2026年1月6日，存儲芯片大廠SK海力士宣布，將在美國當(dāng)?shù)貢r間1月6日至9日舉行的2026年國際消費電子展（CES）上展示其下一代人工智能（AI）存儲解決方案——16層堆疊的48GB HBM4，以及321層2Tb QLC產(chǎn)品。

SK海力士此前最先進的HBM產(chǎn)品是12層堆疊的36GB HBM4，具備業(yè)界最快的11.7 Gbps速率，并且正在根據(jù)客戶的時間表進行開發(fā)。該公司將與客戶聯(lián)合展出采用HBM3E的AI服務(wù)器GPU模塊，并展示其在AI系統(tǒng)中的作用。

此次，SK海力士首次展示的 16層堆疊的48GB HBM4，正是12層堆疊的36GB HBM4的下一代產(chǎn)品。目前尚未公布具體的參數(shù)。

SK海力士表示：“在‘創(chuàng)新AI，可持續(xù)未來’的主題下，我們計劃展示一系列針對AI優(yōu)化的下一代內(nèi)存解決方案，并將與客戶緊密合作，在AI時代創(chuàng)造新的價值?！?/p>

除了HBM之外，SK海力士還將展示專為AI服務(wù)器設(shè)計的低功耗內(nèi)存模塊SOCAMM2，以展示其多樣化產(chǎn)品組合的競爭力，從而應(yīng)對快速增長的AI服務(wù)器需求；還有針對設(shè)備內(nèi)AI優(yōu)化的LPDDR6，與前幾代產(chǎn)品相比，其數(shù)據(jù)處理速度和能效顯著提升。

在NAND閃存領(lǐng)域，SK海力士將展示其321層2Tb QLC產(chǎn)品，該產(chǎn)品針對超高容量eSSD進行了優(yōu)化，以應(yīng)對人工智能數(shù)據(jù)中心快速擴張所帶來的需求激增。憑借業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的集成技術(shù)，與上一代QLC產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品顯著提高了能效和性能，在需要低功耗的人工智能數(shù)據(jù)中心環(huán)境中具有顯著優(yōu)勢。

SK海力士將設(shè)立一個“人工智能系統(tǒng)演示區(qū)”，參觀者可以在此體驗其正在為未來準(zhǔn)備的人工智能系統(tǒng)內(nèi)存解決方案如何相互連接，形成一個人工智能生態(tài)系統(tǒng)。在這一領(lǐng)域，該公司將展示針對特定AI芯片或系統(tǒng)優(yōu)化的cHBM、基于PIM的AiMX、在內(nèi)存中進行計算的CuD、將計算能力集成到CXL內(nèi)存中的CMM-Ax，以及數(shù)據(jù)感知的CSD。