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芯片制造核心装备 我国首台串列型高能氢离子注入机成功出束

地位堪比光刻机!
2026-01-19
來(lái)源:快科技

1月18日消息,據(jù)“中核集團(tuán)”公眾號(hào)發(fā)文,由中核集團(tuán)中國(guó)原子能科學(xué)研究院自主研制的我國(guó)首臺(tái)串列型高能氫離子注入機(jī)POWER-750H)已成功實(shí)現(xiàn)出束,其核心指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

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這標(biāo)志著我國(guó)全面掌握了該型設(shè)備的全鏈路研發(fā)技術(shù),攻克了功率半導(dǎo)體制造鏈上的關(guān)鍵環(huán)節(jié),為推進(jìn)高端制造裝備自主可控、保障產(chǎn)業(yè)鏈安全奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

離子注入機(jī)與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備并稱為芯片制造“四大核心裝備”,是半導(dǎo)體制造中不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備。長(zhǎng)期以來(lái),我國(guó)高能氫離子注入機(jī)完全依賴進(jìn)口,由于研發(fā)難度大、技術(shù)壁壘高,成為制約我國(guó)戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸之一。

原子能院依托在核物理加速器領(lǐng)域數(shù)十年的技術(shù)積累,以串列加速器技術(shù)為核心,攻克了一系列難題,實(shí)現(xiàn)了從底層原理到整機(jī)集成的完全正向設(shè)計(jì)能力,成功打破了國(guó)外在該領(lǐng)域的技術(shù)封鎖與長(zhǎng)期壟斷。

此次高能氫離子注入機(jī)的研制成功,是核技術(shù)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度融合的重要成果,將有力提升我國(guó)在功率半導(dǎo)體等關(guān)鍵領(lǐng)域的自主保障能力,并為助力實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)、加快形成新質(zhì)生產(chǎn)力提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐。


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