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臺積電新核準(zhǔn)超200美元資本預(yù)算建設(shè)先進(jìn)制程等產(chǎn)能

8月12日，晶圓代工大廠臺積電董事會核準(zhǔn)206.575億美元資本預(yù)算，建置先進(jìn)制程、先進(jìn)封裝、成熟制程或特殊制程產(chǎn)能，以及廠房興建及廠務(wù)設(shè)施工程。

發(fā)表于：2025/8/13

緊湊高效，重構(gòu)中功率測試價值標(biāo)桿

2025年8月，ITECH艾德克斯正式發(fā)布全新IT-EC7800系列可編程交/直流電源，定位2kVA~15kVA中功率測試區(qū)間，主打“高密度、高性價比、高適配性”，為電力電子、新能源、工控、教育等行業(yè)提供更實用、更優(yōu)的測試新選擇。

發(fā)表于：2025/8/13

ITECH重磅發(fā)布IT2705直流電源分析儀

隨著測試需求不斷升級，多設(shè)備協(xié)同測試已成為常態(tài)，但隨之面臨的是接線繁瑣、設(shè)備不同步、操控復(fù)雜及測試效率低下等一系列問題。為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，8月1日，ITECH艾德克斯正式發(fā)布全新模塊化產(chǎn)品——IT2705直流電源分析儀，面向研發(fā)驗證與產(chǎn)線集成測試場景，為半導(dǎo)體IC、電池、汽車電子、DC-DC電源模塊以及低功耗等行業(yè)帶來集成化、高效率的測試新體驗。

發(fā)表于：2025/8/13

三大電子代工大廠加碼投資美國

隨著特朗普與各國及地區(qū)的關(guān)稅政策的逐步落實，迫使越來越多的半導(dǎo)體及IT制造商赴美國建廠。 8月12日，電子代工大廠仁寶在公布二季度業(yè)績的同時，宣布對美國增資3億美元，以應(yīng)對當(dāng)?shù)貙τ诜?wù)器需求的增長。同時，廣達(dá)宣布1.7億美元增資美國田納西州納許維爾子公司，持續(xù)擴(kuò)大美國AI服務(wù)器投資。緯創(chuàng)也宣布授予美國子公司不超過6,250萬美元額度內(nèi)，進(jìn)行美國達(dá)拉斯Eagle廠建筑物改良。這三大代工廠此次合計增資美國超5.3億美元！

發(fā)表于：2025/8/13

國臺辦回應(yīng)美方芯片關(guān)稅和臺積電赴美投資

國臺辦今日上午舉行例行新聞發(fā)布會。記者：美國總統(tǒng)特朗普日前受訪稱，將對半導(dǎo)體等進(jìn)口商品征收100%關(guān)稅。并稱臺積電將在美投資3000億美元，在亞利桑那州建立全世界最大晶圓廠。對此有何評論？國臺辦發(fā)言人朱鳳蓮：此前，臺積電被迫宣布在美加碼投資1000億美元時，已使島內(nèi)業(yè)界恐慌、民怨沸騰。此次3000億美元投資一旦落地，勢必對臺灣經(jīng)濟(jì)造成巨大影響，臺灣經(jīng)濟(jì)的發(fā)展動能和自主性將被進(jìn)一步削弱。如果說美國是掏空臺灣產(chǎn)業(yè)的始作俑者，那么民進(jìn)黨當(dāng)局就是最大的幫兇。他們在關(guān)稅談判上“未談先跪”、“打左臉?biāo)陀夷槨?，對談判過程諱莫如深，甚至對民眾一騙再騙；在產(chǎn)業(yè)上對美國予取予求，主動奉送臺積電，任其榨干臺灣優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)價值，充分說明民進(jìn)黨當(dāng)局根本無心也無力維護(hù)臺灣經(jīng)濟(jì)發(fā)展和民眾福祉。奉勸民進(jìn)黨當(dāng)局在“媚美賣臺”的邪路上及時懸崖勒馬，臺灣民眾和各界有識之士應(yīng)當(dāng)團(tuán)結(jié)起來，積極維護(hù)自身利益。

發(fā)表于：2025/8/13

中穎電子否認(rèn)國產(chǎn)光刻機(jī)廠商借殼上市傳聞

近日，對于市場傳聞稱中穎電子可能作為殼資源，吸收合并國產(chǎn)光刻機(jī)廠商——上海微電子上市一事，中穎電子在投資者互動平臺回復(fù)時表示：“不清楚傳聞來源，請以公司公告為準(zhǔn)。當(dāng)前只會考慮IC設(shè)計公司。

發(fā)表于：2025/8/13

消息稱三星正研發(fā)超大面板級先進(jìn)封裝SoP

8 月 12 日消息，隨著單體芯片大小觸及光罩尺寸限制，現(xiàn)代超高性能芯片越來越依賴先進(jìn)封裝實現(xiàn)多個功能裸晶的聚合。而對于超大規(guī)模芯片系統(tǒng)而言，300mm 直徑的 12 英寸晶圓 (Wafer) 也終將無法滿足大規(guī)模高效率量產(chǎn)的需求，以更大面積的面板 (Panel) 作為“舞臺”的下一代先進(jìn)封裝正在蓬勃發(fā)展。

發(fā)表于：2025/8/13

業(yè)內(nèi)首款采用DO-214AB封裝、額定浪涌電流為2kA的保護(hù)晶閘管

伊利諾伊州羅斯蒙特，2025年8月12日—Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出Pxxx0S3H SIDACtor®保護(hù)晶閘管系列，該系列是業(yè)內(nèi)首款采用DO-214AB（SMC）封裝的2kA浪涌保護(hù)器件。

發(fā)表于：2025/8/13

英特爾風(fēng)波折射美國芯片業(yè)焦慮

英特爾衰落與美國制造 8月11日，美國總統(tǒng)特朗普在社交平臺發(fā)帖稱，已與英特爾首席執(zhí)行官陳立武會面，“這次會面非常有趣。他的成功和崛起令人驚嘆。”陳立武將與內(nèi)閣成員深入交流，并就美國政府如何與英特爾合作以應(yīng)對其虧損的芯片制造業(yè)務(wù)提出建議方案。英特爾也在一份聲明中說，“今日早些時候，陳先生與特朗普總統(tǒng)會面，就英特爾致力于加強美國技術(shù)和制造業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位進(jìn)行了坦誠和建設(shè)性的討論。”

發(fā)表于：2025/8/13

臺積電決定兩年內(nèi)逐步退出6英寸晶圓制造

8 月 12 日消息，臺積電今日召開了新一期的董事會。該企業(yè)表示為優(yōu)化組織運作與精進(jìn)營運效能，經(jīng)完整評估，決定在未來 2 年內(nèi)逐步退出 6 英寸晶圓制造業(yè)務(wù)，并持續(xù)整并 8 英寸晶圓產(chǎn)能，以提升營運效益。

發(fā)表于：2025/8/13

SEMI報告顯示HBM滲透率達(dá)25%將引領(lǐng)硅晶圓將供不應(yīng)求

8月12日消息，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）近日發(fā)布最新預(yù)測報告指出，隨著人工智能熱潮的持續(xù)，硅晶圓（半導(dǎo)體硅片）出貨量卻增長緩慢，隨著高帶寬內(nèi)存（HBM）在整個DRAM市場當(dāng)中的占比達(dá)到25%，預(yù)計將使得硅晶圓供不應(yīng)求。

發(fā)表于：2025/8/13

DigiKey榮獲Sensirion全球卓越分銷獎

DigiKey是全球領(lǐng)先的電子元器件和自動化產(chǎn)品分銷商，DigiKey 榮獲了 Sensirion頒發(fā)的“2025 年度卓越分銷獎 --高水平服務(wù)類別”。DigiKey 憑借全球客戶數(shù)量及營收增長指標(biāo)而獲此殊榮。

發(fā)表于：2025/8/12

5G-Advanced通感融合空口技術(shù)方案增強研究報告發(fā)布

通信感知融合作為移動通信演進(jìn)的重要方向之一，通過賦予網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)環(huán)境感知能力，賦能構(gòu)建智慧交通、低空經(jīng)濟(jì)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等場景的數(shù)字化底座。隨著全球5G網(wǎng)絡(luò)加速部署及6G研發(fā)推進(jìn)，通感一體化技術(shù)已成為提升頻譜效率、降低組網(wǎng)成本、拓展垂直行業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵突破口。 IMT-2020（5G）推進(jìn)組通信感知融合任務(wù)組（以下簡稱5G通感任務(wù)組）目前完成《5G-Advanced通感融合空口技術(shù)方案增強研究報告》并發(fā)布。

發(fā)表于：2025/8/12

英偉達(dá)發(fā)布全新Omniverse庫和Cosmos AI模型及AI計算基礎(chǔ)設(shè)施

在本周一的 SIGGRAPH 大會上，英偉達(dá)推出了一系列面向機(jī)器人開發(fā)者的全新世界 AI 模型、庫及其他基礎(chǔ)設(shè)施。

發(fā)表于：2025/8/12

2027年北京亦莊將可量產(chǎn)萬臺具身智能機(jī)器人

發(fā)表于：2025/8/12