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三星電子公布HBM4E內(nèi)存規(guī)劃

2 月 24 日消息，據(jù)韓媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 國際固態(tài)電路會議現(xiàn)場的采訪，三星電子在本次會議上公布了其 HBM 內(nèi)存路線圖，分享了預(yù)設(shè)的性能參數(shù)目標(biāo)：

發(fā)表于：2025/2/25

臺積電日本子公司第二晶圓廠調(diào)整為今年內(nèi)動工

2 月 24 日消息，據(jù)日本熊本縣當(dāng)?shù)孛襟w《熊本日日新聞》當(dāng)?shù)貢r間 21 日報道，臺積電日本子公司 JASM 位于熊本縣的第二晶圓廠動工建設(shè)時間已從 2025 年一季度調(diào)整為 2025 年內(nèi)，不過該晶圓廠 2027 年投產(chǎn)的計劃沒有發(fā)生改變。

發(fā)表于：2025/2/25

英特爾首批兩臺ASML高數(shù)值孔徑光刻機(jī)已投產(chǎn)

2 月 25 日消息，英特爾公司于當(dāng)?shù)貢r間周一宣布，其工廠已開始使用 ASML 公司的首批兩臺先進(jìn)光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。早期數(shù)據(jù)顯示，這些新型光刻機(jī)的可靠性優(yōu)于舊款機(jī)型。

發(fā)表于：2025/2/25

CounterPoint：2024全球半導(dǎo)體收入同比增19%

2 月 25 日消息，市場調(diào)查機(jī)構(gòu) CounterPoint Research 昨日（2 月 24 日）發(fā)布博文，報道稱受 AI 需求激增推動，2024 年全球半導(dǎo)體收入預(yù)估達(dá)到 6210 億美元（注：當(dāng)前約 4.5 萬億元人民幣），同比增長 19%。內(nèi)存市場表現(xiàn)尤為突出，收入同比增長高達(dá) 64%，三星鞏固了市場領(lǐng)導(dǎo)地位。同時，邏輯芯片收入也實(shí)現(xiàn)了 11% 的同比增長。英偉達(dá)憑借在 AI 領(lǐng)域的優(yōu)勢，全年半導(dǎo)體收入更是實(shí)現(xiàn)了 50% 的同比增長。

發(fā)表于：2025/2/25

消息稱三星V10 NAND將使用長江存儲的混合鍵合專利

2 月 24 日消息，隨著存儲行業(yè)的激烈競爭，推動 NAND 技術(shù)不斷進(jìn)步，一個令人驚訝的消息出現(xiàn)了：據(jù)韓媒 ZDNet 今日報道，三星可能將使用中國長江存儲的混合鍵合專利，從其 V10（第 10 代）NAND 開始。報道稱，三星計劃于 2025 年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)其 V10 NAND，該產(chǎn)品預(yù)計將具有約 420 至 430 層。報道還提到，三星和 SK 海力士據(jù)說正在與長江存儲協(xié)商一項專利協(xié)議。

發(fā)表于：2025/2/25

三星電機(jī)已關(guān)停昆山工廠退出HDI業(yè)務(wù)

2 月 24 日消息，據(jù)韓聯(lián)社，三星電機(jī)今日發(fā)布的 2024 年審計報告顯示，三星已于去年底完成 15 年歷史的昆山三星電機(jī)有限公司清算工作，正式退出高密度互連（HDI）智能手機(jī)主板業(yè)務(wù)。國家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)的記錄也證實(shí)了這一變化，顯示昆山三星電機(jī)有限公司的企業(yè)狀態(tài)在去年 10 月 24 日由存續(xù)變更為注銷，注銷原因?yàn)闆Q議解散。

發(fā)表于：2025/2/25

RoboSense第100萬臺激光雷達(dá)下線并交付

2月21日，RoboSense速騰聚創(chuàng)在深圳舉辦第100萬臺激光雷達(dá)下線儀式，并于2月24日將這臺激光雷達(dá)正式交付予人形機(jī)器人（上海）有限公司（以下簡稱“人形機(jī)器人公司”）。這標(biāo)志著RoboSense速騰聚創(chuàng)成為全球首家達(dá)成百萬臺高線數(shù)激光雷達(dá)下線的企業(yè)。

發(fā)表于：2025/2/25

合見工軟成功實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)首個跨工藝UCIe IP互連

2025年2月24日——中國數(shù)字EDA龍頭企業(yè)上海合見工業(yè)軟件集團(tuán)有限公司（簡稱“合見工軟”）今日宣布，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)首個跨工藝節(jié)點(diǎn)的UCIe IP互連技術(shù)驗(yàn)證，在采用臺積電N6和三星SF5工藝制造的UCIe測試芯片之間成功完成互操作性測試，在Die-to-Die (D2D) 場景下支持高達(dá)24GT/s的數(shù)據(jù)傳輸，并進(jìn)一步突破實(shí)現(xiàn)了Chip-to-Chip (C2C)互連應(yīng)用，達(dá)到16GT/s的穩(wěn)定數(shù)據(jù)互操作測試。

發(fā)表于：2025/2/25

大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于英諾賽科產(chǎn)品的48V/120A BMS方案

　　2025年2月20日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INV100FQ030C VGaN器件的48V/120A BMS方案。

發(fā)表于：2025/2/24

e絡(luò)盟擴(kuò)展產(chǎn)品組合強(qiáng)化工業(yè)產(chǎn)品類別

　　中國上海，2025 年 2月20日 — 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟擴(kuò)展了其工業(yè)和維護(hù)、維修和運(yùn)營（MRO）產(chǎn)品范圍，以確?？蛻裟軌驈男袠I(yè)領(lǐng)先的供應(yīng)商處獲得各種產(chǎn)品和解決方案。

發(fā)表于：2025/2/24

貿(mào)澤開售采用先進(jìn)AI實(shí)現(xiàn)環(huán)境檢測的

　　2025年2月21日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起供應(yīng)Bosch BME690空氣質(zhì)量傳感器。這款四合一MEMS傳感器能有效檢測揮發(fā)性有機(jī)化合物（VOC）、揮發(fā)性硫化合物（VSC）以及一氧化碳、氫氣等氣體。BME690傳感器還可應(yīng)用于呼吸分析，并通過檢測食物即將發(fā)生腐敗的跡象來減少食物浪費(fèi)。該空氣質(zhì)量傳感器支持可穿戴設(shè)備、智能家電、移動和卡片設(shè)備等多種應(yīng)用場景。

發(fā)表于：2025/2/24

自動測試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開關(guān)的替代方案

　　本文提出，CMOS開關(guān)可以取代自動測試設(shè)備（ATE）廠商使用的PhotoMOS?開關(guān)。CMOS開關(guān)的電容乘電阻（CxR）性能可以與PhotoMOS相媲美，且其導(dǎo)通速度、可靠性和可擴(kuò)展性的表現(xiàn)也很出色，契合了先進(jìn)內(nèi)存測試時代ATE廠商不斷升級的需求。

發(fā)表于：2025/2/24

臺積電今年超70%先進(jìn)封裝產(chǎn)能被英偉達(dá)包下

2月24日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報》報道稱，近日業(yè)界傳出消息，英偉達(dá)（NVIDIA）最新Blackwell構(gòu)架GPU芯片需求強(qiáng)勁，已包下臺積電今年超過70%的CoWoS-L先進(jìn)封裝產(chǎn)能，出貨量以每季環(huán)比增長20%以上逐季沖高，助力臺積電營運(yùn)熱轉(zhuǎn)。

發(fā)表于：2025/2/24

臺積電強(qiáng)調(diào)2nm制程將如期在下半年量產(chǎn)

2 月 23 日消息，中國臺灣《經(jīng)濟(jì)日報》昨晚報道稱，業(yè)界消息稱臺積電 2nm 制程月產(chǎn)今年底前有望達(dá)到 5 萬片，甚至有機(jī)會邁上 8 萬片。臺積電對此不予評論，僅強(qiáng)調(diào) 2nm 制程技術(shù)進(jìn)展良好，將如期在今年下半年量產(chǎn)。

發(fā)表于：2025/2/24

Intel 18A工藝正式開放代工

2月23日消息，Intel官方網(wǎng)站悄然更新了對于18A(1.8nm級)工藝節(jié)點(diǎn)的描述，稱已經(jīng)做好了迎接客戶項目的準(zhǔn)備，將在今年上半年開始流片，有需求的客戶可以隨時聯(lián)系。 Intel宣稱，這是在北美地區(qū)率先量產(chǎn)的2nm以下工藝節(jié)點(diǎn)，已經(jīng)有多達(dá)35家行業(yè)生態(tài)伙伴，涵蓋EDA芯片設(shè)計工具、IP知識產(chǎn)權(quán)、設(shè)計服務(wù)、云服務(wù)、航空國防等各個領(lǐng)域。

發(fā)表于：2025/2/24