工業(yè)自動化最新文章 三星2nm良率已提升至50% 1月16日消息，据外媒ZDNet报道，三星电子2nm GAA制程（SF2）的良率已经达到了50%。此前基于该制程的Exynos 2600处理器的量产似乎也证明相关进展。 發(fā)表于：2026/1/16 中国科大自刻蚀技术攻克材料难题 1 月 16 日消息，据新华社昨日报道，中国科学技术大学张树辰特任教授团队联合美国普渡大学、上海科技大学的研究团队在新型半导体材料领域取得突破性进展，成果已发表于《自然》。联合团队首次在二维离子型软晶格材料中，实现了面内可编程、原子级平整的“马赛克”式异质结可控构筑，为低维光伏材料的集成化与器件化开辟了全新路径。中国科大“自刻蚀”技术攻克材料难题：二维半导体加工获重大突破，实现原子级“马赛克”异质结可控构筑 發(fā)表于：2026/1/16 台积电7nm以下先进工艺贡献七成营收 1 月 15 日 全球芯片代工巨头台积电公布的第四季度财报引发行业关注。数据显示，公司营收达 1.046 万亿新台币（约合人民币 2308.52 亿元），净利润 5057.4 亿新台币（约合人民币 1116.16 亿元），同比大增 35%，创下历史新高，且实现连续第八个季度利润同比增长。 發(fā)表于：2026/1/16 紫光国微拟收购瑞能半导100%股权 股价涨停 1月14日晚间，紫光国微公布了收购瑞能半导100%股权并募集配套资金的交易预案，拟通过发行股份及支付现金的方式向南昌建恩、北京广盟、天津瑞芯、建投华科等 14 名交易对方购买其合计持有的瑞能半导100%股权，并拟向不超过 35 名特定投资者发行股份募集配套资金。根据公告显示，此次发行股份购买资产的股份定价为61.75 元/股，不低于定价基准日前 20 个交易日上市公司股票交易均价的80%。但是，由于交易相关的审计、评估工作尚未完成，标的资产的交易价格尚未确定。 發(fā)表于：2026/1/16 IPC-6921《有机封装基板的要求及可接受性》标准正式发布 【中国上海，2026年1月15日】— 全球电子协会（原IPC国际电子工业联接协会）近日正式发布 IPC-6921《有机封装基板的要求及可接受性》标准。该标准系统性规定了有机封装基板应用的产品鉴定、性能要求及可接受性判定准则，为封装产业在人工智能、高性能计算、汽车电子等关键应用领域提供了统一、可参照的国际技术规范。 發(fā)表于：2026/1/15 苹果遭遇供应链危机 玻璃布卡住iPhone 18系列命脉 1 月 15 日消息，Nikkei Asia 昨日（1 月 14 日）发布博文，报道称随着人工智能（AI）热潮推动高性能芯片需求激增，苹果（Apple）与高通（Qualcomm）公司正面临核心材料“玻璃纤维布”（Glass Cloth）的严重短缺危机。 發(fā)表于：2026/1/15 AMD 2nm Venice CPU细节曝光 1月14日消息，根据Wccftech报导，继AMD 在CES 2026 披露了采用台积电2nm制程的EPYC Venice 处理器部分信息之后，近日“X”平台用户@hms1193 曝光了更多官方尚未公开的Venice构架细节。 發(fā)表于：2026/1/15 LG电子开发HBM混合键合堆叠设备早期版本 1月13日消息，据TheElec报道，LG电子正在开发用于高带宽存储器（HBM）的混合键合堆叠设备（键合机）早期版本。 發(fā)表于：2026/1/15 西电团队攻克芯片散热世界难题 西安电子科技大学郝跃院士团队在半导体材料领域取得关键突破，解决了困扰业界二十年的芯片散热与性能瓶颈问题，相关成果已发表于《自然·通讯》与《科学·进展》。研究通过高能离子注入技术改善氮化镓与氧化镓界面质量，将界面热阻降低至原先的三分之一，研制出的氮化镓微波功率器件单位面积功率较当前最先进同类器件提升30%至40%。该技术可显著增加探测设备探测距离，扩大通信基站信号覆盖并降低能耗，未来应用于手机有望增强偏远地区信号接收能力并延长续航。团队正研究将金刚石等超高热导材料应用于半导体，有望使器件功率处理能力再提升一个数量级。 發(fā)表于：2026/1/15 格芯宣布收购Synopsys ARC处理器IP业务 据环球通讯社报道， 格芯（GlobalFoundries (GF) ）今日宣布(美国当地时间1月14日)，已签署最终协议，收购新思科技(Synopsys)的 ARC 处理器IP解决方案业务，涵盖其工程师与设计师团队。这一战略举措将加速格芯及MIPS科技的实体人工智能技术路线图落地，强化公司在定制化芯片解决方案领域的竞争力。 發(fā)表于：2026/1/15 Gartner公布2025年度前十大半导体厂商市场排名 1月14日消息，根据市场研究机构Gartner发布的初步统计数据显示，2025年全球半导体市场营收总额达7930亿美元，同比增长21%。其中，人工智能（AI）相关半导体（包括处理器、高带宽内存及网络组件）成为核心增长引擎，贡献了近三分之一的销售额。同时，Gartner预计到2026年AI基础设施支出将突破1.3万亿美元。 發(fā)表于：2026/1/15 美国宣布对特定半导体等加征25%关税 1月15日消息，据央视新闻报道，当地时间2026年1月14日，美国宣布将从次日起对部分进口半导体、半导体制造设备及相关衍生产品加征25%的进口关税。 發(fā)表于：2026/1/15 针对VLIW DSP编译器弊端及异常处理方案 随着高性能处理器并行度要求的提高，VLIW编译器的弊端也逐步显现，如何平衡代码的正确性和性能成为首要目标。VLIW编译器无法通过有限的代码信息去深度挖掘指令并行性，从而导致指令资源冲突等问题。因此，提出一种基于内核的异常处理方案，在保证代码运行正确性的同时，提高指令的并行度。以C6000系列DSP为例，针对C6000编译器的弊端，开发内核异常处理方案，通过内核异常中断确保代码优化的正确性。最后通过C66x内核资源冲突的典型案例，验证了该异常处理方案的实用性，为VLIW架构处理器程序优化提供方向。 發(fā)表于：2026/1/14 Die的快速排布技术 利用L-edit软件的用户编程接口UPI，通过C++对L-edit软件进行二次开发和功能拓展，在光刻版数据处理环节实现了光刻版Die排布的快速处理。通过实际生产中的应用，证实了此技术不仅可以减低人工排布、删除主图形失误的风险，还可以降低排布主图形的任务量，提高工作效率。 發(fā)表于：2026/1/14 基于缓变复合沟道的高线性GaN HEMT仿真研究 基于半导体工艺与器件模拟工具（TCAD）提出并仿真了一种基于缓变组分AlGaN和InGaN复合沟道的高线性GaN HEMT器件，该结构的复合沟道层形成了三维电子气和二维电子气双沟道分布，器件栅压摆幅高达4.1 V，比常规突变异质结HEMT提高2.2 V。器件跨导的二阶导数的峰值比常规器件的低大约56%，显示其优越的抑制三阶互调的能力。另外，还探究了自热效应对器件线性度的影响。所提出的器件结构在高线性应用领域具有良好的应用前景。 發(fā)表于：2026/1/14 <12345678910…>
