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西門(mén)子推出面向半導(dǎo)體和PCB設(shè)計(jì)的全新EDA AI工具集

發(fā)表于：6/25/2025

谷歌DeepMind機(jī)器人AI模型實(shí)現(xiàn)本地化運(yùn)行

谷歌 DeepMind 今日發(fā)布博客文章，宣布推出一種全新的 Gemini Robotics On-Device 本地化機(jī)器人AI模型。該模型基于視覺(jué)-語(yǔ)言-動(dòng)作（VLA）架構(gòu)，無(wú)需云端支持即可實(shí)現(xiàn)實(shí)體機(jī)器人控制。核心特性包括：

發(fā)表于：6/25/2025

蔡司打造全鏈智聯(lián)解決方案解碼多元行業(yè)質(zhì)控路徑

在"質(zhì)量強(qiáng)國(guó)"戰(zhàn)略的引領(lǐng)下，中國(guó)工業(yè)正加速?gòu)闹圃煜蛑窃炫c質(zhì)造跨越式發(fā)展。工業(yè)質(zhì)量管控體系隨之迎來(lái)關(guān)鍵轉(zhuǎn)型，從局部?jī)?yōu)化邁向全域賦能，從單點(diǎn)突破轉(zhuǎn)向全鏈協(xié)同。

發(fā)表于：6/24/2025

意法半導(dǎo)體推出新款柵極驅(qū)動(dòng)器

2025 年 6 月 23 日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體推出新一代集成化柵極驅(qū)動(dòng)器STDRIVE102H和STDRIVE102BH，用于控制三相無(wú)刷電機(jī)，提高消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的性能、能效和經(jīng)濟(jì)性。

發(fā)表于：6/24/2025

英特爾再次因財(cái)務(wù)問(wèn)題推遲俄亥俄州晶圓廠

6月23日消息，據(jù)外媒 NBC4i 報(bào)道稱，由于財(cái)務(wù)問(wèn)題，英特爾已經(jīng)多次推遲了其在俄亥俄州晶圓廠（曾被稱為 Silicon Heartland）的建設(shè)和設(shè)備采購(gòu)，現(xiàn)在的量產(chǎn)時(shí)間表已經(jīng)推遲到了2031年，但這將使得英特爾的供應(yīng)商——美國(guó)電力（AEP）在俄亥俄州的變電站將持續(xù)閑置。

發(fā)表于：6/24/2025

曝三星1.4nm推遲至2028年

6月24日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星原定于今年第二季度動(dòng)工的1.4nm測(cè)試線建設(shè)計(jì)劃已被推遲，預(yù)計(jì)投資將延后至今年年底或最早明年上半年。

發(fā)表于：6/24/2025

富士通2nm CPU仍交由臺(tái)積電代工

6月24日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，日本富士通（Fujitsu）目前正研發(fā)2nm CPU “MONAKA”，預(yù)計(jì)將交由臺(tái)積電代工生產(chǎn)。不過(guò)，富士通也表示，日本初創(chuàng)晶圓代工企業(yè)Rapidus 對(duì)于確保供應(yīng)鏈穩(wěn)定性來(lái)說(shuō)非常有用。據(jù)了解，富士通Monaka是一款面向數(shù)據(jù)中心的處理器，采用基于臺(tái)積電的CoWoS-L封裝技術(shù)的博通3.5D XDSiP技術(shù)平臺(tái)，擁有36個(gè)計(jì)算小芯片。其中主要的CPU計(jì)算核心基于Armv9指令集，擁有144個(gè)CPU內(nèi)核，采用臺(tái)積電2nm制程制造，并使用混合銅鍵合（HCB）以面對(duì)面（F2F）方式堆疊在 SRAM tiles 上（本質(zhì)上是巨大的緩存）。SRAM tiles是基于臺(tái)積電的5nm工藝制造的。計(jì)算和緩存堆棧伴隨著一個(gè)相對(duì)巨大的 I/O 芯片，該芯片集成了內(nèi)存控制器、頂部帶有 CXL 3.0 的 PCIe 6.0 通道以連接加速器和擴(kuò)展器，以及人們期望從數(shù)據(jù)中心級(jí) CPU 獲得的其他接口。

發(fā)表于：6/24/2025

2026年約1/3手機(jī)芯片采用2nm/3nm先進(jìn)工藝

CounterPoint 預(yù)測(cè) 2026 年約 1/3 出貨手機(jī)芯片采用 2nm / 3nm 先進(jìn)工藝

發(fā)表于：6/24/2025

阿里云推出自動(dòng)駕駛模型加速框架PAI-TurboX

訓(xùn)練時(shí)間可縮短 50%，阿里云推出自動(dòng)駕駛模型加速框架 PAI-TurboX

發(fā)表于：6/24/2025

西門(mén)子宣布計(jì)劃在重慶建立創(chuàng)新研發(fā)中心

6 月 23 日消息，西門(mén)子中國(guó)今日發(fā)文，當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 月 19 日，重慶市委書(shū)記袁家軍與中國(guó)駐德國(guó)大使鄧洪波一行，到訪西門(mén)子總部（柏林），并與西門(mén)子董事會(huì)主席、總裁兼首席執(zhí)行官博樂(lè)（Roland Busch）、西門(mén)子中國(guó)董事長(zhǎng)、總裁兼首席執(zhí)行官肖松等管理層進(jìn)行會(huì)談。雙方圍繞中德產(chǎn)業(yè)共創(chuàng)共贏、西門(mén)子與重慶戰(zhàn)略合作深化、創(chuàng)新能力共建等話題進(jìn)行了深入交流。

發(fā)表于：6/24/2025

瑞薩電子因Wolfspeed破產(chǎn)將認(rèn)列2500億日元損失

由于碳化硅（SiC）材料大廠Wolfspeed 可能將在近期內(nèi)申請(qǐng)破產(chǎn)，6月23日，曾與Wolfspeed達(dá)成碳化硅供應(yīng)協(xié)議的瑞薩電子，已與 Wolfspeed及其主要債權(quán)人簽署重組支持協(xié)議（以下簡(jiǎn)稱“重組支持協(xié)議”），以對(duì) Wolfspeed 進(jìn)行財(cái)務(wù)重組。瑞薩預(yù)計(jì)將認(rèn)列2500億日元損失。

發(fā)表于：6/24/2025

中國(guó)科學(xué)院雙向高導(dǎo)熱石墨膜研究獲突破

中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所：雙向高導(dǎo)熱石墨膜研究獲突破，為 5G芯片、功率半導(dǎo)體熱管理提供技術(shù)支撐 6 月 23 日消息，近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所聯(lián)合寧波大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在《Advanced Functional Materials》發(fā)表研究，提出以芳綸膜為前驅(qū)體通過(guò)高溫石墨化工藝制備低缺陷、大晶粒、高取向的雙向高導(dǎo)熱石墨膜，在膜厚度達(dá)到 40 微米的情況下實(shí)現(xiàn)面內(nèi)熱導(dǎo)率 Kin 達(dá)到 1754W/m·K，面外熱導(dǎo)率 Kout 突破 14.2W/m·K。與傳統(tǒng)導(dǎo)熱膜相比，雙向高導(dǎo)熱石墨膜在面內(nèi)和面外熱導(dǎo)率及缺陷控制上均表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。

發(fā)表于：6/23/2025

英特爾公布18A工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)細(xì)節(jié)

6 月 22 日消息，英特爾在 2025 年超大規(guī)模集成電路技術(shù)與電路研討會(huì)（Symposium on VLSI Technology and Circuits）上披露下一代 Intel 18A 工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)細(xì)節(jié)。

發(fā)表于：6/23/2025

三星被曝芯病嚴(yán)重：偽造數(shù)據(jù)、掩蓋缺陷

6 月 19 日消息，據(jù)海外科技媒體 Rest of World 報(bào)道，三星電子的芯片工程師正在流失，由于長(zhǎng)時(shí)間工作、低工資和充滿敵意的工作文化，許多芯片員工紛紛跳槽，投奔包括美國(guó)公司在內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。剩下的員工不得不長(zhǎng)時(shí)間、高強(qiáng)度地輪班工作，以彌補(bǔ)空缺。

發(fā)表于：6/23/2025

傳聯(lián)電計(jì)劃收購(gòu)彩晶南科廠以發(fā)展先進(jìn)封裝

近日市場(chǎng)傳出消息稱，晶圓代工大廠聯(lián)電有意在南科收購(gòu)瀚宇彩晶廠房。對(duì)此，聯(lián)電響應(yīng)表示，對(duì)于市場(chǎng)傳言不予評(píng)論。不過(guò)針對(duì)未來(lái)在中國(guó)臺(tái)灣產(chǎn)能規(guī)劃，聯(lián)電指出，目前已在新加坡建置2.5D先進(jìn)封裝產(chǎn)能，并已將部分制程拉回中臺(tái)灣，不排除未來(lái)在臺(tái)擴(kuò)廠的可能。未來(lái)將依據(jù)業(yè)務(wù)發(fā)展與整體策略，搭配既有的晶圓對(duì)晶圓鍵合（Wafer to Wafer Bonding）技術(shù)，持續(xù)在臺(tái)灣推進(jìn)更完整的先進(jìn)封裝解決方案。聯(lián)電目前于南科設(shè)有Fab 12A廠，于2002年開(kāi)始量產(chǎn)，現(xiàn)已導(dǎo)入14nm制程，提供客戶高階定制化制造。據(jù)業(yè)界信息指出，聯(lián)電正洽談購(gòu)置Fab 12A廠對(duì)面的彩晶廠房，未來(lái)可能規(guī)劃用于發(fā)展先進(jìn)封裝產(chǎn)能。

發(fā)表于：6/23/2025