3月4日消息，據(jù)韓國(guó)ZDNet消息，SK海力士正在推進(jìn)下一代封裝技術(shù)，用于提高HBM4的穩(wěn)定性和性能。目前該項(xiàng)技術(shù)正處于驗(yàn)證階段。

由于HBM4的I/O（輸入/輸出信號(hào)）數(shù)量翻倍至2048個(gè)，故而增加了信號(hào)干擾的風(fēng)險(xiǎn)。這種擴(kuò)展雖然提升了帶寬，但也帶來(lái)了電壓等方面的挑戰(zhàn)。為增強(qiáng)穩(wěn)定性，SK海力士計(jì)劃增加部分上層DRAM芯片的厚度，同時(shí)縮小DRAM層之間的間距，以防止封裝整體高度增加，同時(shí)降低向最上層供電所需的功耗，提高電源效率。

傳統(tǒng)上，DRAM通過研磨背面來(lái)減薄芯片厚度，以滿足HBM4 775微米的厚度要求。其風(fēng)險(xiǎn)在于，過度減薄會(huì)降低性能并增加對(duì)外部沖擊的敏感性，這使得增加芯片厚度被SK海力士提上議程。

然而更窄的間隙使得向間隙中注入模塑底部填充材料（MUF）變得更加困難，為起保護(hù)和絕緣作用，封裝過程中需均勻填充MUF以防止芯片缺陷。因此，SK海力士開發(fā)了一種新的封裝技術(shù)，旨在不大幅改變現(xiàn)有工藝流程或設(shè)備的前提下，縮小DRAM間距并保持穩(wěn)定的良率。

報(bào)道指出，近期其內(nèi)部測(cè)試已取得積極成果，且若實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，這項(xiàng)技術(shù)不僅有望達(dá)到英偉達(dá)要求的HBM4的峰值性能，還能顯著提升下一代產(chǎn)品的性能。

此前有消息稱，英偉達(dá)很有可能會(huì)降低其最初提供的 HBM4 的性能要求，使其達(dá)到10Gbps的水平。半導(dǎo)體分析公司Semianalysis表示，英偉達(dá)最初將Rubin芯片的總帶寬目標(biāo)設(shè)定為22 TB/s，但內(nèi)存供應(yīng)商似乎難以滿足英偉達(dá)的要求，并且“預(yù)計(jì)初始出貨量將低于此，接近20 TB/s（相當(dāng)于每個(gè)HBM4引腳10 Gbps）?！?/p>

在此背景下，為追求更高市場(chǎng)份額，存儲(chǔ)大廠間已然開啟了HBM性能競(jìng)賽。如三星在采用更先進(jìn)1c DRAM技術(shù)的基礎(chǔ)上，于近期以來(lái)仍實(shí)施眾多舉措，包括但不限于增大DRAM芯片尺寸，引入全新供電架構(gòu)（PDN分段技術(shù)）以降低HBM缺陷率等。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告，隨著AI基礎(chǔ)建設(shè)擴(kuò)張，對(duì)應(yīng)的GPU需求也不斷成長(zhǎng)，預(yù)期英偉達(dá)Rubin平臺(tái)量產(chǎn)后，將帶動(dòng)HBM4需求。目前三大存儲(chǔ)器原廠的HBM4驗(yàn)證程序已進(jìn)展至尾聲，預(yù)計(jì)將在2026年第二季陸續(xù)完成。

從各廠商進(jìn)展來(lái)看，三星憑借最佳的產(chǎn)品穩(wěn)定性，預(yù)期將率先通過驗(yàn)證，預(yù)計(jì)第二季完成后將開始逐季量產(chǎn)。SK海力士持續(xù)推進(jìn)，且可望憑借與英偉達(dá)既有的HBM合作基礎(chǔ)，在供應(yīng)位元分配上保持優(yōu)勢(shì)。美光的驗(yàn)證節(jié)奏雖然相對(duì)較緩，也預(yù)計(jì)將會(huì)在第二季完成。