全球最大半導(dǎo)體設(shè)備廠應(yīng)用材料宣布,利用鈷金屬全面取代銅當(dāng)作導(dǎo)線材料,以協(xié)助客戶全面推進(jìn)至7奈米以下制程,并延續(xù)摩爾定律,目前將主要應(yīng)用在邏輯芯片當(dāng)中,也可望協(xié)助客戶在3D NAND架構(gòu)中維持效能及良率。

由于智能手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)需求廣大,顯示行動(dòng)時(shí)代不斷需要更高規(guī)格配備,新應(yīng)用也不斷發(fā)展,以高效能芯片如何突破現(xiàn)有速度、功耗更低及儲(chǔ)存空間更多為例,勢必就得不斷延續(xù)摩爾定律,從現(xiàn)有的10奈米制程節(jié)點(diǎn)向前演進(jìn)至個(gè)位數(shù)奈米制程。

不過,10奈米以下制程技術(shù)含量高,且若用現(xiàn)有材料導(dǎo)電速度將會(huì)不如以往效率。 因此,應(yīng)用材料昨(17)日宣布,將以鈷金屬在個(gè)位數(shù)奈米制程節(jié)點(diǎn)全面取代現(xiàn)有的銅金屬當(dāng)作導(dǎo)線材料,導(dǎo)電效率有顯著提升。

應(yīng)用材料半導(dǎo)體設(shè)備事業(yè)群金屬沉積產(chǎn)品部資深經(jīng)理陸勤表示,將現(xiàn)有的芯片為縮到7奈米及以下制程是目前在半導(dǎo)體歷史中最困難的技術(shù)挑戰(zhàn),產(chǎn)業(yè)界技術(shù)藍(lán)圖的精進(jìn)有賴組件設(shè)計(jì)、制程技術(shù)及新材料的創(chuàng)新,因此應(yīng)材耗時(shí)3年時(shí)間,研發(fā)出以鈷取代傳統(tǒng)銅的需要,以確保組件效能更高、良率更佳,維持客戶競爭力與推進(jìn)技術(shù)藍(lán)圖的主要驅(qū)動(dòng)力。

陸勤指出,以鈷金屬全面取代銅當(dāng)作導(dǎo)線材料,將可能在7奈米制程進(jìn)行學(xué)習(xí)階段,在5奈米制程客戶端有望全面導(dǎo)入。 在機(jī)臺(tái)部分可望持續(xù)沿用當(dāng)前的Endura平臺(tái),進(jìn)行技術(shù)及零件升級(jí)即可采用鈷當(dāng)作導(dǎo)線材料。

陸勤表示,Endura能在關(guān)鍵的阻障層及重晶層進(jìn)行沉積,使制程先進(jìn)的導(dǎo)線成為可能,當(dāng)業(yè)界到達(dá)10奈米以下,島縣內(nèi)非常的薄的薄膜就需要在控制良好的環(huán)境中,有夠精準(zhǔn)材料工程及接口,這套系統(tǒng)能支持最多8個(gè)制程反應(yīng)室,方便半導(dǎo)體廠能將各個(gè)制程技術(shù)同時(shí)整合在同一平臺(tái)上。