3月27日消息，三星今天公開了其超高密度固態(tài)硬盤的最新路線圖，通過超密集封裝技術(shù)，計劃在2027年推出256TB的第六代E3.S規(guī)格固態(tài)硬盤。

核心技術(shù)突破在于封裝層面的跨越，根據(jù)現(xiàn)場圖片，三星目前的16顆裸片（Die）封裝技術(shù)已趨于成熟。

而新一代32顆裸片封裝技術(shù)，通過堆疊32顆1Tb QLC裸片，實現(xiàn)單顆4TB容量的封裝體，直接推動了整盤容量的翻倍增長。

路線圖顯示，三星超高密度固態(tài)硬盤的EDSFF規(guī)格具備更薄、更寬、更快、更密集的特點。

第五代E3.S產(chǎn)品采用2Tb 32DP 16規(guī)格，實現(xiàn)128TB容量；而定于2027年問世的第六代E3.S產(chǎn)品，將升級至2Tb 32DP 32，將單盤容量推向256TB。