12 月 25 日消息，據(jù)韓媒 DealSite 12 月 24 日?qǐng)?bào)道，SK 海力士將于明年 1 月上旬向英偉達(dá)提供下一代 HBM4 12 層最終樣品。

此前，SK 海力士在進(jìn)行 SiP（注：系統(tǒng)級(jí)封裝）測(cè)試的同時(shí)，一直在推進(jìn)整個(gè)系統(tǒng)的優(yōu)化工作。在這一過程中，SK 海力士與英偉達(dá)、臺(tái)積電共享不良數(shù)據(jù)等“三方協(xié)作模式”也在一定程度上幫助明確了改進(jìn)方向。

報(bào)道援引知情人士消息稱：“經(jīng)過電路修改的 HBM4 晶圓將在本月底完成流片（fab-out）。如果沒有問題，計(jì)劃在 1 月上旬向英偉達(dá)追加提供最終樣品?！?/p>

知情人士還提到：“公司內(nèi)部認(rèn)為只要該晶圓表現(xiàn)良好，修訂（修改和完善）問題就基本可以解決。”

報(bào)道還稱，SK 海力士已于今年 9 月向英偉達(dá)提供了首批 HBM4 客戶樣品。當(dāng)時(shí)，SK 海力士為了配合英偉達(dá)緊迫的開發(fā)進(jìn)度，甚至跳過了內(nèi)部 PRA（產(chǎn)品可靠性評(píng)估）環(huán)節(jié)，優(yōu)先將樣品交付。

但隨后進(jìn)行的認(rèn)證過程中，發(fā)現(xiàn)了一些需要修改的問題。在將 HBM 等多種芯片封裝成一個(gè)模塊的 SiP 測(cè)試中，出現(xiàn)了速度和可靠性方面的問題。特別是在提升速度的過程中，需要對(duì)電路線進(jìn)行設(shè)計(jì)調(diào)整以減少結(jié)構(gòu)上的限制。因此，SK 海力士向英偉達(dá)提供了數(shù)萬片樣品，并共同推進(jìn)優(yōu)化工作。

由于問題是在 SiP 階段產(chǎn)生的，因此在 SK 海力士、英偉達(dá)和臺(tái)積電之間的合作體系中，也進(jìn)行了相關(guān)應(yīng)對(duì)。從 HBM4 開始，SK 海力士將基板芯片的生產(chǎn)交由臺(tái)積電負(fù)責(zé)，從而鞏固了“三方架構(gòu)”。在此過程中，臺(tái)積電工程師被派往 SK 海力士，共同參與基板芯片的聯(lián)合開發(fā)工作。

相關(guān)人士表示：“原本在 SiP 測(cè)試過程中產(chǎn)生的不良數(shù)據(jù)并未在三方之間共享。即使英偉達(dá)提出請(qǐng)求，臺(tái)積電也沒有提供相關(guān)信息。但最近，臺(tái)積電也開始在 HBM4 生產(chǎn)過程中，對(duì)于出現(xiàn)可靠性不良問題的環(huán)節(jié)向 SK 海力士共享數(shù)據(jù)，三方之間的信息交流正在展開?！?/p>

目前，SK 海力士已經(jīng)具體掌握了不良產(chǎn)生的機(jī)制，據(jù)悉生產(chǎn)良率并未出現(xiàn)明顯問題。該公司表示，希望按照原計(jì)劃推進(jìn) HBM4 的正式量產(chǎn)。

修改后的樣品在明年 1 月上旬再次提交后，假設(shè)快速完成質(zhì)量測(cè)試，正式量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)將在 2~3 月。這樣，從第二季度開始就可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能提升。