工業(yè)自動化最新文章 国际半导体巨头投资EDA，意欲何为？本土企业如何突围？ 在今年 ICCAD 高峰论坛上，硅芯科技创始人赵毅博士系统性提出“2.5D/3D EDA⁺ 新设计范式，重构先进封装全流程设计、仿真与验证的协同创新”（以下简称 “EDA⁺”）。这不是对传统 EDA 工具列表的简单加减，而是围绕先进封装场景，对设计方法、数据底座与协同模式的一次整体重构。 發(fā)表于：2025/12/10 意法半导体业内首款 Matter NFC 芯片, 简化智能家居NFC部署 2025年11月27日，中国 – 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)(纽约证券交易所代码:STM)发布了一款安全、可靠的NFC 芯片。 發(fā)表于：2025/12/10 高度集成的PMIC为人工智能应用带来关键优势 电源管理集成电路（PMIC）是一类专门用于管理各种系统和设备电源需求的电子元件。这些集成电路在现代电子产品中至关重要，能够高效地进行电源转换、分配和管理，从而确保电子设备的最佳性能和使用寿命。PMIC 被广泛应用于各种场合，从智能手机、平板电脑等便携式设备，到数据中心和工业设备等复杂系统。 發(fā)表于：2025/12/10 Intel公布三大全新晶体管材料 Intel在2025年IEEE国际电子器件会议上展示了三种可用于MIM堆叠的新材料——铁电铪锆氧化物、氧化钛和钛酸锶，其中后两者为超高K材料，在深槽电容结构中可把平面电容值提升至60–98 fF/μm²，漏电降至业界目标的1/1000，且兼容标准后端工艺，可在不牺牲电容漂移与击穿电压指标的前提下解决先进制程供电稳定性难题。 發(fā)表于：2025/12/10 TrendForce预测2026年人形机器人出货量破5万台 集邦咨询（TrendForce）昨日（12 月 9 日）发布最新研究报告，指出 2026 年将成全球人形机器人商用化的关键元年，预计全年出货量将突破 5 万台，同比增幅将超 700%。 發(fā)表于：2025/12/10 国创基础资源库成为2025年零部件3D模型首选平台 在众多的选择中,由广州泊沧数据技术有限公司运营的国创基础资源库凭借其“国家队”背景、海量数据储备及智能化服务体验,成为了2025年值得重点推荐的零部件3D模型平台。 發(fā)表于：2025/12/10 闻泰科技重大资产出售接近完成 12月9日傍晚，闻泰科技发布了《关于重大资产出售的进展公告》，宣布印度闻泰相关业务资产包已完成了向收购方立讯的转移，目前仅印度土地尚需交易对方配合进行资产权属变更手续，除此之外，本次交易的其余标的资产均已完成所涉权属变更登记手续。 發(fā)表于：2025/12/10 英特尔代工研究解决为不断缩小的晶体管供电的关键技术难题 12月9日消息，在近日举行的2025 年IEEE 国际电子会议（IEDM）上，英特尔及英特尔代工部门的研究人员介绍了他们在用于片上去耦电容的金属-绝缘体-金属（MIM）材料方面取得了突破性进展。该进展有望解决先进半导体制造中的一个关键挑战，即在晶体管不断缩小的同时，保持稳定的供电。 發(fā)表于：2025/12/10 海光信息公告终止换股吸收合并中科曙光 12月10日消息 昨晚，海光信息（688041.SH）发布公告称，公司董事会决定终止吸收合并中科曙光（603019.SH）。 發(fā)表于：2025/12/10 Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET 伊利诺伊州罗斯蒙特，2025年12月9日 -- Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。 發(fā)表于：2025/12/9 联电获imec 300mm硅光子学平台授权 12 月 9 日消息，联华电子（UMC、联电）昨日宣布其获得了 imec 的 300mm（12 英寸）硅光子学平台 ISiPP300 的技术授权。这一工艺支持 CPO（共封装光学）应用，将加速联电硅光子技术的发展。 發(fā)表于：2025/12/9 日本DNP开发出1.4nm级NIL纳米压印图案化模板 12 月 9 日消息，日本 DNP（大日本印刷）当地时间今日宣布成功开发出线宽仅 10nm 的 NIL 纳米压印图案化模板，支持 1.4nm 级逻辑半导体以及 NAND 闪存的制造。 發(fā)表于：2025/12/9 imec在HBM与GPU进行3D堆叠散热方面获得突破 12月9日消息，在近日举行的2025 年IEEE 国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）发布了首篇针对3D 高带宽内存（HBM）与图形处理器（GPU）堆叠元件（HBM-on-GPU）的系统技术协同优化（STCO）热学研究。通过完整热模拟研究，识别了散热瓶颈，并提出策略来提升该架构散热可行性。 發(fā)表于：2025/12/9 英特尔布局印度半导体制造与封装市场 12月9日消息，据《印度经济时报》报导，印度塔塔电子（Tata Electronics）与英特尔（Intel）近日签署了一项合作备忘录，双方同意深化在印度半导体和系统制造领域的合作。这项合作巩固了英特尔做为塔塔电子新成立的半导体制造（fab）和组装测试（OSAT）设施的首批潜在客户的地位，塔塔电子的半导体制造和组装测试设施预计设置在印度的古吉拉特邦和阿萨姆邦等地。 發(fā)表于：2025/12/9 传北方华创90:1深孔刻蚀设备取得突破 12月8日消息，据最新曝光的一份瑞银报告称，中国半导体设备大厂北方华创（NAURA）90:1高纵横比蚀刻方面可能取得了重大进展，这类刻蚀设备将可助力300层以上的NAND Flash闪存的生产。 發(fā)表于：2025/12/9 <…891011121314151617…>
