2 月 16 日消息，據(jù)北京大學(xué)官方賬號昨日分享，該校在非易失性存儲器領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，電子學(xué)院邱晨光-彭練矛團(tuán)隊首次提出“納米柵超低功耗鐵電晶體管”，真正實現(xiàn)了超低功耗下的數(shù)據(jù)高效存儲，相關(guān)成果日前發(fā)表于《科學(xué) · 進(jìn)展》。

據(jù)介紹，鐵電晶體管利用鐵電材料的極化翻轉(zhuǎn)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，是后摩爾芯片技術(shù)中極具潛力的半導(dǎo)體存儲器，受到學(xué)術(shù)界和業(yè)界廣泛關(guān)注，是破解“存儲墻”和實現(xiàn)人工智能底層架構(gòu)革新的關(guān)鍵新技術(shù)。

團(tuán)隊通過設(shè)計鐵電存儲的器件結(jié)構(gòu)，引入納米柵極電場匯聚增強效應(yīng)，研制出可在 0.6V 超低電壓下工作的鐵電晶體管，能耗降低至 0.45 fJ/μm。團(tuán)隊還將物理柵長縮減到 1 納米極限，為國際上迄今尺寸最小、功耗最低的鐵電晶體管，為構(gòu)建高性能亞 1 納米節(jié)點芯片和高算力 AI 芯片架構(gòu)提供了更具潛力的新物理機制存儲器件。

北京大學(xué)表示，納米柵極電場增強效應(yīng)對優(yōu)化鐵電晶體管的設(shè)計具有普適性指導(dǎo)意義，可擴展至廣泛鐵電材料體系。未來通過原子層沉積等標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝，有望研發(fā)出業(yè)界兼容的超低功耗鐵電存儲芯片。

目前，基于這項新機理已率先申請兼容業(yè)界 NAND 結(jié)構(gòu)和嵌入式 SOC 架構(gòu)的關(guān)聯(lián)專利集合，形成具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的“納米柵超低功耗鐵電晶體管”結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)體系 (中國專利：202511671105.4 / 202511672017.6 / 202511674034.3)，將助力我國在新型存儲領(lǐng)域打破國外技術(shù)壁壘。