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2024Q3全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)收260.2億美元
發(fā)表于：2024/11/27 13:01:10
TrendForce預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌
發(fā)表于：2024/11/21 10:19:00
ASML在2024 年投資者日會(huì)議上就市場(chǎng)機(jī)遇提供最新看法
發(fā)表于：2024/11/18 23:00:36
TrendForce研報(bào)預(yù)計(jì)2025年DRAM 價(jià)格將下跌
發(fā)表于：2024/11/18 20:10:34
DDR4內(nèi)存正逐漸被放棄
發(fā)表于：2024/11/11 10:41:33
鎧俠宣布斥資16.75億元研發(fā)下一代內(nèi)存
發(fā)表于：2024/11/8 8:52:15
TrendForce預(yù)測(cè)2025年DRAM產(chǎn)量同比增長(zhǎng)25%
發(fā)表于：2024/11/7 10:56:35
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
發(fā)表于：2024/11/4 13:16:16
三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)三季度獲利環(huán)比大跌40%
發(fā)表于：2024/11/1 8:18:53
三星前員工涉嫌向韓國(guó)泄露國(guó)產(chǎn)內(nèi)存秘密被中國(guó)警方逮捕
發(fā)表于：2024/10/31 9:27:05
消息稱(chēng)三星下代400+層V-NAND 2026年推出
發(fā)表于：2024/10/30 11:22:15
消息稱(chēng)三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
發(fā)表于：2024/10/23 11:18:21
三星HBM3E因1a制程DRAM原因仍未通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證
發(fā)表于：2024/10/18 10:19:43
TrendForce預(yù)測(cè)2024年第四季度DRAM價(jià)格漲幅放緩
發(fā)表于：2024/10/14 10:01:38
摩根士丹利報(bào)告顯示DRAM市場(chǎng)寒冬將至
發(fā)表于：2024/9/19 11:21:01
兩名前三星員工涉嫌泄露價(jià)值32億美元商業(yè)機(jī)密被捕
發(fā)表于：2024/9/12 8:50:18
英飛凌支付7.5億歐元與奇夢(mèng)達(dá)和解
發(fā)表于：2024/8/25 15:12:50
2024年第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)24.8%
發(fā)表于：2024/8/16 8:50:50
消息稱(chēng)SK海力士啟動(dòng)M16擴(kuò)產(chǎn)
發(fā)表于：2024/8/15 9:47:46
消息稱(chēng)三星電子確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資
發(fā)表于：2024/8/13 10:39:10
機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)2024年DRAM收入將激增至980億美元
發(fā)表于：2024/8/6 9:56:00
傳稱(chēng)三星將轉(zhuǎn)移30%產(chǎn)能生產(chǎn)HBM
發(fā)表于：2024/7/17 22:10:00
DRAM和NAND現(xiàn)貨價(jià)格下跌短期內(nèi)難以回升
發(fā)表于：2024/6/21 8:30:26
消息稱(chēng)美光正在全球擴(kuò)張HBM內(nèi)存產(chǎn)能
發(fā)表于：2024/6/20 8:35:40
消息稱(chēng)三星電子12nm級(jí)DRAM內(nèi)存良率不足五成
發(fā)表于：2024/6/12 8:59:45
南亞科技首款1Cnm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)品明年初試產(chǎn)
發(fā)表于：2024/5/30 11:19:00
消息稱(chēng)SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型光刻膠
發(fā)表于：2024/5/30 11:13:05
SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已接近80%
發(fā)表于：2024/5/23 8:38:29
三星SK海力士將超過(guò)20%的DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為HBM
發(fā)表于：2024/5/15 8:39:29
消息稱(chēng)三星計(jì)劃量產(chǎn)的1c DRAM使用MOR光刻膠
發(fā)表于：2024/4/30 8:55:20

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