EDA與制造相關(guān)文章 特朗普稱將對(duì)中國(guó)進(jìn)口商品加征100%關(guān)稅 北京時(shí)間10月11日，美國(guó)總統(tǒng)特朗普通過“真實(shí)社交”平臺(tái)宣布，將自2025年11月1日（或視中方后續(xù)行動(dòng)變化提前生效）起，美國(guó)將在現(xiàn)行關(guān)稅基礎(chǔ)上對(duì)中國(guó)加征100%的關(guān)稅。同日起，美國(guó)還將對(duì)任何及所有關(guān)鍵軟件實(shí)施對(duì)中國(guó)的出口管制。 發(fā)表于：10/13/2025 我國(guó)首條全自主12英寸碳化硅中試線投產(chǎn) 浙江晶盛機(jī)電股份有限公司近期在其投資者關(guān)系活動(dòng)中確認(rèn)，公司首條12英寸碳化硅襯底加工研發(fā)中試線已于2025年9月26日在其子公司爍科晶研正式貫通。 發(fā)表于：10/11/2025 我國(guó)科學(xué)家成功研發(fā)全新架構(gòu)閃存芯片 繼今年4月在《自然》提出“破曉”二維閃存原型器件后，復(fù)旦大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)又迎來新突破。 發(fā)表于：10/10/2025 ASML任命新任首席技術(shù)官 荷蘭菲爾德霍芬，2025年10月9日——ASML今日宣布任命畢慕科（Marco Pieters）為執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官，向ASML總裁兼首席執(zhí)行官傅恪禮（Christophe Fouquet）匯報(bào)。 發(fā)表于：10/10/2025 俄羅斯光刻機(jī)路線圖曝光 9月28日消息，俄羅斯計(jì)算機(jī)與數(shù)據(jù)科學(xué)博士Dmitrii Kuznetsov近日通過X平臺(tái)曝光了俄羅斯最新的光刻機(jī)研發(fā)路線圖，顯示俄羅斯最快將在2026年完成65-40nm分辨率的光刻機(jī)的研發(fā)，2032年前完成28nm分辨率的光刻機(jī)的研發(fā)，并最終在2036年前完成可以生產(chǎn)10nm以下先進(jìn)制程的全新極紫外線光（EUV）光刻機(jī)的研發(fā)。 發(fā)表于：9/30/2025 imec宣布取得兩項(xiàng)High NA EUV光刻突破性成就 近日，在美國(guó)加利福尼亞州蒙特雷舉辦的 “2025 SPIE 光掩模技術(shù) + EUV 光刻會(huì)議上”，比利時(shí)微電子研究中心（imec） 展示了單次打印High NA EUV 光刻的兩項(xiàng)突破性成就： 發(fā)表于：9/30/2025 三星2nm晶圓代工報(bào)價(jià)將下調(diào)至2萬美元搶客戶 9月27日消息，據(jù)臺(tái)媒DigiTimes報(bào)道，為了與臺(tái)積電2nm（N2）制程競(jìng)爭(zhēng)，三星已經(jīng)將其2nm（SF2）制程晶圓的代工報(bào)價(jià)下調(diào)至20000美元，相比傳聞的臺(tái)積電2nm晶圓代工報(bào)價(jià)30000美元低了三分之一。 發(fā)表于：9/30/2025 黃仁勛：中國(guó)芯片僅落后美國(guó)幾納秒 9月29日消息，作為行業(yè)最前線的從業(yè)者，中國(guó)芯片跟美國(guó)相比到底還有多少差距，黃仁勛給出了真實(shí)的答案。 英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛近日表示，中國(guó)在芯片領(lǐng)域僅落后美國(guó)“幾納秒”，在芯片研發(fā)和制造方面具有極強(qiáng)的潛力。他呼吁美國(guó)政府允許美國(guó)科技企業(yè)在中國(guó)等市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，以“提高美國(guó)的影響力”。 發(fā)表于：9/30/2025 特斯拉正全力推進(jìn)Optimus人形機(jī)器人的規(guī)?；a(chǎn) 9 月 29 日消息，埃隆?馬斯克表示，特斯拉正全力推進(jìn)“擎天柱”（Optimus）人形機(jī)器人的規(guī)?；a(chǎn)。在他看來，這款產(chǎn)品最終將成為特斯拉旗下最重要的產(chǎn)品。 發(fā)表于：9/30/2025 臺(tái)積電再次否認(rèn)投資英特爾 9月29日消息，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電否認(rèn)了與Intel就投資或合作事宜進(jìn)行談判的傳聞。 近日有報(bào)道稱Intel正尋求與臺(tái)積電合作或入股投資，此外還提到Intel正在與蘋果接觸，探討與這些科技巨頭之間的合作可能性。 發(fā)表于：9/30/2025 六大半導(dǎo)體巨頭EUV光刻機(jī)數(shù)量曝光 BOFA數(shù)據(jù)顯示，2021-2025年臺(tái)積電年均購入約25臺(tái)EUV光刻機(jī)，僅2024年降至10臺(tái)，累計(jì)107臺(tái)，為全球唯一破百廠商；三星歷年10-15臺(tái)，2024年僅3臺(tái)，合計(jì)55臺(tái)，居次；SK海力士前期采購少，近兩年集中下單，共26臺(tái)；Intel此前保守，2024年零采購，累計(jì)25臺(tái)；美光2024年首次購入5臺(tái)；日本Rapidus為2027年量產(chǎn)2nm已下單EUV，年內(nèi)已展示2nm晶圓。 發(fā)表于：9/30/2025 美國(guó)政府可能不會(huì)根據(jù)使用的芯片數(shù)量來對(duì)設(shè)備征稅 9月29日消息，據(jù)路透社此前報(bào)道，美國(guó)政府正在評(píng)估一項(xiàng)計(jì)劃，根據(jù)進(jìn)口電子產(chǎn)品所包含的芯片數(shù)量及其在設(shè)備中的估計(jì)價(jià)值對(duì)進(jìn)口電子產(chǎn)品征稅。然而，實(shí)施此類關(guān)稅存在明顯的困難，可能不會(huì)真正施行。 發(fā)表于：9/30/2025 臺(tái)積電3nm及5nm產(chǎn)能利用率將達(dá)100% 9月27日消息，據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，有芯片設(shè)計(jì)業(yè)者透露，臺(tái)積電3nm與5nm產(chǎn)能持續(xù)滿載，產(chǎn)能利用率（UTR）明年上半年將達(dá)到近100%水平， 其中3nm制程訂單更是被大廠訂滿，比如手機(jī)芯片巨頭高通、蘋果、聯(lián)發(fā)科，在HPC領(lǐng)域則有英偉達(dá)Rubin等加持，市場(chǎng)需求也超預(yù)期。 發(fā)表于：9/30/2025 芯原推出基于FD-SOI工藝的無線IP平臺(tái) 2025年9月24日，芯原股份今日發(fā)布其無線IP平臺(tái)，旨在幫助客戶快速開發(fā)高能效、高集成度的芯片，廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。 發(fā)表于：9/28/2025 臺(tái)積電1.4nm制程進(jìn)度超前 據(jù)外媒Wccftech近日?qǐng)?bào)道，根據(jù)The Futurum Group半導(dǎo)體分析師Ray Wang通過社交平臺(tái)X公布的信息稱，臺(tái)積電A14制程的“良率表現(xiàn)”（yield performance）進(jìn)展已經(jīng)超初原定進(jìn)度。 發(fā)表于：9/26/2025 ?…234567891011…?
