韓國業(yè)界對此評估稱,韓國與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。
可見國際存儲大廠也在不斷壘高技術(shù)壁壘。目前,三星在3D NAND方面處于領(lǐng)先地位,主流技術(shù)已經(jīng)是64層的3D NAND,且其3D NAND產(chǎn)出己經(jīng)占到其NAND總出貨量的40%。東芝公司的追趕也很快。東芝計劃在2017年3D NAND占NAND產(chǎn)出的50%,2018年達80%。國際企業(yè)給中國大陸發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的機會窗口期將不長。
還有就是人才方面,但中國半導(dǎo)體企業(yè)的高薪挖人一直讓國外公司聞風(fēng)喪膽,據(jù)說國內(nèi)企業(yè)為這些人才開出的年薪是韓國企業(yè)的3-10倍,同時還提供住房和車,并承諾解決子女教育問題等。
之前有韓國媒體報道,盡管連政府調(diào)查機關(guān)都已經(jīng)出動,嚴防國內(nèi)半導(dǎo)體尖端技術(shù)外泄,但是依然難以阻止人才和技術(shù)的流失,比如退休人員再就業(yè)就很難監(jiān)管。甚至還有很多韓國人在幫忙:一名曾擔(dān)任過三星電子和SK海力士高管的韓國人,兩年前成立了一家資源外包公司,也就是俗稱的中介,主要業(yè)務(wù)就是從韓國企業(yè)中挖來人才,再送往中國企業(yè)。
IC Insights卻認為,采用這種方法來發(fā)展半導(dǎo)體制程技術(shù)十分危險。
IC Insights 舉例指出,2003 年臺積電曾經(jīng)狀告才剛量產(chǎn)第2 年的中芯國際。原因是中芯國際雇用了100 多名臺積電前員工,并誘使這些員工向中芯國際泄露臺積電的商業(yè)機密。臺積電宣稱,中芯國際此舉侵犯了臺積電8 項半導(dǎo)體制程技術(shù)專利。時至2005 年,中芯國際最后以支付臺積電1.75 億美元罰款,并將中芯國際8% 的股份售予臺積電而達成和解。
正如莫大康所說,中國存儲器之前暫時的落后如今要迎頭趕上去,尤如參加一場馬拉松賽跑,中國不參與進去是一點希望都沒有。至于在短時期勇奪第一或者第二尚不敢胡言,但是一定要鼓足勇氣,樹立信心盡最大的可能跑在前列方陣中,把差距縮到最小。