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Rapidus 2026年内全面启动1.4nm研发

目标1nm仅落后台积电半年
2026-03-31
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: Rapidus 1.4nm 晶圆代工 1nm 台积电

3 月 31 日消息,參考了《日經(jīng) XTECH》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 30 日刊文,日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造商 Rapidus 首席技術(shù)官石丸一成近日接受了該媒體的采訪,表示目標(biāo)到 1nm 先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)將落后于臺(tái)積電的時(shí)間縮短到半年左右。

石丸一成坦承,該企業(yè)在 2025 年 7 月宣布啟動(dòng) 2nm GAA 試制時(shí)晶體管的表現(xiàn)并不令人滿意,整個(gè)過程相對(duì)倉促,工藝技術(shù)和生產(chǎn)設(shè)備都尚未完全準(zhǔn)備就緒;不過在去年 9~11 月的快速改進(jìn)中 Rapidus 的 2nm 性能得到了顯著提升。該企業(yè)計(jì)劃從 2026 年底開始生產(chǎn)客戶設(shè)計(jì)的 2nm 測(cè)試芯片,為 2027 年的量產(chǎn)打下基礎(chǔ)。

而對(duì)于銜接 2nm 和 1nm 的 1.4nm 節(jié)點(diǎn),Rapidus 計(jì)劃 2026 年內(nèi)開始全面開發(fā),目標(biāo) 2029 年量產(chǎn)。Rapidus 將延續(xù)與 IBM 的深度合作,其一半工程師位于美國(guó)紐約州,參與聯(lián)合研發(fā)。

關(guān)于Rapidus

由日本經(jīng)產(chǎn)省牽頭,軟銀、索尼、豐田等8家日本大公司共同籌辦,成立于2022年8月10日。公司地址位于日本東京都千代田區(qū),董事長(zhǎng)為東哲郎,社長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官為小池淳義。

主要從事半導(dǎo)體元件、集成電路等電子零部件的研究、開發(fā)、設(shè)計(jì)、制造及銷售,同時(shí)研究、開發(fā)環(huán)保節(jié)能半導(dǎo)體和半導(dǎo)體制造技術(shù)。

2022年12月6日,與比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)簽署技術(shù)合作備忘錄。

12月13日,與IBM公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)2納米節(jié)點(diǎn)技術(shù)。

2023年2月,選定在札幌附近的千歲市興建2納米芯片工廠。

4月,日本經(jīng)產(chǎn)省決定向其額外提供2600億日元補(bǔ)貼。

2024年6月初,與IBM在2nm制程領(lǐng)域的合作從前端擴(kuò)展到后端,共同開發(fā)芯粒(Chiplet)先進(jìn)封裝量產(chǎn)技術(shù)。

12月底,Rapidus北海道工廠接收ASML極紫外光刻機(jī)設(shè)備。

2025年4月,使用與IBM合作開發(fā)的配方,基于IBM的納米片晶體管結(jié)構(gòu),啟動(dòng)并測(cè)試了其2納米節(jié)點(diǎn)芯片的試驗(yàn)線。

7月18日,宣布已在其創(chuàng)新集成制造工廠(IIM-1)啟動(dòng)2納米全環(huán)繞柵極(GAA)晶體管結(jié)構(gòu)的原型試制,原型晶圓并已啟動(dòng)電性參數(shù)測(cè)試。

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