1月13日消息，據(jù)TheElec報道，LG電子正在開發(fā)用于高帶寬存儲器（HBM）的混合鍵合堆疊設(shè)備（鍵合機）早期版本。

據(jù)稱，該項目獲得多方支持，Justem也參與其中，負責(zé)開發(fā)該套件的系統(tǒng)。LG電子生產(chǎn)工程研究所（PRI）于去年6月正式啟動該項目。

目前，項目已產(chǎn)出內(nèi)部測試的原型alpha版本。據(jù)消息人士透露，項目當(dāng)時正處于概念驗證階段，團隊正有條不紊地開展各項測試工作。其中，混合鍵合工藝的測試是重點之一，團隊使用模塊和鍵合頭進行相關(guān)測試，力求優(yōu)化工藝，確保設(shè)備性能達到預(yù)期。

報道還稱，該項目計劃于2029年完成，目標(biāo)精度設(shè)定為200納米。不過，這一精度規(guī)格與Besi公司已實現(xiàn)商業(yè)化的100納米精度存在差距。消息人士指出，基于這樣的精度差異，該鍵合機在三年后推出時，可能在HBM領(lǐng)域競爭力不足。