1月18日消息，據(jù)“中核集團”公眾號發(fā)文，由中核集團中國原子能科學(xué)研究院自主研制的我國首臺串列型高能氫離子注入機（POWER-750H）已成功實現(xiàn)出束，其核心指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平。

這標(biāo)志著我國全面掌握了該型設(shè)備的全鏈路研發(fā)技術(shù)，攻克了功率半導(dǎo)體制造鏈上的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為推進(jìn)高端制造裝備自主可控、保障產(chǎn)業(yè)鏈安全奠定了堅實基礎(chǔ)。

離子注入機與光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設(shè)備并稱為芯片制造“四大核心裝備”，是半導(dǎo)體制造中不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備。長期以來，我國高能氫離子注入機完全依賴進(jìn)口，由于研發(fā)難度大、技術(shù)壁壘高，成為制約我國戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸之一。

原子能院依托在核物理加速器領(lǐng)域數(shù)十年的技術(shù)積累，以串列加速器技術(shù)為核心，攻克了一系列難題，實現(xiàn)了從底層原理到整機集成的完全正向設(shè)計能力，成功打破了國外在該領(lǐng)域的技術(shù)封鎖與長期壟斷。

此次高能氫離子注入機的研制成功，是核技術(shù)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度融合的重要成果，將有力提升我國在功率半導(dǎo)體等關(guān)鍵領(lǐng)域的自主保障能力，并為助力實現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)、加快形成新質(zhì)生產(chǎn)力提供堅實的技術(shù)支撐。