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消息稱三星電子啟動下代1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設備訂購
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SK海力士將采用臺積電3nm生產(chǎn)HBM4
發(fā)表于：2024/12/5 10:57:17
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消息稱特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4樣片
發(fā)表于：2024/11/21 11:09:01
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消息稱內(nèi)存原廠考慮HBM4采用無助焊劑鍵合
發(fā)表于：2024/11/15 11:05:20
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三星將為Meta和微軟定制HBM4解決方案
發(fā)表于：2024/11/15 10:15:19
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SK海力士稱英偉達要求其提前6個月供應HBM4
發(fā)表于：2024/11/5 11:30:51
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SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
發(fā)表于：2024/11/4 13:16:16
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消息稱三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
發(fā)表于：2024/10/23 11:18:21
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三星與臺積電合作開發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片
發(fā)表于：2024/9/9 10:18:38
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三星HBM4將采用Logic Base Die和3D封裝
發(fā)表于：2024/9/5 8:50:11
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消息稱三星電子以自家4nm先進工藝打造HBM4內(nèi)存邏輯芯片
發(fā)表于：2024/7/16 18:55:00
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英偉達臺積電和SK海力士深化三角聯(lián)盟
發(fā)表于：2024/7/15 9:07:00
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JEDEC 固態(tài)技術協(xié)會表示HBM4內(nèi)存標準即將定稿
發(fā)表于：2024/7/12 9:17:00
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三星電子計劃在HBM4世代為客戶開發(fā)多樣化定制HBM內(nèi)存
發(fā)表于：2024/7/11 9:15:00
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HBM芯片之爭愈演愈烈
發(fā)表于：2024/7/10 9:10:00
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ASMPT與美光聯(lián)合開發(fā)下一代HBM4鍵合設備
發(fā)表于：2024/6/28 8:44:00
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消息稱臺積電協(xié)同旗下創(chuàng)意電子拿下SK海力士大單
發(fā)表于：2024/6/24 11:35:08
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NVIDIA官宣全新Rubin GPU和Vera CPU
發(fā)表于：2024/6/3 11:27:44
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SK海力士HBM4芯片2026年將帶來6-15億美元以上營收
發(fā)表于：2024/5/29 8:36:11
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HBM4內(nèi)存競爭已達白熱化
發(fā)表于：2024/5/15 8:39:14
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SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E內(nèi)存
發(fā)表于：2024/5/14 8:39:24
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英偉達下一代人工智能GPU架構Rubin曝光
發(fā)表于：2024/5/11 8:39:38
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消息稱SK海力士HBM4內(nèi)存基礎裸片有望采用臺積電7nm制程
發(fā)表于：2024/4/24 10:20:45
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SK海力士與臺積電簽署諒解備忘錄
發(fā)表于：2024/4/19 9:00:30
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三星計劃將TC-NCF用于16層HBM4內(nèi)存生產(chǎn)
發(fā)表于：2024/4/19 9:00:23
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消息稱HBM4標準放寬 三星、SK海力士推遲引入混合鍵合技術
發(fā)表于：2024/3/11 9:00:00
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臺積電和SK海力士聯(lián)手聯(lián)合生產(chǎn)HBM4：對抗三星
發(fā)表于：2024/2/11 21:23:00
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SK海力士宣布2026年量產(chǎn)HBM4
發(fā)表于：2024/2/5 10:21:39
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