3 月 11 日消息，IBM 美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布與半導(dǎo)體設(shè)備制造商泛林 (Lam Research) 就亞 1nm 尖端邏輯制程的開發(fā)達(dá)成合作，雙方為期 5 年的新協(xié)議將重點(diǎn)聚焦新材料、先進(jìn)蝕刻 / 沉積工藝、High NA EUV 光刻的聯(lián)合開發(fā)。

兩家企業(yè)將結(jié)合 IBM 奧爾巴尼園區(qū)的先進(jìn)研究能力和泛林的端到端工藝工具和創(chuàng)新技術(shù)，團(tuán)隊(duì)將構(gòu)建并驗(yàn)證納米片和納米堆疊器件以及背面供電的完整工藝流程。這些能力旨在將 High NA EUV 圖案可靠地轉(zhuǎn)移到實(shí)際器件層中，實(shí)現(xiàn)高良率，并支持持續(xù)的微縮化、性能提升以及未來邏輯器件的可行量產(chǎn)路徑。

IBM 半導(dǎo)體總經(jīng)理 Mukesh Khare 表示：

十多年來，泛林一直是 IBM 的重要合作伙伴，為邏輯微縮和器件架構(gòu)方面的關(guān)鍵突破做出了貢獻(xiàn)，例如納米片技術(shù)以及 IBM 于 2021 年發(fā)布的全球首款 2nm 節(jié)點(diǎn)芯片。我們很高興能夠擴(kuò)大合作，共同應(yīng)對(duì)下一階段的挑戰(zhàn)，以實(shí)現(xiàn)高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術(shù)和 1nm 以下節(jié)點(diǎn)工藝。

泛林首席技術(shù)與可持續(xù)發(fā)展官 Vahid Vahedi 表示：

隨著行業(yè)進(jìn)入 3D 微縮的新時(shí)代，進(jìn)步取決于重新思考如何將材料、工藝和光刻技術(shù)整合為一個(gè)單一的高密度系統(tǒng)。我們很榮幸能夠與 IBM 在成功合作的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步推動(dòng) High NA EUV 干式光刻膠和工藝的突破，加速開發(fā)低功耗、高性能晶體管，這對(duì)于 AI 時(shí)代至關(guān)重要。