昨日，在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲科技有限責(zé)任公司(國家存儲器基地)，紫光集團聯(lián)席總裁刁石京透露，中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)悉，長江存儲于2017年成功研發(fā)中國首顆32層三維NAND閃存芯片，并獲得中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎。

這顆芯片，耗資10億美元，由1000人團隊歷時2年自主研發(fā)，是中國主流芯片中研發(fā)制造水平最接近世界一流的高端存儲芯片，實現(xiàn)了中國存儲芯片“零”的突破。

刁石京介紹，目前，芯片生產(chǎn)設(shè)備正在進行安裝調(diào)試，今年第四季度，32層三維閃存芯片將在一號芯片生產(chǎn)廠房進行量產(chǎn)。此外，64層三維閃存芯片研發(fā)也在緊鑼密鼓地進行，計劃2019年實現(xiàn)量產(chǎn)。

刁石京表示，中國芯片技術(shù)落后于世界，但自主研發(fā)的腳步始終沒有停止，兩代芯片實現(xiàn)量產(chǎn)后將縮短與美國、日本、韓國等國家在存儲芯片上的差距。

據(jù)悉，長江存儲由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省科技投資集團共同投資建設(shè)，負(fù)責(zé)國家存儲器基地項目。

根據(jù)規(guī)劃，至2023年，基地產(chǎn)能將達到每月30萬片，并形成設(shè)計、測試、封裝、制造、應(yīng)用等上下游集群。

長江存儲首次公布突破性3D NAND架構(gòu)Xtacking

日前在美國舉辦的閃存峰會（Flash Memory Summit）上。長江存儲CEO楊士寧博士將發(fā)布表主題演講并揭曉突破性技術(shù)Xtacking。官方稱，Xtacking可以將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當(dāng)?shù)乃疁?zhǔn)，同時使存儲密度達到行業(yè)領(lǐng)先水平，實現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時代躍進。

據(jù)悉，Xtacking可用于消費級/企業(yè)級SSD還有UFS閃存，且實現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時間，并使NAND閃存產(chǎn)品定制化成為可能。

那么DDR4的傳輸速度是什么級別？

以常見的DDR4-2400單通道為例，數(shù)據(jù)速率2400Mbps，理論峰值帶寬2400MHz x 64bit/8=18.75GB/s。

還不清楚紫光所謂速度級別的具體數(shù)字，僅從紙面分析，倒是很像Intel在做的傲騰存儲，最終目標(biāo)是閃存、內(nèi)存二合一。