12 月 25 日消息，據韓媒 DealSite 12 月 24 日報道，SK 海力士將于明年 1 月上旬向英偉達提供下一代 HBM4 12 層最終樣品。

此前，SK 海力士在進行 SiP（注：系統(tǒng)級封裝）測試的同時，一直在推進整個系統(tǒng)的優(yōu)化工作。在這一過程中，SK 海力士與英偉達、臺積電共享不良數據等“三方協作模式”也在一定程度上幫助明確了改進方向。

報道援引知情人士消息稱：“經過電路修改的 HBM4 晶圓將在本月底完成流片（fab-out）。如果沒有問題，計劃在 1 月上旬向英偉達追加提供最終樣品。”

知情人士還提到：“公司內部認為只要該晶圓表現良好，修訂（修改和完善）問題就基本可以解決。”

報道還稱，SK 海力士已于今年 9 月向英偉達提供了首批 HBM4 客戶樣品。當時，SK 海力士為了配合英偉達緊迫的開發(fā)進度，甚至跳過了內部 PRA（產品可靠性評估）環(huán)節(jié)，優(yōu)先將樣品交付。

但隨后進行的認證過程中，發(fā)現了一些需要修改的問題。在將 HBM 等多種芯片封裝成一個模塊的 SiP 測試中，出現了速度和可靠性方面的問題。特別是在提升速度的過程中，需要對電路線進行設計調整以減少結構上的限制。因此，SK 海力士向英偉達提供了數萬片樣品，并共同推進優(yōu)化工作。

由于問題是在 SiP 階段產生的，因此在 SK 海力士、英偉達和臺積電之間的合作體系中，也進行了相關應對。從 HBM4 開始，SK 海力士將基板芯片的生產交由臺積電負責，從而鞏固了“三方架構”。在此過程中，臺積電工程師被派往 SK 海力士，共同參與基板芯片的聯合開發(fā)工作。

相關人士表示：“原本在 SiP 測試過程中產生的不良數據并未在三方之間共享。即使英偉達提出請求，臺積電也沒有提供相關信息。但最近，臺積電也開始在 HBM4 生產過程中，對于出現可靠性不良問題的環(huán)節(jié)向 SK 海力士共享數據，三方之間的信息交流正在展開?！?/p>

目前，SK 海力士已經具體掌握了不良產生的機制，據悉生產良率并未出現明顯問題。該公司表示，希望按照原計劃推進 HBM4 的正式量產。

修改后的樣品在明年 1 月上旬再次提交后，假設快速完成質量測試，正式量產時間預計將在 2~3 月。這樣，從第二季度開始就可以實現產能提升。