亚洲av无码乱码麻豆精品国产,狼友在线无码免费视频,99国内小视频

三星完成400層NAND Flash開(kāi)發(fā)

12月9日消息，根據(jù)韓國(guó)媒體BusinessKorea報(bào)道稱，三星電子在其半導(dǎo)體研究所中已經(jīng)成功完成了突破性400層堆疊NAND Flash閃存技術(shù)的開(kāi)發(fā)。同時(shí)，三星也自上個(gè)月開(kāi)始，將這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)轉(zhuǎn)移到其平澤園區(qū)一號(hào)工廠中大規(guī)模生產(chǎn)線。而這一重要的里程碑的達(dá)成，將使得三星處于NAND Flash技術(shù)的領(lǐng)先位置，將有望領(lǐng)先已經(jīng)宣布計(jì)劃量產(chǎn)321層NAND Flash的SK海力士。

發(fā)表于：2024/12/10

英偉達(dá)是否會(huì)成為第二個(gè)Qorvo

英偉達(dá)是否會(huì)成為第二個(gè)Qorvo？美國(guó)5G射頻芯片公司虧損，是美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈第一個(gè)倒下骨牌！

發(fā)表于：2024/12/10

意法半導(dǎo)體和ENGIE在馬來(lái)西亞簽訂可再生能源發(fā)電供電長(zhǎng)期協(xié)議

中國(guó) – 2024年12月9日--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于11月7日宣布與BKH Solar Sdn Bhd太陽(yáng)能發(fā)電公司簽訂為期21年的購(gòu)電協(xié)議(PPA)。BKH Solar Sdn Bhd是全球著名的低碳能源服務(wù)公司ENGIE Renewable SEA Pte Ltd (ENGIE) 和馬來(lái)西亞迅速崛起的太陽(yáng)能開(kāi)發(fā)商Conextone energy Sdn Bhd的合資公司。

發(fā)表于：2024/12/10

鼎龍股份ArF及KrF光刻膠分別獲兩家國(guó)產(chǎn)晶圓廠訂單

12月9日晚間，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料廠商鼎龍股份發(fā)布公告稱，公司旗下的某款浸沒(méi)式 ArF 晶圓光刻膠及某款 KrF 晶圓光刻膠產(chǎn)品前后順利通過(guò)客戶驗(yàn)證，并于近期分別收到共兩家國(guó)內(nèi)主流晶圓廠客戶的訂單，合計(jì)采購(gòu)金額超百萬(wàn)元人民幣。

發(fā)表于：2024/12/10

國(guó)內(nèi)最大規(guī)模超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)天衍-504正式發(fā)布

12月7日消息，據(jù)國(guó)盾量子官方介紹，在近日的2024數(shù)字科技生態(tài)大會(huì)主論壇上，全國(guó)單臺(tái)比特?cái)?shù)最多的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)——“天衍-504”正式發(fā)布。在中國(guó)科學(xué)院量子信息與量子科技創(chuàng)新研究院的指導(dǎo)下，中電信量子聯(lián)合國(guó)盾量子，基于“驍鴻”芯片，研發(fā)出國(guó)內(nèi)單臺(tái)比特?cái)?shù)最多的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)“天衍-504”。

發(fā)表于：2024/12/9

英特爾臨時(shí)聯(lián)席CEO證實(shí)不會(huì)放棄晶圓代工業(yè)務(wù)

12月6日消息，近日英特爾宣布原CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）正式退休，卸任董事會(huì)職務(wù)，同時(shí)任命David Zinsner和Michelle（MJ）Johnston Holthauus為公司臨時(shí)聯(lián)席CEO。而針對(duì)基辛格的突然退休離職，外界也擔(dān)憂其所推動(dòng)的IDM 2.0戰(zhàn)略是否能夠繼續(xù)執(zhí)行下去，特別是晶圓代工業(yè)務(wù)是否會(huì)放棄？

發(fā)表于：2024/12/9

imec為0.7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)推出雙排CFET架構(gòu)

12月7日，比利時(shí)微電子研究中心（imec）通過(guò)官網(wǎng)宣布，在近日的2024年IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上，其展示了一種基于 CFET 的新標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)，其中包含兩排 CFET，中間有一個(gè)共享的信號(hào)路由墻。根據(jù) imec 的設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）研究，這種雙排 CFET 架構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)化了流程，并顯著減少了邏輯和 SRAM 單元面積。與傳統(tǒng)的單排 CFET 相比，新架構(gòu)允許標(biāo)準(zhǔn)電池高度從 4T 降低到 3.5T。

發(fā)表于：2024/12/9

Arm CEO評(píng)英特爾困局難題

12 月 7 日消息，在接受科技媒體 The Verge 采訪時(shí)，Arm 首席執(zhí)行官雷內(nèi)?哈斯（Rene Haas）對(duì)英特爾現(xiàn)狀及未來(lái)走向發(fā)表了看法。哈斯表示，英特爾作為一家創(chuàng)新巨頭，其目前的處境令人惋惜，他肯定了英特爾曾經(jīng)的創(chuàng)新實(shí)力，但也指出，科技行業(yè)必須不斷創(chuàng)新，否則就面臨被淘汰的風(fēng)險(xiǎn)。哈斯認(rèn)為，英特爾最大的難題在于如何整合垂直整合模式（IDM）和無(wú)廠化模式（Fabless），而過(guò)去十年間，英特爾一直在兩種模式之間搖擺不定。

發(fā)表于：2024/12/9

成熟制程晶圓代工價(jià)格戰(zhàn)愈演愈烈

12月9日消息，據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道稱，由于目前晶圓代工成熟制程供過(guò)于求，中國(guó)大陸晶圓代工廠為填補(bǔ)產(chǎn)能，近期祭出大幅折扣搶單，其中12英寸代工價(jià)只有臺(tái)系晶圓代工廠的6折，8英寸代工價(jià)也再將20%-30%，引發(fā)臺(tái)系芯片設(shè)計(jì)廠商紛紛轉(zhuǎn)至大陸投片，沖擊到了聯(lián)電和世界先進(jìn)等臺(tái)系成熟制程晶圓代工廠。

發(fā)表于：2024/12/9

英特爾展示互連微縮技術(shù)突破性進(jìn)展

12月8日消息，在近日的IEDM 2024（2024年IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議）上，英特爾代工展示了多項(xiàng)技術(shù)突破，助力推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)在下一個(gè)十年及更長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展。

發(fā)表于：2024/12/9

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)聲明回應(yīng)借殼萬(wàn)潤(rùn)科技上市傳聞

針對(duì)近期有媒體炒作國(guó)產(chǎn)NAND Flash芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)將“借殼上市”一事，12月9日晚間23:20分，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式發(fā)布聲明進(jìn)行了辟謠。

發(fā)表于：2024/12/9

英飛凌推出新型EiceDRIVER? Power全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器系列

【2024年12月6日, 德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動(dòng)器電源的EiceDRIVER? Power 2EP1xxR全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器系列。2EP1xxR系列擴(kuò)大了英飛凌功率器件產(chǎn)品陣容，為設(shè)計(jì)人員提供了隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電源解決方案。

發(fā)表于：2024/12/9

消息稱臺(tái)積電2nm芯片生產(chǎn)良率達(dá)60%以上

在半導(dǎo)體行業(yè)中，“良率”（Yield）是一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)，指的是從一片硅晶圓中切割出的可用芯片通過(guò)質(zhì)量檢測(cè)的比例。如果晶圓廠的良率較低，制造相同數(shù)量的芯片就需要更多的晶圓，這會(huì)推高成本、降低利潤(rùn)率，并可能導(dǎo)致供應(yīng)短缺。據(jù)外媒 phonearena 透露，臺(tái)積電計(jì)劃明年開(kāi)始量產(chǎn) 2 納米芯片，目前該公司已在位于新竹的臺(tái)積電工廠進(jìn)行試產(chǎn)，結(jié)果顯示其 2nm 制程的良率已達(dá)到 60% 以上。這一數(shù)據(jù)還有較大提升空間，外媒稱，通常相應(yīng)芯片良率需要達(dá)到 70% 或更高才能進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段。以目前 60% 的試產(chǎn)良率，臺(tái)積電明年才能令其 2nm 工藝進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段。

發(fā)表于：2024/12/9

2024年10月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額達(dá)569億美元

12月6日消息，據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）最新公布數(shù)據(jù)顯示，今年10月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額達(dá)569億美元，較9月增長(zhǎng)2.8%，再創(chuàng)新高，較去年同期增長(zhǎng)22.1%。

發(fā)表于：2024/12/6

Intel 18A制程SRAM密度曝光

12月5日消息，根據(jù)英特爾計(jì)劃將在2025年量產(chǎn)其最新的Intel 18A制程，而臺(tái)積電也將在2025年下半年量產(chǎn)N2（2nm）制程，這兩種制程工藝都將會(huì)采用全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管架構(gòu)，同時(shí)Intel 18A還將率先采用背面供電技術(shù)，那么究竟誰(shuí)更具優(yōu)勢(shì)呢？

發(fā)表于：2024/12/6