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工業(yè)自動(dòng)化最新文章

傳英偉達(dá)將在中國(guó)臺(tái)灣建立海外總部

12月24日消息，據(jù)業(yè)內(nèi)傳聞，AI芯片大廠英偉達(dá)（NVIDIA）計(jì)劃將在中國(guó)臺(tái)灣建造一個(gè)“海外總部”，因?yàn)橛ミ_(dá)CEO黃仁勛希望兌現(xiàn)他對(duì)當(dāng)?shù)貑T工的承諾，即擁有一個(gè)專(zhuān)門(mén)的設(shè)施。

發(fā)表于：2024/12/24

我國(guó)建成1200余家先進(jìn)級(jí)智能工廠和230余家卓越級(jí)智能工廠

12 月 24 日消息，據(jù)我國(guó)工業(yè)和信息化部公布，我國(guó)現(xiàn)已建成 1200 余家先進(jìn)級(jí)智能工廠和 230 余家卓越級(jí)智能工廠，當(dāng)前我國(guó)累計(jì)發(fā)布 469 項(xiàng)智能制造國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、50 項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，6500 余家智能制造系統(tǒng)解決方案供應(yīng)商服務(wù)范圍涵蓋全部制造業(yè)領(lǐng)域。

發(fā)表于：2024/12/24

博通CEO表示目前對(duì)收購(gòu)Intel沒(méi)有興趣

博通CEO：目前對(duì)收購(gòu)Intel沒(méi)有興趣

發(fā)表于：2024/12/24

韓國(guó)學(xué)術(shù)界呼吁效仿臺(tái)積電成立KSMC

12月23日消息，據(jù)媒體報(bào)道，韓國(guó)國(guó)家工程院（NAEK）近日在首爾舉行的研討會(huì)上，討論了效仿臺(tái)積電成立韓國(guó)半導(dǎo)體制造公司（KSMC）的計(jì)劃。專(zhuān)家估計(jì)，到2045年，對(duì)KSMC的20萬(wàn)億韓元投資，可產(chǎn)生300萬(wàn)億韓元的經(jīng)濟(jì)效益。韓國(guó)擁有三星電子和SK海力士這兩家尖端存儲(chǔ)芯片的制造商，但在芯片代工領(lǐng)域，尤其是與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)中，三星的進(jìn)展并不順利。

發(fā)表于：2024/12/24

美對(duì)華成熟制程芯片發(fā)起301調(diào)查

當(dāng)?shù)貢r(shí)間12月23日，美國(guó)拜登政府通過(guò)白宮官網(wǎng)宣布，已要求美國(guó)貿(mào)易代表辦公室發(fā)起301條款調(diào)查，以審查中國(guó)將基礎(chǔ)半導(dǎo)體（也稱(chēng)為傳統(tǒng)或成熟制程芯片）作為主導(dǎo)地位的目標(biāo)以及對(duì)美國(guó)經(jīng)濟(jì)的影響。

發(fā)表于：2024/12/24

2025半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增速將超10%

12月23日消息，綜合多家研究機(jī)構(gòu)的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)來(lái)看，2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值有望將維持兩位數(shù)百分比的同比增長(zhǎng)。不過(guò)，隨著美國(guó)新一屆總統(tǒng)特朗普即將上任，地緣政治不確定性恐將升高，并為全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)添增變數(shù)。

發(fā)表于：2024/12/24

5G確定性工業(yè)基站首次商用

近日，在“無(wú)線通算智融合技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)攻關(guān)及基站研制”央企聯(lián)合體、浙江中心5G-A實(shí)驗(yàn)室的支持下，中國(guó)移動(dòng)溫州分公司聯(lián)手華為在溫州煙草配送中心成功開(kāi)通浙江省內(nèi)首個(gè)5G確定性工業(yè)基站，滿(mǎn)足客戶(hù)業(yè)務(wù)場(chǎng)景對(duì)時(shí)延可靠性20ms@99.99%的需求，并在物流穿梭運(yùn)輸產(chǎn)線上完成5*24小時(shí)穩(wěn)定性測(cè)試。這一創(chuàng)新性成果標(biāo)志著5G工業(yè)應(yīng)用邁出了關(guān)鍵一步，為工業(yè)自動(dòng)化、智能化發(fā)展提供強(qiáng)有力的技術(shù)支撐，有望推動(dòng)更多工廠向星級(jí)工廠邁進(jìn)。

發(fā)表于：2024/12/24

二極管/三極管/場(chǎng)效應(yīng)管完整測(cè)試方案設(shè)計(jì)及選擇

二極管/三極管/場(chǎng)效應(yīng)管完整測(cè)試方案設(shè)計(jì)及選擇

發(fā)表于：2024/12/23

場(chǎng)效應(yīng)管的重要參數(shù)介紹

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的重要參數(shù)包括： 1.最大漏源電壓（VDSmax）：場(chǎng)效應(yīng)管漏極和源極之間能夠承受的最大電壓。 2.最大漏極電流（IDmax）：場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的最大漏極電流，超過(guò)此值可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞。 3.最大柵源電壓（VGSmax）：場(chǎng)效應(yīng)管柵極和源極之間能夠承受的最大電壓。 4.閾值電壓（Vth）：使場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)始導(dǎo)電的最小柵源電壓。

發(fā)表于：2024/12/23

場(chǎng)效應(yīng)管的主要類(lèi)型介紹

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET）是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，它利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流。場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。由于它僅靠極少量電流即可工作，因此非常適用于功率電路中作放大用；此外，這種電子元件還有較高的輸入阻抗和輸出電阻，因而也適用于信號(hào)處理、高頻振蕩和調(diào)制等電路中作輸入級(jí)或輸出級(jí)。

發(fā)表于：2024/12/23

三極管的重要參數(shù)介紹

三極管（晶體管）是電子電路中常用的半導(dǎo)體器件，它有多種類(lèi)型，如雙極型晶體管（BJT）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。不同類(lèi)型的三極管有不同的參數(shù)，但以下是一些重要的通用參數(shù)：

發(fā)表于：2024/12/23

三極管的主要類(lèi)型介紹

半導(dǎo)體三極管，也被稱(chēng)為雙極型晶體管或晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件它的主要功能是將微弱的電信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，同時(shí)也被用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。

發(fā)表于：2024/12/23

二極管的重要參數(shù)介紹

二極管的重要參數(shù)包括額定峰值反向電壓（VR）、額定直流正向電流（IF）、最大導(dǎo)通電流（IFM）、靜態(tài)電阻（RS）、正向壓降（VF）、動(dòng)態(tài)電阻（rd）、反向漏電流（IR）、反向恢復(fù)時(shí)間（trr）、反向恢復(fù)電荷（Qrr）和熱阻（Rth）等。??

發(fā)表于：2024/12/23

二極管的主要類(lèi)型介紹

二極管是一種具有兩個(gè)電極的電子器件，其主要功能是允許電流在一個(gè)方向上通過(guò)，而在另一個(gè)方向上則阻止電流通過(guò)，這種特性被稱(chēng)為單向?qū)щ娦浴? 具體來(lái)說(shuō)，二極管由兩個(gè)主要部分構(gòu)成：一個(gè)是P型半導(dǎo)體，另一個(gè)是N型半導(dǎo)體，它們的交界處形成PN結(jié)。

發(fā)表于：2024/12/23

北電數(shù)智構(gòu)建首個(gè)國(guó)產(chǎn)算力PoC平臺(tái) 助力國(guó)產(chǎn)算力場(chǎng)景化應(yīng)用

　　近日，2024中國(guó)企業(yè)家博鰲論壇-2024數(shù)字科技創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)盛大舉行，共話(huà)AI行業(yè)發(fā)展。北京電?數(shù)智科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“北電數(shù)智”）董事長(zhǎng)荊磊發(fā)表《打造“AI工廠”，建設(shè)數(shù)字中國(guó)》主題演講，梳理了當(dāng)前我國(guó)AI行業(yè)發(fā)展所面臨的挑戰(zhàn)，并分享北電數(shù)智的解題思路和實(shí)踐路徑。

發(fā)表于：2024/12/23