11月4日消息，據(jù)韓國媒體DealSite報導，三星電子正加速導入10nm級 1c 制程DRAM設備，目標在明年初啟動HBM4量產(chǎn)，努力追趕已率先與英偉達簽署HBM4供應合約并進入量產(chǎn)階段的SK 海力士。

業(yè)界消息指出，三星近期已在平澤園區(qū)（Pyeongtaek）完成第二廠（P2）1c DRAM 設備進場，并同步于第三廠（P3）與第四廠（P4）導入新設備，積極擴充先進1c DRAM產(chǎn)能。

三星預計于本月完成最終客戶樣品（Customer Sample，CS）的內(nèi)部可靠度測試（PRA），隨后將樣品送交英偉達進行GPU 整合驗證。若進展順利，產(chǎn)品有望于明年下半年正式出貨。三星內(nèi)部人士透露，樣品測試結束后，英偉達將展開為期約四個月的GPU 驗證流程，完成最終認證后，三星有望于明年初開始分配量產(chǎn)訂單。

三星原先在平澤第二廠（P2）與第三廠（P3）主要生產(chǎn)前一代DRAM 產(chǎn)品，但隨著市場需求轉向高性能與高帶寬應用，公司近來逐步減產(chǎn)舊制程DRAM芯片，并將部分產(chǎn)線改造為最新的1c 制程。這項改造工程通過升級既有廠房與設備，讓舊產(chǎn)線能生產(chǎn)新一代DRAM芯片。

目前，三星HBM4 的核心生產(chǎn)據(jù)點第四廠（P4）預定于明年啟動；主晶圓廠PH1 已同時運作NAND 與1c DRAM 產(chǎn)線，PH3 自6 月起導入新設備，PH4 正在建設階段，PH2 則預計在年底或明年初開工。

盡管1c DRAM開發(fā)進展穩(wěn)定，但量產(chǎn)良率仍是三星面臨的最大挑戰(zhàn)。據(jù)業(yè)界人士透露，目前以1c 制程生產(chǎn)的HBM4 樣品良率約為50%，尚未達到量產(chǎn)門檻。由于HBM4 采用多層堆疊結構，芯粒面積較前代HBM3E 更大，同一晶圓可產(chǎn)生的良品數(shù)量相對減少，也使良率提升速度緩慢。

三星為此同步強化后段封裝流程，并與韓美半導體（Hanmi Semiconductor）展開合作，以穩(wěn)定堆疊精度與整體制程品質(zhì)。分析指出，若能將HBM4 晶圓良率提高至70% 以上，將具備轉入量產(chǎn)的條件。

業(yè)界普遍認為，三星此舉與英偉達明年下半年推出的新一代AI 加速器Rubin 密切呼應?？紤]到SK 海力士已于9 月宣布完成HBM4 量產(chǎn)體系，三星的設備導入與產(chǎn)線改造已進入最后階段，但能否在短期內(nèi)達到穩(wěn)定良率，仍需觀察。