12月16日，三星電子在舊金山舉行的第70屆國際電子器件會議上宣布，其旗下三星先進技術(shù)研究所（SAIT）成功開發(fā)出一種新型晶體管，能夠在10nm以下的制程節(jié)點上生產(chǎn)DRAM，這個突破將解決移動DRAM發(fā)展中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。這項技術(shù)的重點在于實現(xiàn)小于10nm的DRAM 制程，這對于移動DRAM 來說是一個重要的障礙，因為傳統(tǒng)的演進方法已經(jīng)達到物理極限。

三星將其技術(shù)命名為“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶體管的高耐熱非晶氧化物半導(dǎo)體晶體管”，其采用存儲單元堆疊在外圍電路上，這種方法簡稱為單元-外圍電路（Cell-on-Peri，簡稱CoP）。這與目前將外圍電路放置在存儲單元下方的方式截然不同，因為外圍電路在高溫堆疊過程中容易受到損壞，導(dǎo)致性能下降。因此，三星采用了一種基于非晶銦鎵氧化物（InGaO）的晶體管，這種晶體管可以承受高達 550 攝氏度的高溫，從而防止性能下降。

三星補充說，這種垂直溝道晶體管的溝道長度為 100nm，可以與單片 CoP DRAM 架構(gòu)集成。并且，在測試過程中，漏極電流的劣化程度極小，晶體管在老化測試中也表現(xiàn)良好。

消息人士稱，該技術(shù)目前仍處于研究階段，未來將應(yīng)用于10nm以下的0a和0b類DRAM。后續(xù)隨著這項技術(shù)的推出，有望使三星在高密度存儲器市場中更具競爭力。