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【回顧與展望】益萊儲(chǔ)：租賃賦能客戶創(chuàng)新蝶變

【編者按】2024年，全球科技產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，持續(xù)推動(dòng)社會(huì)進(jìn)步。這股浪潮深刻影響企業(yè)運(yùn)營(yíng)，隨著各行業(yè)對(duì)測(cè)試測(cè)量設(shè)備需求的不斷增加，租賃市場(chǎng)也相應(yīng)擴(kuò)大…… 在2025年，租賃模式在行業(yè)中的重要性是否更加值得期待？日前，益萊儲(chǔ)亞太區(qū)高級(jí)副總裁潘海夢(mèng)介紹了益萊儲(chǔ)對(duì)于2025年的展望和公司的未來(lái)發(fā)展戰(zhàn)略。

發(fā)表于：2025/1/22

【回顧與展望】瑞薩電子：持續(xù)投入研發(fā)以穿越半導(dǎo)體周期

2024年，半導(dǎo)體市場(chǎng)在AI、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子和汽車電子等領(lǐng)域的推動(dòng)下，實(shí)現(xiàn)了顯著復(fù)蘇和快速增長(zhǎng)，但各個(gè)細(xì)分行業(yè)發(fā)展并不均衡…… 在2025年，半導(dǎo)體市場(chǎng)能否全面繼續(xù)保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，汽車半導(dǎo)體、工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子等哪些細(xì)分領(lǐng)域更值得期待？日前，瑞薩電子全球銷售與市場(chǎng)副總裁、瑞薩電子中國(guó)總裁賴長(zhǎng)青介紹了瑞薩電子對(duì)于2025年的展望和公司的未來(lái)發(fā)展戰(zhàn)略。

發(fā)表于：2025/1/22

中國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功

1 月 22 日消息，功率器件是實(shí)現(xiàn)電能變換和控制的核心，被譽(yù)為電力電子系統(tǒng)的心臟，是最為基礎(chǔ)、最為廣泛應(yīng)用的器件之一。中國(guó)科學(xué)院微電子研究所昨日宣布，該院劉新宇、湯益丹團(tuán)隊(duì)和中國(guó)科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊(duì)等開(kāi)展合作，共同研制出首款國(guó)產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅 (SiC) 功率器件及其電源系統(tǒng)，已搭乘天舟八號(hào)貨運(yùn)飛船并成功通過(guò)太空第一階段驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)其在電源系統(tǒng)中的在軌應(yīng)用。案，牽引空間電源系統(tǒng)的升級(jí)換代。

發(fā)表于：2025/1/22

Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相

Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相，在日試產(chǎn)4月啟動(dòng)

發(fā)表于：2025/1/22

消息稱三星將從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM

1 月 21 日消息，韓媒 ETNews 今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子內(nèi)部為應(yīng)對(duì)其 12nm 級(jí) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重困局，已在 2024 年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有 1b nm 工藝的同時(shí)從頭設(shè)計(jì)新版 1b nm DRAM。據(jù)悉該新版 12nm 級(jí) DRAM 工藝項(xiàng)目名為 D1B-P（IT之家注：P 為 Prime 的簡(jiǎn)寫(xiě)），專注改進(jìn)能效和散熱表現(xiàn)，這與三星此前的第六代 V-NAND 改進(jìn)版制程 V6P 采用了相同的命名邏輯。

發(fā)表于：2025/1/22

韓國(guó)系統(tǒng)半導(dǎo)體市占率今年將跌至2%

1月21日消息，據(jù)Businesskorea報(bào)道，韓國(guó)下一代智能半導(dǎo)體專案小組的研究報(bào)告顯示，韓國(guó)在全球系統(tǒng)半導(dǎo)體營(yíng)收市占率將從2023年的2.3%，下降至2025年的2%，預(yù)計(jì)到2027年將進(jìn)一步下降到1.6%。

發(fā)表于：2025/1/22

電力物聯(lián)網(wǎng)下終端密鑰全生命周期安全管理方案

針對(duì)電力物聯(lián)網(wǎng)下的終端規(guī)?；尤爰敖K端通信安全問(wèn)題，提出了一種電力物聯(lián)網(wǎng)下終端密鑰全生命周期安全管理方案。首先，方案基于國(guó)密算法采用兩級(jí)密鑰分發(fā)架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了電力終端在不同階段的安全接入認(rèn)證；其次，方案基于邏輯密鑰層次結(jié)構(gòu)采用組密鑰管理模式，實(shí)現(xiàn)了對(duì)單播和廣播數(shù)據(jù)的輕量級(jí)加密，保障電力終端的通信安全；另外，方案按照密鑰用途不同采取不同的存儲(chǔ)和訪問(wèn)管理策略，實(shí)現(xiàn)了終端密鑰的混合式存儲(chǔ)和管理，縮短終端密鑰的訪問(wèn)時(shí)間。通過(guò)性能分析可知，相較于傳統(tǒng)的接入認(rèn)證和基于邏輯密鑰層次結(jié)構(gòu)的密鑰管理方案，所提方案優(yōu)化了終端計(jì)算量，減少了計(jì)算開(kāi)銷，簡(jiǎn)化了密鑰更新過(guò)程，相較于常規(guī)終端密鑰的存儲(chǔ)和管理方式，所提方案在不改變現(xiàn)有硬件平臺(tái)的基礎(chǔ)上提升了密鑰訪問(wèn)性能。

發(fā)表于：2025/1/21

數(shù)字化F-P前端的仿真驗(yàn)證

提出一種基于差分電容原理的新型數(shù)字化F-P濾波器電路控制系統(tǒng)，并基于FPGA對(duì)該系統(tǒng)進(jìn)行了理論分析以及硬件驗(yàn)證，驗(yàn)證結(jié)果表明該系統(tǒng)避免了現(xiàn)有F-P濾光器模擬電路控制系統(tǒng)的系統(tǒng)時(shí)間穩(wěn)定性差的問(wèn)題，具有極高的抗干擾能力，為高穩(wěn)定無(wú)漂移的F-P控制系統(tǒng)提供了新思路。

發(fā)表于：2025/1/21

超大規(guī)模復(fù)雜嵌入式系統(tǒng)智能電源健康管理方案的研究與實(shí)現(xiàn)

隨著嵌入式系統(tǒng)朝著多元化的方向發(fā)展，以及技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用需求的不斷增長(zhǎng)，嵌入式系統(tǒng)的硬件平臺(tái)也呈現(xiàn)出多元化的發(fā)展趨勢(shì)。從最初的簡(jiǎn)單處理器，到現(xiàn)在的多核處理器、FPGA、ASIC等，嵌入式系統(tǒng)的硬件平臺(tái)越來(lái)越復(fù)雜。電源完整性面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，伴隨著嵌入式系統(tǒng)的電源通道越來(lái)越多、功耗急劇增加、上電時(shí)序要求苛刻和復(fù)位信號(hào)分類復(fù)雜，智能數(shù)字電源健康管理單元顯得越來(lái)越重要?；赥I公司的數(shù)字電源上電順序控制電路UCD9090、數(shù)字PWM系統(tǒng)控制電路UCD9244實(shí)現(xiàn)14路電源上電順序控制、電壓監(jiān)控、溫度監(jiān)控、復(fù)位信號(hào)及配置信號(hào)的控制。此方案與傳統(tǒng)智能數(shù)字電源健康管理方案相比控制靈活、實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，且無(wú)需編寫(xiě)復(fù)雜代碼，其在系統(tǒng)中的應(yīng)用縮減了產(chǎn)品的上市時(shí)間。

發(fā)表于：2025/1/21

基于改進(jìn)YOLOv8的輕量化雜草識(shí)別算法研究

針對(duì)目前田間雜草識(shí)別模型精度低，以及參數(shù)多難以滿足在計(jì)算資源有限的移動(dòng)設(shè)備和嵌入式設(shè)備中部署的問(wèn)題，提出一種基于YOLOv8的輕量化田間雜草識(shí)別模型。該模型使用改進(jìn)后的PP-LCNet替代原有主干網(wǎng)絡(luò)，保證精度的前提下減少模型的計(jì)算量；其次引入Effcient-RepGFPN來(lái)作為頸部網(wǎng)絡(luò)，并將上采樣前的兩個(gè)CSPStage模塊使用RFAConv來(lái)替代，利用不同尺度的特征來(lái)提高目標(biāo)檢測(cè)的性能；最后，更換MPDIoU損失函數(shù)，增強(qiáng)了模型的收斂性和穩(wěn)定性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，改進(jìn)模型與原模型相比準(zhǔn)確率提升了2.1%，召回率提升了2.8%，mAP值提升了0.2%，同時(shí)模型的大小與計(jì)算量分別減少為原始模型的68.2%和62.6%，體現(xiàn)了改進(jìn)算法的有效性。

發(fā)表于：2025/1/21

基于自主創(chuàng)新的并行可切換控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)

我國(guó)持續(xù)推動(dòng)科技自立自強(qiáng)、技術(shù)自主創(chuàng)新。在工業(yè)控制領(lǐng)域，自主安全將成為未來(lái)一段時(shí)間的主旋律。在此背景下，提出了一種雙控制系統(tǒng)切換的工業(yè)控制系統(tǒng)核心控制器自主創(chuàng)新能力建設(shè)方案。系統(tǒng)選用了主流進(jìn)口PLC產(chǎn)品和全國(guó)產(chǎn)PLC產(chǎn)品，設(shè)計(jì)搭建了一套并行可切換的雙控制系統(tǒng)，對(duì)現(xiàn)場(chǎng)各類終端設(shè)備進(jìn)行信號(hào)采集與切換控制。通過(guò)對(duì)比兩套PLC控制系統(tǒng)的功能、性能，驗(yàn)證該方案能夠?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)PLC可達(dá)到進(jìn)口PLC同等技術(shù)水平、實(shí)現(xiàn)同等功能，且系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定、可靠。該方案在不破壞現(xiàn)有工控系統(tǒng)場(chǎng)景的情況下，以低成本的方式逐步進(jìn)行驗(yàn)證推廣，為工業(yè)控制系統(tǒng)核心控制器國(guó)產(chǎn)化提供技術(shù)支撐。

發(fā)表于：2025/1/21

消息稱三星電子已將1c nm內(nèi)存開(kāi)發(fā)良率里程碑推遲半年

1 月 21 日消息，韓媒 MoneyToday 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，三星電子已將其 1c nm DRAM 內(nèi)存開(kāi)發(fā)的良率里程碑時(shí)間從 2024 年底推遲至 2025 年 6 月，而這一變化可能會(huì)影響到三星對(duì) HBM4 內(nèi)存的規(guī)劃。

發(fā)表于：2025/1/21

全國(guó)首個(gè)異構(gòu)人形機(jī)器人訓(xùn)練場(chǎng)正式啟用

1 月 21 日消息，中國(guó)人形機(jī)器人發(fā)展突飛猛進(jìn)。國(guó)家地方共建人形機(jī)器人創(chuàng)新中心表示，今日上午，全國(guó)首個(gè)異構(gòu)人形機(jī)器人訓(xùn)練場(chǎng)在上海浦東正式啟用。未來(lái)，上海將重點(diǎn)推進(jìn)“1+N”虛實(shí)融合訓(xùn)練場(chǎng)建設(shè)、加速應(yīng)用落地、推動(dòng)人形機(jī)器人與大模型融合。此次啟用的訓(xùn)練場(chǎng)是“1+N”格局中的核心，首期部署超 100 臺(tái)異構(gòu)人形機(jī)器人，助力技術(shù)突破和應(yīng)用落地。

發(fā)表于：2025/1/21

GlobalFoundries宣布5.5億美元建硅光芯片封測(cè)中心

近日，美國(guó)晶圓代工大廠GlobalFoundries 宣布，它計(jì)劃在其位于美國(guó)紐約馬耳他的制造工廠內(nèi)建立一個(gè)基于硅光子技術(shù)的先進(jìn)封裝和芯片測(cè)試中心。 GlobalFoundries表示，在美國(guó)商務(wù)部和紐約州的資助支持下，這個(gè)史無(wú)前例的中心旨在使半導(dǎo)體能夠完全在美國(guó)陸上安全地制造、加工、封裝和測(cè)試，以滿足對(duì)格芯硅光子學(xué)和其他關(guān)鍵終端市場(chǎng)所需的基本芯片日益增長(zhǎng)的需求，包括人工智能、汽車、航空航天和國(guó)防以及通信。

發(fā)表于：2025/1/21

臺(tái)積電已經(jīng)拿到15億美元美國(guó)芯片法案補(bǔ)貼

1月21日消息，近日晶圓代工大廠臺(tái)積電首席財(cái)務(wù)官黃仁昭在接受美國(guó)媒體CNBC采訪時(shí)透露，臺(tái)積電已于2024年四季度獲得了美國(guó)政府15億美元的補(bǔ)貼款，并認(rèn)為新上臺(tái)的美國(guó)特朗普政府將繼續(xù)為臺(tái)積電在美投資計(jì)劃提供已經(jīng)敲定的補(bǔ)貼資金。

發(fā)表于：2025/1/21