1月13日消息，據TheElec報道，LG電子正在開發(fā)用于高帶寬存儲器（HBM）的混合鍵合堆疊設備（鍵合機）早期版本。
據稱，該項目獲得多方支持，Justem也參與其中，負責開發(fā)該套件的系統。LG電子生產工程研究所（PRI）于去年6月正式啟動該項目。
目前，項目已產出內部測試的原型alpha版本。據消息人士透露，項目當時正處于概念驗證階段，團隊正有條不紊地開展各項測試工作。其中，混合鍵合工藝的測試是重點之一，團隊使用模塊和鍵合頭進行相關測試，力求優(yōu)化工藝，確保設備性能達到預期。
報道還稱，該項目計劃于2029年完成，目標精度設定為200納米。不過，這一精度規(guī)格與Besi公司已實現商業(yè)化的100納米精度存在差距。消息人士指出，基于這樣的精度差異，該鍵合機在三年后推出時，可能在HBM領域競爭力不足。
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