《電子技術(shù)應(yīng)用》
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存儲(chǔ)芯片爭(zhēng)霸戰(zhàn)愈演愈烈 三星Q4有望重奪DRAM市場(chǎng)頭把交椅

2025-12-08
來(lái)源:財(cái)聯(lián)社

12月8日訊,據(jù)業(yè)內(nèi)人士周日透露,今年第四季度韓國(guó)三星電子有望重奪全球DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)市場(chǎng)營(yíng)收第一的寶座,超越其本土競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士。

業(yè)內(nèi)人士表示,三星10-12月期間預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)超18萬(wàn)億韓元(約合122億美元)的營(yíng)業(yè)利潤(rùn),超出市場(chǎng)預(yù)期。

三星旗下負(fù)責(zé)DRAM、NAND閃存和系統(tǒng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的器件解決方案部門(mén),預(yù)計(jì)將成為此次增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。該部門(mén)預(yù)計(jì)將貢獻(xiàn)15.1萬(wàn)億韓元的營(yíng)業(yè)利潤(rùn),較上一季度增長(zhǎng)166%,較去年同期大幅增長(zhǎng)422%。

憑借這一超預(yù)期的盈利表現(xiàn),三星有望在第四季度全球DRAM供應(yīng)商營(yíng)收排名中位居第一,將SK海力士擠至第二位。

行業(yè)分析師指出,三星近期在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域努力縮小與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)差距,同時(shí),數(shù)據(jù)中心等人工智能基礎(chǔ)設(shè)施投資推動(dòng)傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品價(jià)格上漲,這兩大因素共同提振了其業(yè)績(jī)。

存儲(chǔ)芯片爭(zhēng)霸戰(zhàn)愈演愈烈

DRAM市場(chǎng)的排名變化標(biāo)志著存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)正愈演愈烈。三星曾連續(xù)33年占據(jù)DRAM市場(chǎng)領(lǐng)先地位,但在今年第一季度首次被SK海力士超越,失去了榜首位置。這一下滑主要?dú)w因于三星在HBM芯片領(lǐng)域落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

SK海力士于2013年成為全球首家研發(fā)出HBM芯片的公司,此后一直主導(dǎo)著全球HBM市場(chǎng)。

DRAM是目前全球應(yīng)用最廣泛的易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片。作為電子設(shè)備的核心運(yùn)行內(nèi)存,DRAM能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)隨機(jī)高速存取,廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、手機(jī)、PC等各類需要高速數(shù)據(jù)處理的場(chǎng)景。

而HBM是一種基于3D堆疊技術(shù)的高性能DRAM,是人工智能 (AI) 應(yīng)用的核心部件,隨著AI產(chǎn)業(yè)爆發(fā),其需求也迅猛增長(zhǎng)。

今年第二季度和第三季度,三星的DRAM收入再次落后SK海力士。但值得注意的是,隨著三星加快HBM生產(chǎn)并穩(wěn)定良率,第三季度其與SK海力士的差距有所收窄。

根據(jù)行業(yè)追蹤機(jī)構(gòu)Omdia上月底公布的數(shù)據(jù),由于價(jià)格上漲,今年第三季度(7-9月),全球DRAM銷售額環(huán)比大增三成,SK海力士連續(xù)三季度蟬聯(lián)第一。三星電子和美光分列第二和第三。

按照銷售額來(lái)算,SK海力士第三季度在全球DRAM市場(chǎng)的市占率為34.1%,較前一季度的39.4%下降了5.3個(gè)百分點(diǎn)。當(dāng)季,三星電子的市占率為33.7%,較前一季度的33.2%上升了0.5個(gè)百分點(diǎn)。兩家公司之間的市占率差距從6.2個(gè)百分點(diǎn)縮小到0.4個(gè)百分點(diǎn)。


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