工業(yè)自動(dòng)化最新文章 新臺(tái)幣升值沖擊臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)和電子業(yè) 5月7日消息，近日新臺(tái)幣兌美元匯率在短短幾天內(nèi)暴力升值超過10%，從一個(gè)月前的1000新臺(tái)幣兌33美元，一路迅速升破30美元，甚至一度看到29美元的價(jià)位。 發(fā)表于：5/7/2025 AI芯片“功耗懸崖”：大模型催生的冷卻技術(shù)革命 AI芯片的功耗和發(fā)熱量直接影響著企業(yè)的成本、風(fēng)險(xiǎn)以及芯片的穩(wěn)定性和壽命。如果芯片因過熱或短路而頻繁出現(xiàn)問題，那么AI的訓(xùn)練和推理效果及效率也會(huì)受到嚴(yán)重影響。 冷卻技術(shù)革命，顯得十分急需。 發(fā)表于：5/7/2025 SK海力士DRAM顆粒大漲12% 5月6日消息，近期，全球存儲(chǔ)市場出現(xiàn)明顯漲價(jià)趨勢，尤其是消費(fèi)級存儲(chǔ)價(jià)格接連攀升。 最新市場動(dòng)態(tài)顯示，SK海力士消費(fèi)級DRAM顆粒已經(jīng)上漲約12%，此前的漲價(jià)傳聞就此落定。 發(fā)表于：5/7/2025 中國科學(xué)院大突破：“強(qiáng)磁心臟”實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化 5月6日消息，中國科學(xué)院電工研究所日前宣布，該所王秋良院士團(tuán)隊(duì)成功研制出大口徑高場通用超導(dǎo)磁體。 大口徑高場通用超導(dǎo)磁體是多領(lǐng)域重要設(shè)備，提供大空間高磁場環(huán)境，用途廣泛。此前這類超導(dǎo)磁體技術(shù)和產(chǎn)品被國外壟斷，解決關(guān)鍵問題迫在眉睫。 發(fā)表于：5/7/2025 英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù) 【2025年5月6日, 德國慕尼黑訊】為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護(hù)與配電系統(tǒng)的理想之選。 發(fā)表于：5/6/2025 塔塔電子計(jì)劃利用其印度晶圓廠為恩智浦代工芯片 塔塔電子計(jì)劃利用其印度晶圓廠為恩智浦代工芯片 發(fā)表于：5/6/2025 美國即將開征半導(dǎo)體關(guān)稅：稅率最高或達(dá)100%？ 5月5日消息，美國特朗普政府可能最快于本周公布針對半導(dǎo)體加征關(guān)稅的細(xì)節(jié)，市場預(yù)估稅率可能高達(dá)25%～100%，并且新規(guī)則不排除以晶圓制造地（wafer out）作為源產(chǎn)地來加征關(guān)稅，這也將對臺(tái)積電、三星等產(chǎn)能集中在亞洲地區(qū)的晶圓制造大廠，以及英偉達(dá)、蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等依賴于亞洲晶圓代工產(chǎn)能的芯片設(shè)計(jì)廠商帶來負(fù)面影響。 發(fā)表于：5/6/2025 荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASM宣布：部分產(chǎn)品將立即在美國生產(chǎn) 5月4日消息，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASM International（以下簡稱“ASM”）近日在2025年第一季財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示，為應(yīng)對美國的關(guān)稅政策，ASM宣布將立即開始在美國本土進(jìn)行生產(chǎn)。 發(fā)表于：5/6/2025 傳三星拿下小部分高通驍龍8 Elite Gen 2 代工訂單 5月2日消息，據(jù)韓國《首爾經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)導(dǎo)，移動(dòng)處理器大廠高通（Qualcomm）公司2025年下半年即將推出全新的第二代驍龍8至尊版移動(dòng)處理器（Snapdragon 8 Elite Gen 2），預(yù)計(jì)將會(huì)由臺(tái)積電利用其新一代的3nm制程N(yùn)3P代工。不過，最新的市場傳聞顯示，三星成功拿到了小部分的第二代驍龍8至尊版處理器代工訂單，將采用其2nm制程代工。 發(fā)表于：5/6/2025 破解AI集群擴(kuò)展中的關(guān)鍵瓶頸 人工智能（AI）正以前所未有的速度向前發(fā)展，整個(gè)市場迫切需要更加強(qiáng)大、更加高效的數(shù)據(jù)中心來夯實(shí)技術(shù)底座。德科技署名文章旨在探討人工智能集群擴(kuò)展面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，同時(shí)揭示為何“網(wǎng)絡(luò)會(huì)是新的瓶頸”。 發(fā)表于：4/30/2025 臺(tái)積電啟動(dòng)亞利桑那州第三座晶圓廠建設(shè) 4月30日消息，據(jù)彭博社報(bào)導(dǎo)，在美國特朗普政府計(jì)劃對半導(dǎo)體加征關(guān)稅之際，臺(tái)積電已開始啟動(dòng)了美國亞利桑那州第三座晶圓廠的工程建設(shè)，以加速在美國的擴(kuò)產(chǎn)腳步。 發(fā)表于：4/30/2025 意法半導(dǎo)體高集成度低邊電流測量放大器簡化高準(zhǔn)確度電流檢測 2025 年 4 月21 日，中國——意法半導(dǎo)體的 TSC1801低邊電流測量放大器集成了設(shè)定增益所需的匹配電阻，從而簡化了電路設(shè)計(jì)，節(jié)省了物料清單成本，并確保在整個(gè)溫度范圍內(nèi)增益準(zhǔn)確度在 0.15%以下 。 發(fā)表于：4/30/2025 172nm晶圓光清洗方案 助力半導(dǎo)體國產(chǎn)替代 在半導(dǎo)體制造中，清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程，并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。 晶圓對微小污染物的敏感性也顯著增強(qiáng)。每一道工序前，晶圓表面都需清除顆粒、有機(jī)物、金屬雜質(zhì)和氧化層等污染物，以確保后續(xù)制程的順利進(jìn)行。以7nm及以下制程工藝為例，若晶圓表面每平方厘米存在超過3個(gè)0.5nm粒子，良率可能下降12%-18%。 發(fā)表于：4/30/2025 英飛凌將參加PCIM Europe 2025 2025年4月29日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將在德國紐倫堡舉行的歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展（PCIM Europe 2025）上展示最新的半導(dǎo)體、軟件及工具解決方案，這些解決方案有助于解決當(dāng)前的環(huán)保與數(shù)字化轉(zhuǎn)型挑戰(zhàn)。 發(fā)表于：4/30/2025 2024年全球半導(dǎo)體材料營收增長3.8% 4月29日消息，據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）統(tǒng)計(jì)，2024年全球半導(dǎo)體材料市場營收達(dá)675億美元，同比增加3.8%。 SEMI表示，整體半導(dǎo)體市場復(fù)蘇，以及高效能運(yùn)算和高頻寬內(nèi)存制造對先進(jìn)材料需求增長，驅(qū)動(dòng)了2024年半導(dǎo)體材料營收成長。其中，晶圓制造材料2024年?duì)I收同比增長3.3%至429億美元，封裝材料營收同比增長4.7%至246億美元。因先進(jìn)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）、3D儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）和邏輯IC的復(fù)雜性和處理步驟增加，帶動(dòng)化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）和光阻劑等強(qiáng)勁增長兩位數(shù)百分比。 發(fā)表于：4/30/2025 ?…6789101112131415…?
