12月16日，三星電子在舊金山舉行的第70屆國(guó)際電子器件會(huì)議上宣布，其旗下三星先進(jìn)技術(shù)研究所（SAIT）成功開發(fā)出一種新型晶體管，能夠在10nm以下的制程節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)DRAM，這個(gè)突破將解決移動(dòng)DRAM發(fā)展中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。這項(xiàng)技術(shù)的重點(diǎn)在于實(shí)現(xiàn)小于10nm的DRAM 制程，這對(duì)于移動(dòng)DRAM 來說是一個(gè)重要的障礙，因?yàn)閭鹘y(tǒng)的演進(jìn)方法已經(jīng)達(dá)到物理極限。

三星將其技術(shù)命名為“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶體管的高耐熱非晶氧化物半導(dǎo)體晶體管”，其采用存儲(chǔ)單元堆疊在外圍電路上，這種方法簡(jiǎn)稱為單元-外圍電路（Cell-on-Peri，簡(jiǎn)稱CoP）。這與目前將外圍電路放置在存儲(chǔ)單元下方的方式截然不同，因?yàn)橥鈬娐吩诟邷囟询B過程中容易受到損壞，導(dǎo)致性能下降。因此，三星采用了一種基于非晶銦鎵氧化物（InGaO）的晶體管，這種晶體管可以承受高達(dá) 550 攝氏度的高溫，從而防止性能下降。

三星補(bǔ)充說，這種垂直溝道晶體管的溝道長(zhǎng)度為 100nm，可以與單片 CoP DRAM 架構(gòu)集成。并且，在測(cè)試過程中，漏極電流的劣化程度極小，晶體管在老化測(cè)試中也表現(xiàn)良好。

消息人士稱，該技術(shù)目前仍處于研究階段，未來將應(yīng)用于10nm以下的0a和0b類DRAM。后續(xù)隨著這項(xiàng)技術(shù)的推出，有望使三星在高密度存儲(chǔ)器市場(chǎng)中更具競(jìng)爭(zhēng)力。