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數(shù)據(jù)質(zhì)量高效校驗方法研究

數(shù)據(jù)質(zhì)量監(jiān)控是數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域的重要挑戰(zhàn)。提出了一種創(chuàng)新方法，通過規(guī)則配置高效生成數(shù)據(jù)質(zhì)量驗證規(guī)則與告警策略，并在單一SQL查詢中實現(xiàn)多指標(biāo)并發(fā)校驗，顯著提升了校驗效率。詳細(xì)闡述了技術(shù)方案設(shè)計原理并做了性能對比實驗：數(shù)據(jù)處理速度提升10~20倍,規(guī)則配置效率提升4~5倍，實際應(yīng)用中的資源消耗指標(biāo)(CPU、內(nèi)存）與傳統(tǒng)解決方案基本一致，準(zhǔn)確率仍保持在99.99%，為大數(shù)據(jù)環(huán)境下的數(shù)據(jù)質(zhì)量管理提供了可量化的參考實踐。

發(fā)表于：10/29/2025

Pickering公司新型靜電屏蔽技術(shù)有效抑制噪聲干擾

高性能舌簧繼電器全球領(lǐng)導(dǎo)者Pickering Electronics升級了其144系列大功率舌簧繼電器，新增配備靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的衍生型號。該系列產(chǎn)品額定功率高達(dá) 80w，以0.25英寸間距可緊密排布。

發(fā)表于：10/29/2025

意法半導(dǎo)體半橋柵極驅(qū)動器簡化低壓系統(tǒng)中的GaN電路設(shè)計

2025年10月21日，中國——意法半導(dǎo)體的STDRIVEG210和STDRIVEG211半橋氮化鎵(GaN)柵極驅(qū)動器是為工業(yè)或電信設(shè)備母線電壓供電系統(tǒng)、72V電池系統(tǒng)和110V交流電源供電設(shè)備專門設(shè)計

發(fā)表于：10/29/2025

全球首個6英寸二維半導(dǎo)體單晶量產(chǎn)化制備

據(jù)“科創(chuàng)江北”消息，2025年10月23日，江北新區(qū)企業(yè)南京極鉬芯科技有限公司（以下簡稱“極鉬芯科技”）與南京大學(xué)科研團(tuán)隊在《Science》期刊共同發(fā)表重要研究成果。極鉬芯科技深度參與工藝開發(fā)與設(shè)備研制，為研究團(tuán)隊提供了自主研制的二維半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備Oxy-MOCVD 200 ultra，成功實現(xiàn)了全球首個6英寸二維半導(dǎo)體單晶系列的量產(chǎn)化制備。該設(shè)備的全面國產(chǎn)化與自主可控性，標(biāo)志著我國在下一代集成電路關(guān)鍵材料與裝備領(lǐng)域取得重要突破。極鉬芯科技同步推出多款二維半導(dǎo)體單晶晶圓與單晶襯底產(chǎn)品，為科研與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用提供高質(zhì)量材料解決方案。

發(fā)表于：10/29/2025

傳臺積電先進(jìn)制程功臣將退休加盟英特爾

10月28日消息，據(jù)中國臺灣地區(qū)媒體報道，有傳聞稱，今年7月底才退休的臺積電前技術(shù)研發(fā)暨企業(yè)策略發(fā)展資深副總經(jīng)理羅唯仁可能將會加盟英特爾研發(fā)部門。

發(fā)表于：10/29/2025

VESA發(fā)布DisplayPort汽車擴(kuò)展標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)測試規(guī)范模型

VESA重點介紹了其于2025年5月發(fā)布的DP AE合規(guī)測試規(guī)范模型。這一完全可執(zhí)行的Linux C模型包含500多項功能安全與信息安全合規(guī)測試，使芯片制造商能夠基于VESA DP AE標(biāo)準(zhǔn)，構(gòu)建和測試用于汽車顯示器的視頻源（電子控制單元/ECU）、橋接器件（如串行器/解串器）和接收設(shè)備（如時序控制器）。

發(fā)表于：10/29/2025

消息稱蘋果缺席臺積電A16工藝首單

10 月 29 日消息，韓國媒體 EBN News 昨日（10 月 28 日）發(fā)布博文，報道稱英偉達(dá)已成為臺積電下一代 A16工藝的目前唯一客戶，雙方正就此展開聯(lián)合測試，該工藝預(yù)估 2027 年部署。與此同時，消息還指出，作為臺積電長期大客戶的蘋果公司，尚未就其移動應(yīng)用處理器（AP）采用 A16 工藝一事展開洽談。 IT之家援引博文介紹，根據(jù)英偉達(dá)公布的 GPU 路線圖，其產(chǎn)品演進(jìn)順序為 Hopper、Blackwell、Rubin，最終到達(dá) Feynman。其中，計劃于 2028 年推出的 Feynman 架構(gòu) GPU，預(yù)計將全面采用臺積電的 A16 工藝制造。

發(fā)表于：10/29/2025

NVIDIA IGX Thor處理器將實時物理AI引入工業(yè)和醫(yī)療邊緣場景

NVIDIA 今日推出了 NVIDIA IGX Thor，這是一個功能強(qiáng)大的工業(yè)級平臺，專為將實時物理AI直接部署于邊緣端而打造。該平臺將高速傳感器處理、企業(yè)級可靠性和功能安全性整合到桌面級緊湊模組中。相較于上一代產(chǎn)品 NVIDIA IGX Orin，IGX Thor 的 AI計算性能提升至 8 倍，能夠幫助開發(fā)者構(gòu)建感知、推理和行動更快速、更安全、更智能的智能系統(tǒng)。

發(fā)表于：10/29/2025

MEMS熱式氣體流量傳感器設(shè)計

在工業(yè)生產(chǎn)過程中提供準(zhǔn)確的流量檢測信息對于系統(tǒng)性能的提升有著重要的作用，基于MEMS技術(shù)制造出的熱式流量傳感器通過采集溫差變化來反映管道內(nèi)流量變化，具有體積小、精度高、微流量段靈敏的特點。介紹了熱式流量傳感器的熱分布模型，利用COMSOL Multiphysics軟件對管道內(nèi)的流量傳感器進(jìn)行電場、流場和熱場的耦合仿真，確定傳感器芯片的關(guān)鍵參數(shù)。采用MEMS加工工藝制造流量傳感器芯片，搭建標(biāo)定測試平臺，對傳感器芯片進(jìn)行封裝測試。傳感器測量范圍達(dá)到300 SLM，數(shù)字輸出準(zhǔn)確度等級達(dá)到1.0，模擬輸出準(zhǔn)確度等級達(dá)到1.5。

發(fā)表于：10/28/2025

等離子鍍膜用射頻電源功率計算與控制系統(tǒng)研究

當(dāng)前的等離子磁控濺射鍍膜領(lǐng)域廣泛使用的射頻電源存在功率控制精度不足，功率可調(diào)范圍有限，以及因功率計算不準(zhǔn)確導(dǎo)致輸出功率波動較大和誤差顯著等問題。為此，基于數(shù)字下變頻技術(shù)生成射頻信號源，提出了一種等離子體鍍膜用射頻電源功率計算與控制系統(tǒng)，通過VI Sensor上耦合的傳輸線上的信息直接計算出射頻電源的輸出功率，并利用控制器調(diào)節(jié)信號源幅值，從而實現(xiàn)對輸出功率的精確調(diào)節(jié)。仿真驗證該方法能夠?qū)崿F(xiàn)快速、準(zhǔn)確的功率計算及高精度的功率調(diào)節(jié)。通過實際樣機(jī)測試，該方案被證實能夠顯著降低輸出功率誤差，并提高鍍膜樣品上的成膜質(zhì)量，為等離子磁控濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展注入了新的活力。

發(fā)表于：10/28/2025

基于鏡頻抑制混頻器的X波段上下變頻模塊設(shè)計

上下變頻模塊是微波電路中的關(guān)鍵部分，其性能的好壞將直接影響整個系統(tǒng)的性能。設(shè)計了一種基于鏡頻抑制混頻器的X波段上下變頻模塊。通過對整機(jī)主要指標(biāo)的分析與計算，下變頻采用一次變頻方案，上變頻采用兩次變頻方案。在滿足鏡頻抑制度要求的情況下，利用一個固定本振頻率進(jìn)行多次變頻的方式，使上變頻具有較高的本振隔離度。測試結(jié)果表明，下變頻的鏡頻抑制度為29 dBc，發(fā)射端口的本振抑制度為71 dBc。模塊指標(biāo)符合性較好，滿足使用要求，對研制該類型的上下變頻組件具有一定的參考價值。

發(fā)表于：10/28/2025

一種能夠混合噪聲的模擬高頻腔的設(shè)計及實現(xiàn)

同步輻射加速器高頻系統(tǒng)的集成與調(diào)試離不開高頻腔，但其造價昂貴，加工周期長，使用實際高頻腔測試低電平控制器（LLRF）有損壞腔體的風(fēng)險；此外，實際高頻腔的中心頻率是固定的，只能測試工作在對應(yīng)頻率的低電平控制器。為了解決上述問題，設(shè)計了一種中心頻率能夠跟隨低電平，同時可以混合白噪聲的模擬高頻腔裝置，用來測試低電平控制器的各項性能。詳細(xì)闡述了模擬高頻腔的設(shè)計思路與實現(xiàn)方法，并使用所設(shè)計的模擬高頻腔與LLRF鏈接、測試，證明了該模擬高頻腔可以測試工作在不同頻率下的LLRF，測試其幅相穩(wěn)定性及其閉環(huán)控制能力。所設(shè)計的模擬高頻腔對高頻系統(tǒng)的集成、調(diào)試具有巨大的現(xiàn)實意義，能夠大大提高低電平控制器的測試效率，同時也能有效避免為測試LLRF導(dǎo)致實際高頻腔受損的風(fēng)險。

發(fā)表于：10/28/2025

基于SM2的SoC安全芯片雙向身份鑒別技術(shù)研究

片上系統(tǒng) （System on Chip， SoC）芯片會針對產(chǎn)品固件進(jìn)行SM2簽名和驗簽，以確定產(chǎn)品固件的合法性，但現(xiàn)有技術(shù)中產(chǎn)品固件未對芯片進(jìn)行身份鑒別，由于無法確定芯片是否合法，產(chǎn)品固件和數(shù)據(jù)的安全性得不到保護(hù)?；赟M2算法，針對SoC安全芯片中產(chǎn)品固件導(dǎo)入過程，實現(xiàn)了基于國產(chǎn)密碼SM2算法的芯片鑒別固件、固件鑒別芯片的雙向身份鑒別技術(shù)。方案安全性高、可實現(xiàn)性強(qiáng)，對SoC安全芯片對引導(dǎo)程序、產(chǎn)品固件進(jìn)行雙向身份鑒別有普遍現(xiàn)實借鑒意義。所設(shè)計的SM2模塊，具有芯片面積小、電路設(shè)計難度小、CPU操作簡單、適用于嵌入式SoC安全芯片等優(yōu)點。

發(fā)表于：10/28/2025

一種基于電流比較的LDO折返式限流保護(hù)電路

針對低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）可能出現(xiàn)的過載、短路問題，基于180 nm BCD工藝，設(shè)計了一種基于電流比較的折返式限流保護(hù)電路。通過添加監(jiān)測信號，有效避免了折返式限流電路中容易出現(xiàn)的“閂鎖”問題。仿真結(jié)果表明，在達(dá)到過流限時，輸出電流減小至200 mA，輸出電壓減小約400 mV后開始折返，LDO的輸出電流和輸出電壓均下降。結(jié)果表明，該電路在完成限流保護(hù)功能的同時大大降低了系統(tǒng)過流狀態(tài)下的系統(tǒng)功耗。

發(fā)表于：10/28/2025

一種寬輸入低紋波電荷泵負(fù)壓電源芯片設(shè)計

為解決電感型電源芯片電磁干擾嚴(yán)重和電容型電源芯片輸出紋波過大的問題，設(shè)計了一種電容型電源芯片。該芯片采用無電感結(jié)構(gòu)，在高頻條件下輸出紋波低于1 mV，接近電感型電源芯片。芯片輸出電壓可在-16 V至-3 V范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，工作頻率可在90 kHz到1 MHz間改變。該電路基于250 nm工藝設(shè)計實現(xiàn)。仿真結(jié)果表明，在輸入電壓為16 V、輸出電流為100 mA、工作頻率為1 MHz的條件下，輸出紋波為0.6 mV，輸出電壓為-14.84 V，效率達(dá)到87.1%；當(dāng)工作頻率降至90 kHz時，輸出紋波為10 mV，輸出電壓為-14.83 V，效率提升至91.9%。仿真數(shù)據(jù)表明，該芯片具有良好的適應(yīng)性，可滿足多種應(yīng)用場景的需求。

發(fā)表于：10/28/2025