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基于K-means的異常識(shí)別方法

在工業(yè)、電力、交通等領(lǐng)域，異常往往是系統(tǒng)發(fā)生問(wèn)題或故障的先兆。通過(guò)異常識(shí)別技術(shù)，可以及時(shí)發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)異常行為，預(yù)防或迅速應(yīng)對(duì)潛在的故障，提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。當(dāng)前的異常識(shí)別算法通常需要引入專家信息（如適宜的參數(shù)值），但在許多識(shí)別場(chǎng)景中，數(shù)據(jù)分布以及異常發(fā)生原因是未知的，導(dǎo)致專家信息不可信。因此，如何設(shè)計(jì)一款無(wú)需專家信息介入的異常識(shí)別算法意義非凡。設(shè)計(jì)了一種自適應(yīng)的異常識(shí)別算法，通過(guò)K-means聚類算法識(shí)別出眾多小簇，然后統(tǒng)計(jì)各簇中對(duì)象數(shù)量的分布概率以生成概率分布圖。從概率分布圖中，可以清晰觀察到哪些簇中的對(duì)象數(shù)量明顯小于其他簇，從而將它們識(shí)別為異常簇，其中的對(duì)象識(shí)別為異常。換句話說(shuō)，概率分布圖代替了專家信息，可協(xié)助使用者在分布以及原因未知情況下識(shí)別有效異常。

發(fā)表于：5/15/2025

臺(tái)積電今年將在中國(guó)臺(tái)灣與海外擴(kuò)建9座工廠

5月15日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電院士、營(yíng)運(yùn)/先進(jìn)技術(shù)暨光罩工程副總經(jīng)理張宗生于5月15日在臺(tái)積電技術(shù)論壇中國(guó)臺(tái)灣專場(chǎng)上首次提到，臺(tái)積電今年將在中國(guó)臺(tái)灣與海外擴(kuò)建9個(gè)廠，其中包含8個(gè)晶圓廠以及1個(gè)先進(jìn)封裝廠。目前臺(tái)積電3nm量產(chǎn)已經(jīng)邁入第三年，張宗生指出，今年3nm產(chǎn)能預(yù)計(jì)年增加60%，2025年下半年將開始量產(chǎn)2nm。CoWoS持續(xù)擴(kuò)充，海外美國(guó)廠與日本廠加入量產(chǎn)良率和臺(tái)灣母廠相近。張宗生還提到，AI驅(qū)動(dòng)晶圓需求持續(xù)放大，臺(tái)積電產(chǎn)能也在持續(xù)擴(kuò)張。預(yù)計(jì)今年臺(tái)積電在中國(guó)臺(tái)灣與海外擴(kuò)建9個(gè)廠，包含八座晶圓廠以及一座先進(jìn)封裝廠。臺(tái)積電過(guò)去平均每年蓋5個(gè)廠，中國(guó)臺(tái)灣方面臺(tái)中Fab 25廠預(yù)計(jì)2028年量產(chǎn)2nm與更先進(jìn)技術(shù)，高雄預(yù)計(jì)建五座晶圓廠包含A16與更先進(jìn)制程技術(shù)。

發(fā)表于：5/15/2025

鴻海宣布進(jìn)軍AI ASIC芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域

5月15日消息，據(jù)媒體報(bào)道，全球電子制造巨頭鴻海集團(tuán)近日宣布重大戰(zhàn)略升級(jí)，正式進(jìn)軍AI ASIC芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域。集團(tuán)董事長(zhǎng)表示，這一布局旨在把握人工智能技術(shù)爆發(fā)的歷史性機(jī)遇，完善公司在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵拼圖。

發(fā)表于：5/15/2025

西門子EDA高管：業(yè)界首次流片成功率2024年已降至14%！

5月14日消息，據(jù)EEnews europe報(bào)道，西門子EDA（Siemens EDA）設(shè)計(jì)驗(yàn)證技術(shù)副總裁兼總經(jīng)理 Abhi Kolpekwar 表示，目前首次流片成功率（應(yīng)該指的是基于尖端制程工藝的芯片）正在下降，已經(jīng)從 2020 年的 32% 和2022 年的 24% 下降到 2024 年的 14%。

發(fā)表于：5/15/2025

《人形機(jī)器人標(biāo)準(zhǔn)體系框架》發(fā)布

5 月 14 日消息，為貫徹落實(shí)《國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展綱要》和《人形機(jī)器人創(chuàng)新發(fā)展指導(dǎo)意見》，在工業(yè)和信息化部的領(lǐng)導(dǎo)下，中國(guó)電子學(xué)會(huì)組織機(jī)器人企業(yè)、科研院所、高校等 120 余家單位，編制完成《人形機(jī)器人標(biāo)準(zhǔn)體系框架（V1.0 版）》（以下簡(jiǎn)稱《標(biāo)準(zhǔn)體系框架》），并于 4 月底舉辦的 " 人形機(jī)器人百人會(huì)會(huì)議暨人工智能賦能新型工業(yè)化深度行（無(wú)錫站）" 活動(dòng)上正式發(fā)布。《標(biāo)準(zhǔn)體系框架》從技術(shù)演進(jìn)應(yīng)用的角度提出了人形機(jī)器人標(biāo)準(zhǔn)體系的總體要求和建設(shè)思路，從基礎(chǔ)共性、關(guān)鍵技術(shù)、部組件、整機(jī)與系統(tǒng)、應(yīng)用等 5 個(gè)方面建立了全鏈條標(biāo)準(zhǔn)體系，并梳理了行業(yè)急需標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目清單。

發(fā)表于：5/15/2025

中國(guó)版ASML新凱來(lái)估值已達(dá)110億美元

5月14日消息，據(jù)路透社引述知情人士稱，與華為關(guān)系密切的中國(guó)芯片設(shè)備制造商新凱來(lái)(SiCarrier)正尋求首輪融資28億美元，希望拓展客戶群并提升行業(yè)影響力。資料顯示新凱來(lái)成立于2021年，由深圳市政府所有，目前主要被視為華為供應(yīng)商。消息人士稱，該公司的目標(biāo)是超越北方華創(chuàng)以及中微公司，成為中國(guó)本土芯片設(shè)備制造領(lǐng)域的龍頭。

發(fā)表于：5/15/2025

追光科技全球首條有機(jī)光伏模組量產(chǎn)線成功流片

5月14日消息，據(jù)媒體報(bào)道，廣州追光科技有限公司在黃埔區(qū)建設(shè)的全球首條650 x 550mm²有機(jī)光伏（OPV）模組量產(chǎn)線"星河一號(hào)"近日成功流片下線，標(biāo)志著我國(guó)在有機(jī)光伏領(lǐng)域取得重大突破，即將進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。這條完全自主創(chuàng)新的產(chǎn)線，從工藝設(shè)計(jì)、設(shè)備定制到系統(tǒng)集成均實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化突破，建立了包含清洗、涂布、激光、蒸鍍、封裝等核心工藝的完整技術(shù)體系。

發(fā)表于：5/15/2025

紫光集團(tuán)原董事長(zhǎng)趙偉國(guó)一審被判死緩

2018年至2021年，被告人趙偉國(guó)利用擔(dān)任紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)的職務(wù)便利，與特定關(guān)系人李祿媛共謀，由李祿媛實(shí)際控制的公司低價(jià)購(gòu)買原本應(yīng)當(dāng)由紫光集團(tuán)購(gòu)買的房產(chǎn)，獲取房產(chǎn)溢價(jià)利益，非法占有國(guó)有資產(chǎn)價(jià)值人民幣4.7億余元。2014年至2021年，趙偉國(guó)利用擔(dān)任紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)等職務(wù)便利，將本單位的盈利業(yè)務(wù)交由李祿媛等特定關(guān)系人經(jīng)營(yíng)，或者以明顯高于市場(chǎng)的價(jià)格向李祿媛經(jīng)營(yíng)管理的公司購(gòu)買代建管理服務(wù)，造成國(guó)家直接經(jīng)濟(jì)損失人民幣8.9億余元。

發(fā)表于：5/14/2025

基于SCA-PSO的支持向量回歸車輛尾氣傳感器溫濕度補(bǔ)償方法研究

氮氧化物和顆粒物是柴油機(jī)車尾氣排放的兩種主要污染物。利用車輛尾氣檢測(cè)裝置對(duì)柴油機(jī)車進(jìn)行尾氣排放監(jiān)控是治理城市空氣污染的一項(xiàng)有效措施。對(duì)于氮氧化物氣體傳感器而言，基于其檢測(cè)原理，溫度和濕度會(huì)對(duì)其檢測(cè)過(guò)程發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生較大影響，因此需要相應(yīng)的溫濕度補(bǔ)償方法來(lái)提升傳感器測(cè)量精度。為此，設(shè)計(jì)了一種車載式車輛尾氣檢測(cè)裝置，并提出了一種基于正余弦優(yōu)化算法（SCA）和改進(jìn)式粒子群優(yōu)化算法（PSO）的支持向量回歸（SVR）的傳感器溫濕度補(bǔ)償方法，通過(guò)傳感器實(shí)時(shí)檢測(cè)氮氧化物氣體和顆粒物濃度，并利用補(bǔ)償模型對(duì)傳感器檢測(cè)值進(jìn)行溫濕度補(bǔ)償。經(jīng)過(guò)測(cè)試數(shù)據(jù)訓(xùn)練和驗(yàn)證，補(bǔ)償模型可以有效降低由溫濕度造成的誤差，能夠滿足工程需求。

發(fā)表于：5/14/2025

一種可調(diào)電壓DC-DC電源無(wú)線智能測(cè)控系統(tǒng)設(shè)計(jì)

工業(yè)生產(chǎn)中有線通信方式通常受布線和傳輸距離的影響，給測(cè)控任務(wù)帶來(lái)諸多不便。特別是在一些高低溫、高噪聲和高電壓等不宜人員參與的環(huán)境中，有線數(shù)據(jù)傳輸方式很易受到干擾，同時(shí)需要人員不斷干預(yù)而存在安全隱患問(wèn)題。為了解決以上問(wèn)題，并結(jié)合系統(tǒng)設(shè)計(jì)自身特征，提出了基于“5G模塊+STM32+PC”的一種可調(diào)電壓DC-DC電源無(wú)線智能測(cè)控系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案，通過(guò)用戶端上位機(jī)智能測(cè)控軟件實(shí)現(xiàn)對(duì)遠(yuǎn)端設(shè)備的測(cè)控功能。該系統(tǒng)具有電源電壓測(cè)控、誤差智能補(bǔ)償、5G無(wú)線通信等功能。整個(gè)系統(tǒng)具有控制精度高、可靠性高的特點(diǎn)。

發(fā)表于：5/14/2025

集成電路卡數(shù)據(jù)完整性保護(hù)機(jī)制快速檢測(cè)方法

介紹了集成電路（Integrated Circuit，IC）卡數(shù)據(jù)完整性保護(hù)機(jī)制檢測(cè)方法，針對(duì)傳統(tǒng)單指令斷電檢測(cè)手段的局限性和不足提出二次斷電理論，用于檢測(cè)驗(yàn)證IC卡在執(zhí)行數(shù)據(jù)恢復(fù)過(guò)程中出現(xiàn)中斷的事務(wù)保護(hù)機(jī)制。采用時(shí)間統(tǒng)計(jì)法和功耗統(tǒng)計(jì)法兩種改進(jìn)方案，計(jì)算斷電測(cè)試有效時(shí)間區(qū)域，解決二次斷電檢測(cè)效率低下問(wèn)題。最后通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證數(shù)據(jù)完整性保護(hù)機(jī)制快速檢測(cè)方法的有效性。

發(fā)表于：5/14/2025

硅基GaN功率器件與驅(qū)動(dòng)集成設(shè)計(jì)

為滿足高頻電源模塊的應(yīng)用需求，設(shè)計(jì)了一款全GaN功率芯片。芯片集成了驅(qū)動(dòng)電路和300 V功率管，有效減少分立式封裝所帶來(lái)的寄生電感，集成化設(shè)計(jì)能夠提升芯片抗噪聲能力和可靠性。芯片在GaN-on-Si工藝平臺(tái)進(jìn)行制備，采用E/D模集成電路設(shè)計(jì)。該芯片的驅(qū)動(dòng)電路在2 MHz開關(guān)頻率下輸出信號(hào)上升時(shí)間為4.3 ns、下降時(shí)間為3.4 ns，芯片的功率管在300 V下能夠穩(wěn)定工作。

發(fā)表于：5/14/2025

一種雙向使能的負(fù)壓低壓差線性穩(wěn)壓器

設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種可以雙向使能的負(fù)壓低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）。首先介紹了傳統(tǒng)的負(fù)壓LDO基本架構(gòu)及工作特點(diǎn)，根據(jù)負(fù)壓LDO的應(yīng)用場(chǎng)景，提出負(fù)壓LDO的使能需要雙向使能。其次展示傳統(tǒng)的使能電路和提出的雙向使能電路，并按照正壓?jiǎn)?dòng)和負(fù)壓?jiǎn)?dòng)兩種情況分析。最后該負(fù)壓LDO芯片基于350 nm CMOS工藝設(shè)計(jì)制造，測(cè)試結(jié)果顯示，該負(fù)壓LDO在使能信號(hào)大于0.6 V小于5 V區(qū)間和大于-5 V小于-0.9 V區(qū)間內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)雙向啟動(dòng)，且使能電路在正壓?jiǎn)?dòng)過(guò)程中消耗電流873 nA，在負(fù)壓?jiǎn)?dòng)過(guò)程中消耗電流219 nA。

發(fā)表于：5/14/2025

一種應(yīng)用于電流檢測(cè)的低失調(diào)運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

針對(duì)電流檢測(cè)對(duì)運(yùn)算放大器性能的要求，提出一種新型低失調(diào)運(yùn)算放大器電路。采用低失調(diào)運(yùn)放、PMOS管和電阻構(gòu)成閉環(huán)電流采樣電路，整個(gè)運(yùn)放電路由主運(yùn)放和輔助運(yùn)放構(gòu)成，主運(yùn)放構(gòu)成的高頻通路控制電路帶寬，輔助放大器低頻通路利用斬波技術(shù)以及自調(diào)零技術(shù)降低電路失調(diào)?；跂|部高科180BCD工藝對(duì)電路進(jìn)行仿真，仿真結(jié)果表明，溫度為27 ℃，輸入失調(diào)電壓穩(wěn)定在9 μV，運(yùn)放增益為95.50 dB，增益帶寬積為28.2 MHz，相位裕度在76.6°以上，CMRR的值為148 dB，PSRR的值大于116 dB。該電路可用于高側(cè)電流檢測(cè)。

發(fā)表于：5/14/2025

基于芯粒的Flash FPGA驅(qū)動(dòng)測(cè)試技術(shù)

針對(duì)基于芯粒的Flash FPGA驅(qū)動(dòng)覆蓋率測(cè)試，利用Flash FPGA的系統(tǒng)控制寄存器與邊界掃描寄存器模塊，配置FPGA不同的驅(qū)動(dòng)模式，并通過(guò)傳統(tǒng)的單芯片F(xiàn)lash單元配置進(jìn)行對(duì)比驗(yàn)證。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，基于芯粒的Flash FPGA控制寄存器配置的驅(qū)動(dòng)性能與傳統(tǒng)的單芯片F(xiàn)lash單元配置一致，測(cè)試時(shí)間縮短到1/3。

發(fā)表于：5/14/2025