工業(yè)自動(dòng)化最新文章 高通考慮收購(gòu)英國(guó)半導(dǎo)體公司Alphawave 4月2日消息，高通公司通過(guò)官網(wǎng)宣布，收購(gòu)越南人工智能（AI）新創(chuàng)企業(yè)——MovianAI 人工智能應(yīng)用與研究股份公司 (簡(jiǎn)稱(chēng)“MovianAI”)，該公司前身是 VinAI 應(yīng)用與研究股份公司 (VinAI) 的生成式人工智能部門(mén)，是 Vingroup 生態(tài)系統(tǒng)的一部分。 發(fā)表于：4/3/2025 TCL華星成功將LGD廣州8.5代線及模組廠收入囊中 108億元，TCL華星成功將LGD廣州8.5代線及模組廠收入囊中 4月1日，LG Display（LGD，樂(lè)金顯示）廣州8.5代線及模組工廠正式交割至TCL華星，并改名為T(mén)11。至此，TCL華星將擁有2條6代、4條8.5代、1條8.6代和2條10.5代LCD產(chǎn)線。 發(fā)表于：4/3/2025 龍芯中科宣布2K3000暨龍芯3B6000M成功完成流片 4月3日消息，龍芯中科官方宣布，近日，龍芯2K3000暨龍芯3B6000M成功完成流片，目前已完成初步功能和性能摸底，各項(xiàng)指標(biāo)符合預(yù)期。 龍芯2K3000、龍芯3B6000M是基于相同硅片的不同封裝版本，分別面向工控應(yīng)用領(lǐng)域、移動(dòng)終端領(lǐng)域。 發(fā)表于：4/3/2025 晶圓代工巨頭先進(jìn)工藝制程進(jìn)度一覽 4月3日消息，日前舉辦的Vision 2025大會(huì)上，Intel正式宣布18A工藝制程技術(shù)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段。預(yù)計(jì)今年下半年首發(fā)該工藝的Panther Lake處理器將進(jìn)行大批量生產(chǎn)。 發(fā)表于：4/3/2025 消息稱(chēng)SK海力士封裝廠產(chǎn)線升級(jí) HBM月產(chǎn)能新增1萬(wàn)片晶圓 4 月 2 日消息，韓媒 ET News 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 1 日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，SK 海力士已在 3 月末完成了其位于韓國(guó)京畿道利川市的 M10F 工廠的產(chǎn)線改造，該廠從此前負(fù)責(zé)一般 DRAM 產(chǎn)品的后端處理調(diào)整為封裝高附加值、高需求的 HBM 內(nèi)存。 消息人士稱(chēng) SK 海力士為利川 M10F 工廠引進(jìn)和更換了新項(xiàng)目所需的工藝設(shè)備和原材料，并獲得了消防部門(mén)更新的安全許可，該工廠 HBM 封裝產(chǎn)線已于 3 月底開(kāi)始批量生產(chǎn)。 發(fā)表于：4/3/2025 Rapidus 2027年量產(chǎn)2nm芯片仍面臨三大挑戰(zhàn) 近日，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布，已決定向本土半導(dǎo)體制造商Rapidus再追加8025億日元投資，使得政府援助總額將達(dá)到1.7萬(wàn)億日元，以支持Rapidus實(shí)現(xiàn)2027年在日本量產(chǎn)2nm芯片的目標(biāo)。 發(fā)表于：4/3/2025 創(chuàng)意電子完成全球首款HBM4 IP于臺(tái)積電N3P制程投片 4月2日，先進(jìn)ASIC廠商創(chuàng)意電子宣布成功完成HBM4控制器與實(shí)體層（PHY）半導(dǎo)體IP的投片。該芯片采用臺(tái)積電最先進(jìn)的N3P制程技術(shù)，并結(jié)合CoWoS-R先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)。 發(fā)表于：4/3/2025 復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)全球首顆二維半導(dǎo)體芯片 2日深夜，復(fù)旦大學(xué)宣布，復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室周鵬、包文中聯(lián)合團(tuán)隊(duì)成功研制全球首款基于二維半導(dǎo)體材料的32位RISC-V架構(gòu)微處理器“無(wú)極（WUJI）”，中國(guó)二維半導(dǎo)體芯片取得里程碑式突破。 發(fā)表于：4/3/2025 英特爾18A先進(jìn)制程已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段 4 月 2 日消息，英特爾高級(jí)副總裁、英特爾代工部門(mén)負(fù)責(zé)人 Kevin O'Buckley 在英特爾 Vision 2025 活動(dòng)上宣布，根據(jù)已向客戶交付的硬件，英特爾代工目前最為先進(jìn)的 Intel 18A 邏輯制程已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)（IT之家注：Risk Production）階段。 發(fā)表于：4/2/2025 日本芯片制造商Rapidus計(jì)劃2025財(cái)年內(nèi)發(fā)布2nm制程PDK 4 月 1 日消息，日本芯片制造商 Rapidus 今日表示，該企業(yè)計(jì)劃在本月內(nèi)基于已安裝的前端設(shè)備啟動(dòng)中試線，實(shí)現(xiàn) EUV 機(jī)臺(tái)的啟用并繼續(xù)引入其它設(shè)備，推進(jìn) 2nm GAA 先進(jìn)制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)。 發(fā)表于：4/2/2025 意法半導(dǎo)體推出完整的低壓高功率電機(jī)控制參考設(shè)計(jì) 2025 年 4 月 2 日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體的 EVLSERVO1伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)是一個(gè)尺寸緊湊的大功率電機(jī)控制解決方案，為設(shè)計(jì)人員探索創(chuàng)新、開(kāi)發(fā)應(yīng)用和設(shè)計(jì)產(chǎn)品原型提供了一個(gè)完整的無(wú)縫銜接的開(kāi)發(fā)平臺(tái)。 發(fā)表于：4/2/2025 臺(tái)積電美國(guó)廠全部量產(chǎn)后營(yíng)收占比將達(dá)三分之一 4月1日消息，據(jù)英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道，根據(jù)分析師的估算，晶圓代工大廠臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州的所有晶圓廠完工后，僅會(huì)占該公司2030年代初總營(yíng)收的約三分之一，遠(yuǎn)低于其中國(guó)臺(tái)灣晶圓廠的營(yíng)收占比。 發(fā)表于：4/2/2025 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議 2025年4月1日，中國(guó)蘇州 — 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 （STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科（香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項(xiàng)氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議 發(fā)表于：4/2/2025 業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電將在2027年開(kāi)始1.4nm工藝的風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn) 4月2日消息，如今的臺(tái)積電，真是把新的制程工藝變得似乎易如反掌！ 早在今年初，就有報(bào)道陳，臺(tái)積電2nm工藝試產(chǎn)進(jìn)度遠(yuǎn)超預(yù)期，樂(lè)觀預(yù)計(jì)位于新竹寶山、高雄的兩座旗艦級(jí)工廠可在年底每月產(chǎn)出8萬(wàn)塊晶圓。 發(fā)表于：4/2/2025 PTS845 輕觸開(kāi)關(guān)系列使用壽命延長(zhǎng)至百萬(wàn)次滿足高使用率應(yīng)用 2025年4月1日訊，伊利諾伊州羅斯蒙特市—Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全世界提供動(dòng)力。公司日前宣布C&K Switches PTS845系列側(cè)面操作輕觸開(kāi)關(guān)的耐用性現(xiàn)已得到提升 發(fā)表于：4/2/2025 ?…30313233343536373839…?
