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印度提交埃米級(jí)芯片議案入局芯片戰(zhàn)

4月21日消息，印度聯(lián)合新聞社發(fā)布文章表示，印度頂尖研究機(jī)構(gòu)印度科學(xué)研究所（IISc）的30名科學(xué)家團(tuán)隊(duì)聯(lián)合向政府提交了一份開(kāi)發(fā)“埃級(jí)”芯片的議案，該芯片的尺寸遠(yuǎn)小于目前生產(chǎn)的最小芯片。

發(fā)表于：4/22/2025

臺(tái)積電美國(guó)廠4年巨虧400億臺(tái)幣南京廠大賺800億臺(tái)幣

4月21日消息，臺(tái)積電一直積極赴美投資建廠，總額高達(dá)1650億美元，計(jì)劃建設(shè)六座晶圓廠、兩座封裝廠、一座研發(fā)中心，未來(lái)甚至落地2nm、1.6nm級(jí)別先進(jìn)工藝，而因?yàn)榉N種原因，在內(nèi)地只能部署一些成熟工藝。根據(jù)臺(tái)積電最新公布的股東會(huì)年報(bào)，臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州新建的工廠，2024年虧損近143億元新臺(tái)幣，成為最燒錢(qián)的海外廠區(qū)。在此前三年，臺(tái)積電美國(guó)工廠因?yàn)橐恢碧幱谇捌谕顿Y建設(shè)階段，也是虧損連連，而且持續(xù)擴(kuò)大，2021年、2022年、2023年分別達(dá)48.1億元新臺(tái)幣、94.3億元新臺(tái)幣、109.24億元新臺(tái)幣，四年合計(jì)虧損幾乎達(dá)到400億元新臺(tái)幣。

發(fā)表于：4/22/2025

高穩(wěn)定性光纖激光器恒流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

光纖激光器波長(zhǎng)和輸出功率的穩(wěn)定性易受泵浦源驅(qū)動(dòng)電流波動(dòng)的影響，為應(yīng)對(duì)該問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一款高精度、高穩(wěn)定性恒流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。恒流源部分采用閉環(huán)負(fù)反饋原理，通過(guò)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）來(lái)控制恒流輸出，實(shí)現(xiàn)了對(duì)半導(dǎo)體激光器（LD）驅(qū)動(dòng)電流的精準(zhǔn)控制；限流保護(hù)電路利用二極管的限幅作用使LD免受過(guò)電流沖擊的影響，電流緩慢啟動(dòng)采用軟件控制的方法確保LD免受浪涌電流損害；光功率探測(cè)電路采用ADA4530芯片，確保在極低光照水平下也可精準(zhǔn)探測(cè)到功率輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該電路可實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電流在0~1.2 A連續(xù)可調(diào)，電流短期（120 min）和長(zhǎng)期（24 h）穩(wěn)定性分別為±0.001 mA和±0.002 mA；激光器中心波長(zhǎng)波動(dòng)不超過(guò)±0.03 nm，輸出功率的穩(wěn)定度不超過(guò)0.084 3%，精度小于±0.15 mW。

發(fā)表于：4/21/2025

基于多線縫隙耦合的Ka波段薄膜功分器設(shè)計(jì)

傳統(tǒng)的功分器結(jié)構(gòu)由于高頻串?dāng)_明顯、阻抗變換線體積大等原因，難以滿足微波系統(tǒng)高頻率、小型化的需求。為此，提出一種基于多線縫隙耦合結(jié)構(gòu)的Ka波段功分器。從電路拓?fù)涑霭l(fā)，對(duì)該器件進(jìn)行了電路設(shè)計(jì)、建模仿真與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。測(cè)試結(jié)果表明，該器件具備良好的高頻性能，且表現(xiàn)出通帶兩側(cè)具有傳輸零點(diǎn)的濾波響應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了多線縫隙耦合的薄膜功分器設(shè)計(jì)。

發(fā)表于：4/21/2025

T型柵GaN HEMT微波器件ESD特性研究

對(duì)Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效機(jī)理與影響因素進(jìn)行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效電壓分布情況，并結(jié)合微光顯微鏡定位了引起器件退化的異常點(diǎn)，進(jìn)行了對(duì)應(yīng)的微區(qū)分析。另外，還探究了T型柵幾何尺寸如柵腳、柵帽寬度與總柵寬等工藝參數(shù)對(duì)器件抗靜電能力的影響并進(jìn)行相關(guān)機(jī)理分析，為器件ESD性能、可靠性的優(yōu)化提供了方向與參考。

發(fā)表于：4/21/2025

器件級(jí)帶電器件模型靜電放電測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)分析及應(yīng)用

針對(duì)器件級(jí)帶電器件模型（CDM）靜電放電國(guó)內(nèi)外主要測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了整理、分析與解讀。梳理了各標(biāo)準(zhǔn)之間的差異性和關(guān)聯(lián)性，明確了各標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用范圍與技術(shù)要點(diǎn)。深入研究了影響器件級(jí)帶電器件模型（CDM）靜電放電測(cè)試結(jié)果的因素與控制方法，提出了在標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用過(guò)程中保障結(jié)果一致性和準(zhǔn)確性的相關(guān)技術(shù)技巧，為器件級(jí)帶電器件模型（CDM）測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的選擇、測(cè)試和工程應(yīng)用提供了指導(dǎo)。

發(fā)表于：4/21/2025

Arm已將Artan基礎(chǔ)IP業(yè)務(wù)出售給了Cadence

近日，EDA及半導(dǎo)體IP大廠Cadence宣布，已與Arm達(dá)成最終協(xié)議，收購(gòu)Arm的Artisan基礎(chǔ)IP業(yè)務(wù)。該業(yè)務(wù)涵蓋標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)、內(nèi)存編譯器以及針對(duì)領(lǐng)先代工廠先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)優(yōu)化的通用I/O（GPIO）。此次交易將增強(qiáng)Cadence不斷擴(kuò)展的設(shè)計(jì)IP產(chǎn)品線，其核心產(chǎn)品包括領(lǐng)先的協(xié)議和接口IP、內(nèi)存接口IP、適用于最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的SerDes IP，以及即將收購(gòu)的Secure-IC公司提供的嵌入式安全I(xiàn)P。

發(fā)表于：4/21/2025

Intel 18A更多細(xì)節(jié)曝光

4月21日消息，根據(jù)VLSI 2025最新曝光的資料中，英特爾披露了更多的關(guān)于其最新的 Intel 18A制程的細(xì)節(jié)。根據(jù)英特爾官網(wǎng)的此前公布的資料顯示，Intel 18A采用了RibbonFET 環(huán)繞柵極晶體管(GAA) 技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)電流的精確控制，同時(shí)還率先采用了業(yè)界首創(chuàng)的 PowerVia 背面供電技術(shù)，可將密度和單元利用率提高 5% 至 10%，并降低電阻供電下降，從而使 ISO 功率性能提高高達(dá) 4%，并且與正面功率設(shè)計(jì)相比，固有電阻 (IR) 下降大大降低。與Intel 3 工藝節(jié)點(diǎn)相比，Intel 18A的每瓦性能提高 15%，芯片密度提高 30% 。最新資料顯示，Intel 18A提供了高性能（HP）和高密度（HD）庫(kù)，具有全功能的技術(shù)設(shè)計(jì)功能和增強(qiáng)的設(shè)計(jì)易用性。在 PPA 比較中，Intel 18A 在標(biāo)準(zhǔn) Arm 內(nèi)核子塊上設(shè)法在 1.1V 電壓下提供 25% 的速度提高和 36% 的功耗降低。除此之外，Intel 18A 實(shí)現(xiàn)了比 Intel 3 更好的面積利用率，這意味著該工藝可以實(shí)現(xiàn)更好的面積效率和更高密度設(shè)計(jì)的潛力。

發(fā)表于：4/21/2025

長(zhǎng)電科技2024年?duì)I收創(chuàng)新高穩(wěn)居全球委外封測(cè)第三

4月20日傍晚，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體封測(cè)大廠長(zhǎng)電科技發(fā)布了2024年度業(yè)績(jī)報(bào)告，其營(yíng)收再創(chuàng)歷史新高，繼續(xù)穩(wěn)居全球球委外封測(cè)（OSAT）市場(chǎng)第三，凈利潤(rùn)也保持了穩(wěn)步的增長(zhǎng)。 2024年?duì)I收達(dá)359.62億元，創(chuàng)歷史新高根據(jù)報(bào)告顯示，長(zhǎng)電科技2024年?duì)I業(yè)收入約359.62億元，同比增長(zhǎng)21.24%，創(chuàng)下了歷史新高；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)約16.1億元，同比增長(zhǎng)9.44%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)人民幣15.5 億元，同比增長(zhǎng)17.02%?；久抗墒找?.9元，同比增長(zhǎng)9.76%。

發(fā)表于：4/21/2025

中微董事長(zhǎng)尹志堯放棄美籍，恢復(fù)中國(guó)籍！

4月17日晚間，中微公司發(fā)布了2024年度財(cái)報(bào)，顯示公司創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官尹志堯已放棄美籍，恢復(fù)了中國(guó)籍。

發(fā)表于：4/21/2025

天工機(jī)器人成為首個(gè)人形機(jī)器人半馬冠軍

4月19日消息，今天上午，全球首個(gè)人形機(jī)器人半程馬拉松在北京亦莊開(kāi)跑，21支機(jī)器人隊(duì)伍與12000名人類選手同場(chǎng)競(jìng)技，共同挑戰(zhàn)21.0975公里的賽道。據(jù)央視新聞官微介紹，目前天工機(jī)器人以2小時(shí)40分率先沖線完賽，奪得冠軍。

發(fā)表于：4/21/2025

先進(jìn)技術(shù)毫無(wú)保留供給臺(tái)積電美國(guó)工廠虧損持續(xù)擴(kuò)大

4月21日消息，臺(tái)積電在美國(guó)的工廠1年虧損超過(guò)了32億元，但依然不改他們努力在這里建廠的目標(biāo)。臺(tái)積電公布最新2024年報(bào)，盡管亞利桑那州第一座晶圓廠已開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)，因量產(chǎn)到出貨認(rèn)列營(yíng)收有時(shí)間落差，子公司TSMC Arizona Corporation 去年虧損擴(kuò)大，從2023 年的109.25 億元新臺(tái)幣，擴(kuò)大至2024 年的142.98億元新臺(tái)幣（約合32億元+）。

發(fā)表于：4/21/2025

全光驅(qū)動(dòng)計(jì)算機(jī)大突破：可編程芯片首次用光訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)

4月21日消息，據(jù)《自然·光子學(xué)》雜志報(bào)道，美國(guó)賓夕法尼亞大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功開(kāi)發(fā)出了首款極具創(chuàng)新性的可編程芯片，這款芯片能夠巧妙地利用光來(lái)實(shí)現(xiàn)非線性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的訓(xùn)練。

發(fā)表于：4/21/2025

自主可控！全國(guó)產(chǎn)化沙克網(wǎng)絡(luò)研制成功

4月20日消息，據(jù)報(bào)道，山西中北測(cè)控科技有限公司在工業(yè)測(cè)控網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域取得重大突破，其自主研發(fā)的SharkNet工業(yè)測(cè)控網(wǎng)絡(luò)（簡(jiǎn)稱沙克網(wǎng)絡(luò)）成功實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。這一創(chuàng)新成果不僅填補(bǔ)了我國(guó)在高端工業(yè)總線技術(shù)領(lǐng)域的空白，更為航空航天、智能制造等關(guān)鍵領(lǐng)域的測(cè)控網(wǎng)絡(luò)升級(jí)提供了全新解決方案。沙克網(wǎng)絡(luò)作為一種新型高動(dòng)態(tài)智能重構(gòu)工業(yè)測(cè)控網(wǎng)絡(luò)，其技術(shù)應(yīng)用覆蓋儀器儀表、運(yùn)載裝備、工業(yè)生產(chǎn)三大領(lǐng)域。

發(fā)表于：4/21/2025

ABB計(jì)劃拆分機(jī)器人業(yè)務(wù)

瑞士工業(yè)巨頭ABB于4月17日宣布，將對(duì)其機(jī)器人業(yè)務(wù)單元實(shí)施100%分拆，并計(jì)劃于2026年第二季度完成獨(dú)立上市。這一舉措標(biāo)志著ABB在業(yè)務(wù)重組方面邁出了重要一步，旨在進(jìn)一步優(yōu)化公司結(jié)構(gòu)，提升機(jī)器人業(yè)務(wù)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。資料顯示，ABB的機(jī)器人業(yè)務(wù)在全球市場(chǎng)排名第二，僅次于日本發(fā)那科。2024年，該部門(mén)的銷售收入達(dá)到23億美元，占ABB集團(tuán)總收入的7%，其擁有約7000名員工，生產(chǎn)基地遍布全球，包括瑞典韋斯特羅斯、美國(guó)密歇根和中國(guó)上海。

發(fā)表于：4/18/2025