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除和碩外的全部臺系電子代工廠啟動美國制造

4月29日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，電子代工大廠英業(yè)達也宣布加入了“美國制造”行列。而在此之前，鴻海、廣達、緯創(chuàng)、緯穎、仁寶等臺系電子代工大廠均已投入“美國制造”，隨著英業(yè)達也宣布在德克薩斯州建廠，臺系主要電子代工廠當(dāng)中，僅剩和碩未有宣布在美國布局。 4月28日，英業(yè)達董事會批準(zhǔn)，擬斥資上限8,500萬美元，在美國德克薩斯州設(shè)立服務(wù)器制造基地。此舉有望降低特朗普政府關(guān)稅戰(zhàn)干擾，助力后續(xù)營運。

發(fā)表于：4/29/2025

iPhone 2700個零部件中僅30家供應(yīng)商完全在中國境外運營

為了應(yīng)對美國政府關(guān)稅問題，蘋果公司目前正試圖將更多iPhone生產(chǎn)從中國大陸轉(zhuǎn)移到印度。但是，在此期間，該公司似乎沒有想過將iPhone制造業(yè)引入美國，不是因為它不想這樣做，而是因為這會適得其反，會導(dǎo)致本地批量生產(chǎn)的任何產(chǎn)品的價格都會大幅增加。 4月28日消息，據(jù)《金融時報》對 iPhone 的組件進行了詳細分析發(fā)現(xiàn)，蘋果最新型號的iPhone中有著驚人的 2,700 個部件。其中大多數(shù)在拆解中不會被識別出來，因為我們看到的一個部件實際上有幾十個單獨的部件組成。

發(fā)表于：4/29/2025

三星計劃三年內(nèi)量產(chǎn)V-DRAM

4月28日消息，據(jù)韓國媒體 sedaily 報導(dǎo)，三星電子已確定將在三年內(nèi)量產(chǎn)被稱為次世代內(nèi)存的“垂直信道晶體管（VCT）DRAM”的藍圖。外界解讀，三星有意比競爭對手SK海力士更早一個世代成功量產(chǎn)，以挽回“超級差距”的地位。

發(fā)表于：4/29/2025

中國臺灣出臺新規(guī)：限制臺積電最先進工藝技術(shù)出口！

4月28日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，中國臺灣計劃加強對先進工藝技術(shù)出口和半導(dǎo)體對外投資的控制。新的產(chǎn)創(chuàng)條例第22條已經(jīng)獲得了正式通過，針對臺積電赴美投資將執(zhí)行“N-1”技術(shù)限制，基本上禁止臺積電出口其最新的生產(chǎn)節(jié)點，并對違規(guī)行為進行處罰。不過，該新規(guī)的具體實施日期尚未公布。

發(fā)表于：4/29/2025

意法半導(dǎo)體推出內(nèi)置邊緣AI的超低功耗工業(yè)級加速度計

2025 年 4 月 27 日，中國——意法半導(dǎo)體的工業(yè)級MEMS加速度計IIS2DULPX具有機器學(xué)習(xí)功能，省電節(jié)能，耐高溫，有助于提高傳感器集成度，讓數(shù)據(jù)驅(qū)動的操作決策變得更智能，適用于資產(chǎn)跟蹤、機器人和工廠自動化，以及工業(yè)安全設(shè)備和醫(yī)療保健設(shè)備。

發(fā)表于：4/28/2025

聯(lián)電稱與英特爾合作開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)明年通過驗證

近日，晶圓代工大廠聯(lián)電2024年度營運報告書出爐。其中提到，與英特爾合作開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)平臺進展順利，預(yù)計2026年完成制程開發(fā)并通過驗證。聯(lián)電還披露了封裝領(lǐng)域進展，晶圓級混合鍵合技術(shù)、3D IC異質(zhì)整合等技術(shù)已成功開發(fā)，未來將全面支持邊緣及云端AI應(yīng)用。

發(fā)表于：4/28/2025

TechInsights：中美關(guān)稅戰(zhàn)將致2026年全球半導(dǎo)體市場萎縮34%

當(dāng)?shù)貢r間4月26日，半導(dǎo)體市場研究機構(gòu) TechInsights 發(fā)表它對目前美國和中國之間持續(xù)存在的“關(guān)稅戰(zhàn)爭”對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的負面影響的看法。

發(fā)表于：4/28/2025

佳能下調(diào)2025年光刻機銷量至289臺

4月24日日本股市盤后，相機及光刻機大廠佳能（Canon）在公布了2025年一季度（2025年1-3月）財報的同時，下修了2025年度的整體業(yè)績預(yù)期。佳能一季度合并營收較去年同期增長7.1%至10584億日元，合并營業(yè)利潤同比增長20.5%至965億日元，合并凈利潤同比增長20.5%至722億日元。

發(fā)表于：4/28/2025

數(shù)字華夏發(fā)布全球首款雙形態(tài)人形機器人星行俠P01

4 月 28 日消息，數(shù)字華夏今日官宣推出“全球首款雙形態(tài)人形機器人”，數(shù)字華夏 IP 系列開山之作 —— 星行俠 P01 正式發(fā)布。

發(fā)表于：4/28/2025

韓國國寶級半導(dǎo)體專家第1、2號人物相繼赴中國任職

在國際科技競爭日益激烈的背景下，近年來中國以優(yōu)厚待遇和良好的科研環(huán)境不斷引進海外頂尖科學(xué)家，而韓國對此顯得力不從心。韓國“國家學(xué)者”第1、2號人物相繼赴中國任職，他們在半導(dǎo)體、電池、量子等尖端技術(shù)的基礎(chǔ)研究領(lǐng)域均享有世界公認的專業(yè)地位。據(jù)韓國《中央日報》4月24日報道，韓國產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界稱，在下一代半導(dǎo)體與電池技術(shù)中備受關(guān)注的碳納米管領(lǐng)域的國際知名專家、韓國成均館大學(xué)教授李永熙，現(xiàn)已確認被中國湖北工業(yè)大學(xué)全職聘請，領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體與量子研究所。雖然他曾擔(dān)任韓國基礎(chǔ)科學(xué)研究院集成納米結(jié)構(gòu)物理中心主任，但退休后因未能在韓國找到穩(wěn)定的研究崗位而選擇來中國。理論物理學(xué)家、韓國高等研究院前副院長李淇明也有類似經(jīng)歷。去年，他退休后選擇來到中國的北京雁棲湖應(yīng)用數(shù)學(xué)研究院任職。

發(fā)表于：4/27/2025

Gartner：2024年全球半導(dǎo)體收入增長21%

根據(jù)Gartner的最終統(tǒng)計結(jié)果，2024年全球半導(dǎo)體總收入為6559億美元，較2023年的5421億美元增長了21%。同時，英偉達超越了三星電子和英特爾，首次躍居首位。 Gartner研究副總裁Gaurav Gupta表示：“前十大半導(dǎo)體廠商收入排名變動的主要原因在于強勁的AI基礎(chǔ)設(shè)施需求以及73.4%的內(nèi)存收入增長。英偉達之所以能夠躍至首位，主要在于其獨立圖形處理單元（GPU）需求顯著增長，GPU已成為數(shù)據(jù)中心AI工作負載的首選?！? Gupta表示：“供需失衡引起價格大幅反彈，三星電子的DRAM和閃存收入增長，得以繼續(xù)保持在第二位。英特爾2024年的半導(dǎo)體收入僅增長了0.8%，原因在于其主要產(chǎn)品線面臨的競爭威脅正在加劇，而且英特爾未能把握AI處理需求強勁增長這一機遇。”2023-2024年全球排名前十半導(dǎo)體廠商收入（單位：百萬美元）

發(fā)表于：4/27/2025

臺積電升級CoWoS封裝技術(shù) 目標(biāo)1000W功耗巨型芯片

4月25日消息，如今的高端計算芯片越來越龐大，臺積電也在想盡辦法應(yīng)對，如今正在深入推進CoWoS封裝技術(shù)，號稱可以打造面積接近8000平方毫米、功耗1000W級別的巨型芯片，而性能可比標(biāo)準(zhǔn)處理器高出足足40倍。目前，臺積電CoWoS封裝芯片的中介層面積最大可以做到2831平方毫米，是臺積電光罩尺寸極限的大約3.3倍——EUV極紫外光刻下的光罩最大可以做到858平方毫米，臺積電用的是830平方毫米。 NVIDIA B200、AMD MI300X等芯片，用的都是這種封裝，將大型計算模塊和多個HBM內(nèi)存芯片整合在一起。

發(fā)表于：4/27/2025

我國首臺套商品化國產(chǎn)串列加速器研制成功

4 月 26 日消息，中國原子能科學(xué)研究院今日宣布，該院為哈爾濱工程大學(xué)研制的串列加速器系統(tǒng)通過驗收，包括國內(nèi)首臺套 2×1.7MV 串列加速器和 2×3MV 串列加速器研制，具有完全的自主知識產(chǎn)權(quán)。據(jù)官方介紹稱，這是國內(nèi)首臺套商品化串列加速器，標(biāo)志著我國在串列加速器高端儀器設(shè)備制造領(lǐng)域取得重大突破，實現(xiàn)串列加速器的完全自主可控。

發(fā)表于：4/27/2025

臺積電公布N2 2nm缺陷率

4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。

發(fā)表于：4/27/2025

臺積電A14第二代GAA工藝解讀

A14 工藝：技術(shù)亮點深度剖析1、晶體管技術(shù)升級：從 FinFET 到 GAAFET

發(fā)表于：4/27/2025