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臺(tái)積電升級(jí)CoWoS封裝技術(shù) 目標(biāo)1000W功耗巨型芯片

4月25日消息，如今的高端計(jì)算芯片越來(lái)越龐大，臺(tái)積電也在想盡辦法應(yīng)對(duì)，如今正在深入推進(jìn)CoWoS封裝技術(shù)，號(hào)稱可以打造面積接近8000平方毫米、功耗1000W級(jí)別的巨型芯片，而性能可比標(biāo)準(zhǔn)處理器高出足足40倍。目前，臺(tái)積電CoWoS封裝芯片的中介層面積最大可以做到2831平方毫米，是臺(tái)積電光罩尺寸極限的大約3.3倍——EUV極紫外光刻下的光罩最大可以做到858平方毫米，臺(tái)積電用的是830平方毫米。 NVIDIA B200、AMD MI300X等芯片，用的都是這種封裝，將大型計(jì)算模塊和多個(gè)HBM內(nèi)存芯片整合在一起。

發(fā)表于：4/27/2025

我國(guó)首臺(tái)套商品化國(guó)產(chǎn)串列加速器研制成功

4 月 26 日消息，中國(guó)原子能科學(xué)研究院今日宣布，該院為哈爾濱工程大學(xué)研制的串列加速器系統(tǒng)通過(guò)驗(yàn)收，包括國(guó)內(nèi)首臺(tái)套 2×1.7MV 串列加速器和 2×3MV 串列加速器研制，具有完全的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。據(jù)官方介紹稱，這是國(guó)內(nèi)首臺(tái)套商品化串列加速器，標(biāo)志著我國(guó)在串列加速器高端儀器設(shè)備制造領(lǐng)域取得重大突破，實(shí)現(xiàn)串列加速器的完全自主可控。

發(fā)表于：4/27/2025

臺(tái)積電公布N2 2nm缺陷率

4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺(tái)積電首次公開(kāi)了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺(tái)積電沒(méi)有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個(gè)工藝缺陷率隨時(shí)間變化的趨勢(shì)。

發(fā)表于：4/27/2025

臺(tái)積電A14第二代GAA工藝解讀

A14 工藝：技術(shù)亮點(diǎn)深度剖析1、晶體管技術(shù)升級(jí)：從 FinFET 到 GAAFET

發(fā)表于：4/27/2025

可重復(fù)使用的長(zhǎng)征九號(hào)火箭計(jì)劃2030年首飛

4月26日消息，據(jù)央視報(bào)道，我國(guó)航天領(lǐng)域正緊鑼密鼓地開(kāi)展新一代重型運(yùn)載火箭長(zhǎng)征九號(hào)的研制工作。資料顯示，長(zhǎng)征九號(hào)作為我國(guó)航天技術(shù)的集大成者，其各項(xiàng)參數(shù)令人矚目。它的芯級(jí)最大直徑達(dá)到10米級(jí)，整體總長(zhǎng)約百米，起飛質(zhì)量超過(guò)4000噸。其近地軌道（LEO）運(yùn)載能力140噸，地月轉(zhuǎn)移軌道（LTO）運(yùn)載能力約50噸，運(yùn)力與美國(guó)土星5號(hào)運(yùn)載火箭相似。有了長(zhǎng)征九號(hào)，完全可以滿足未來(lái)載人月球探測(cè)、火星取樣返回、太陽(yáng)系行星探測(cè)等多種深空探測(cè)任務(wù)需求。此外，可重復(fù)使用的長(zhǎng)征九號(hào)也在進(jìn)一步規(guī)劃，采用梯度迭代方案，穩(wěn)步推進(jìn)。其中，一級(jí)重復(fù)使用構(gòu)型計(jì)劃2030年首飛，而兩級(jí)完全重復(fù)使用構(gòu)型計(jì)劃2033至2035年首飛。

發(fā)表于：4/27/2025

傳Intel 18A制程將獲英偉達(dá)博通等廠商訂單

4月25日消息，據(jù)外媒wccftech報(bào)道，英特爾即將量產(chǎn)的最尖端制程工藝Intel 18A在獲得內(nèi)部產(chǎn)品采用的同時(shí)，也將獲得包括英偉達(dá)(Nvidia)、博通(Broadcom)在內(nèi)的幾家ASIC廠商的代工訂單。

發(fā)表于：4/25/2025

清華團(tuán)隊(duì)研制出世界最小最輕無(wú)線陸空兩棲機(jī)器人

據(jù)新華社北京電，驅(qū)動(dòng)器是一種具有可控變形能力的器件，也是微型機(jī)器人的“心臟”。清華大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)最新研制出一種薄膜狀的微型驅(qū)動(dòng)器，可像“變形金剛”一般讓微型機(jī)器人實(shí)現(xiàn)連續(xù)形狀變化且“鎖定”其特定動(dòng)作形態(tài)，提升其環(huán)境適應(yīng)能力。

發(fā)表于：4/25/2025

傳中國(guó)對(duì)部分美國(guó)芯片免征關(guān)稅：存儲(chǔ)功能的除外

中美關(guān)稅大戰(zhàn)還在硝煙彌漫，尤其是在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域，不過(guò)今天有曝料稱，中國(guó)海關(guān)已經(jīng)發(fā)出內(nèi)部通知，對(duì)部分美國(guó)產(chǎn)的芯片免征關(guān)稅。

發(fā)表于：4/25/2025

突發(fā)！美國(guó)再將5家中企列入“黑名單”

2025 年 4 月 24 日，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）修訂了《出口管制條例》（EAR），在“未經(jīng)核實(shí)清單” （UVL）中增加 5個(gè)中國(guó)實(shí)體，BIS還在未經(jīng)核實(shí)清單” （UVL）中移除了3個(gè)中國(guó)實(shí)體。

發(fā)表于：4/25/2025

貿(mào)澤電子蟬聯(lián)2024年度華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商獎(jiǎng)

2025年4月24日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)宣布榮膺“2024年度華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商”大獎(jiǎng)。在人工智能、5G通信及物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)重塑產(chǎn)業(yè)格局的背景下，貿(mào)澤電子以前瞻性產(chǎn)業(yè)洞察、穩(wěn)健的全球化供應(yīng)鏈體系以及數(shù)字化運(yùn)營(yíng)效能，持續(xù)為工程師和采購(gòu)輸送前沿技術(shù)與創(chuàng)新解決方案，滿足客戶創(chuàng)新研發(fā)設(shè)計(jì)需求，受到專業(yè)評(píng)審團(tuán)和廣大業(yè)界人士的贊譽(yù)，再度蟬聯(lián)該獎(jiǎng)項(xiàng)。

發(fā)表于：4/24/2025

意法半導(dǎo)體智能功率開(kāi)關(guān)：緊湊、高效、穩(wěn)健

2025 年 4 月 3 日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體的IPS4140HQ和 IPS4140HQ-1是兩款功能豐富的四通道智能功率開(kāi)關(guān)，采用8mm x 6mm緊湊封裝，每通道RDS(on)導(dǎo)通電阻80mΩ (最大值)，工作電源電壓10.5V-36V，還配備各種診斷保護(hù)功能。

發(fā)表于：4/24/2025

國(guó)產(chǎn)簡(jiǎn)易音量調(diào)節(jié)芯片納祥科技NX6805 可代替DSP部分功能

NX6805 是納祥科技的一款采用 CMOS 工藝技術(shù)制造，配合 NX68051專業(yè)解碼可實(shí)現(xiàn)音量調(diào)節(jié)控制的電路，如音量 + 、音量- 、靜音。 NX6805是一款低噪聲的電子音量控制器，內(nèi)置低電壓、低功率的雙通道運(yùn)算放大器。支持外接觸控芯片和數(shù)字編碼器來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)，并可代替DSP部分功能。

發(fā)表于：4/24/2025

傳統(tǒng)晶體管的極限臺(tái)積電3nm N3P已量產(chǎn) N3X馬上來(lái)

4月24日消息，除了發(fā)展N2、A16、A14等采用GAAFET全環(huán)繞晶體管的全新工藝，臺(tái)積電還在持續(xù)挖掘傳統(tǒng)FinFET立體晶體管的極限，最后一代用它的N3系列工藝節(jié)點(diǎn)仍在不斷演進(jìn)。

發(fā)表于：4/24/2025

《芯片戰(zhàn)爭(zhēng)》作者發(fā)聲：美國(guó)半導(dǎo)體關(guān)稅將得不償失

4月23日消息，針對(duì)美國(guó)特朗普政府在發(fā)起全球關(guān)稅戰(zhàn)之后，還將計(jì)劃對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)加征關(guān)稅一事，《芯片戰(zhàn)爭(zhēng)》作者（Chip War）作者米勒（Chris Miller）近日在《金融時(shí)報(bào)》發(fā)文表示，美國(guó)此舉的本意可能是加強(qiáng)美國(guó)制造，但實(shí)際的效果可能適得其反，可能還會(huì)加劇企業(yè)在海外制造，建議應(yīng)與日本、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣和歐洲合作建立全球芯片產(chǎn)業(yè)，讓半導(dǎo)體的生產(chǎn)既可靠、又具效率。

發(fā)表于：4/24/2025

臺(tái)積電發(fā)布SoW-X晶圓尺寸封裝系統(tǒng)

4 月 24 日消息，臺(tái)積電 2025 年北美技術(shù)論壇不僅公布了最先進(jìn)的 A14制程，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域也有多項(xiàng)重要信息公布。

發(fā)表于：4/24/2025