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2024年中國半導(dǎo)體設(shè)備支出猛增35%全球居首

5月28日消息，據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）最新統(tǒng)計(jì)，2024年中國在半導(dǎo)體設(shè)備上的支出達(dá)到495.5億美元，較去年同期增長35%，成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備支出國。這一增長主要得益于中國政府對(duì)本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的扶持以及企業(yè)積極擴(kuò)充產(chǎn)能，SEMI指出，中國通過政策支持和產(chǎn)業(yè)投資，鞏固其全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的地位。能力的提升。

發(fā)表于：5/29/2025

嘉立創(chuàng)發(fā)布50萬字的新書與創(chuàng)業(yè)扶持計(jì)劃

“設(shè)計(jì)方案無法順利投產(chǎn)？”“制造成本高企，返工不斷？”這些是許多電子工程師在研發(fā)過程中經(jīng)常遇到的痛點(diǎn)。在5月24日舉辦的第三屆開源硬件星火會(huì)暨電子工程師大會(huì)上，嘉立創(chuàng)針對(duì)這些難題，推出了重磅“組合拳”——發(fā)布《從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)：電子工程師PCB智造實(shí)戰(zhàn)指南》并啟動(dòng)開源硬件創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)扶持計(jì)劃，旨在將多年積累的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)與豐厚資源開放共享，全方位助力工程師的技能躍遷與項(xiàng)目成功落地。

發(fā)表于：5/29/2025

聯(lián)電宣布與英特爾合作開發(fā)的12nm制程平臺(tái)2027年量產(chǎn)

5月28日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行年度股東大會(huì)，聯(lián)電首席財(cái)務(wù)官劉啟東指出，與處理器大廠英特爾合作的12nm節(jié)點(diǎn)制程，為聯(lián)電最重要的發(fā)展計(jì)劃之一，預(yù)計(jì)量產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)將會(huì)落在2027年。而雙方也會(huì)采取分工的模式，由英特爾負(fù)責(zé)當(dāng)?shù)刂圃欤?lián)電則負(fù)責(zé)制程開發(fā)、銷售與服務(wù)流程技術(shù)。

發(fā)表于：5/29/2025

臺(tái)積電稱暫無為先進(jìn)制程導(dǎo)入High NA EUV必要

5 月 28 日消息，臺(tái)積電負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)開發(fā)及全球業(yè)務(wù)的資深副總經(jīng)理兼副聯(lián)席 COO 張曉強(qiáng)在荷蘭阿姆斯特丹當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日舉行的公司 2025 年技術(shù)論壇歐洲場(chǎng)上表示，臺(tái)積電暫無為先進(jìn)制程導(dǎo)入 High NA EUV 的必要。張曉強(qiáng)表示，臺(tái)積電新近公布的 1.4nm 級(jí)邏輯制程 A14 即使沒有導(dǎo)入 High NA EUV 圖案化設(shè)備，提升幅度也相當(dāng)可觀。

發(fā)表于：5/28/2025

消息稱SK海力士計(jì)劃10月量產(chǎn)12Hi HBM4內(nèi)存

5 月 28 日消息，韓媒 MToday 報(bào)道稱，SK海力士計(jì)劃今年十月開始正式量產(chǎn) HBM 高帶寬內(nèi)存的最新迭代版本 12Hi HBM4，而這一生產(chǎn)策略是因應(yīng)英偉達(dá)計(jì)劃明年推出的 "Rubin" 架構(gòu) AI GPU 的需求。

發(fā)表于：5/28/2025

臺(tái)積電警告稱芯片關(guān)稅可能削弱其在美1650億美元投資計(jì)劃

5 月 28 日消息，臺(tái)積電呼吁美國商務(wù)部豁免芯片進(jìn)口關(guān)稅，警告加征關(guān)稅可能削弱其 1650 億美元亞利桑那州擴(kuò)建計(jì)劃，并威脅美國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。今年 3 月，臺(tái)積電宣布在亞利桑那州追加 1000 億美元（現(xiàn)匯率約合 7192.28 億元人民幣）投資，計(jì)劃再建三座晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝廠和一個(gè)研發(fā)中心，總投資額累計(jì) 1650 億美元（現(xiàn)匯率約合 1.19 萬億元人民幣）。

發(fā)表于：5/28/2025

消息稱三星電子調(diào)整HBM團(tuán)隊(duì)組織架構(gòu) 押寶定制化產(chǎn)品

5 月 27 日消息，據(jù)韓媒 Financial News 報(bào)道，三星電子 DS（設(shè)備解決方案）部門負(fù)責(zé)人全永鉉正在對(duì)內(nèi)部組織進(jìn)行大刀闊斧的改革。據(jù)悉，全永鉉在被外界評(píng)價(jià)為“錯(cuò)失開發(fā)時(shí)機(jī)”的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）業(yè)務(wù)上力求扭轉(zhuǎn)局面，將三星 HBM 開發(fā)團(tuán)隊(duì)細(xì)分為標(biāo)準(zhǔn) HBM、定制化 HBM、HBM 產(chǎn)品工程（PE）及 HBM 封裝等團(tuán)隊(duì)。

發(fā)表于：5/28/2025

曝長鑫擬停產(chǎn)DDR4以全力進(jìn)軍DDR5和HBM

5月28日消息，據(jù)媒體報(bào)道，長鑫存儲(chǔ)計(jì)劃針對(duì)服務(wù)器及PC應(yīng)用的DDR4發(fā)布產(chǎn)品結(jié)束（EOL）通知，預(yù)計(jì)最晚在2026年上半年正式停止供貨，轉(zhuǎn)而全力投入DDR5及高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）領(lǐng)域。

發(fā)表于：5/28/2025

芯科科技推出首批第三代無線開發(fā)平臺(tái)SoC，推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)實(shí)現(xiàn)突破

中國，北京 – 2025年5月26日 – 低功耗無線解決方案領(lǐng)導(dǎo)性創(chuàng)新廠商Silicon Labs（亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）今日宣布：推出其第三代無線開發(fā)平臺(tái)產(chǎn)品組合的首批產(chǎn)品，即采用先進(jìn)的22納米（nm）工藝節(jié)點(diǎn)打造的兩個(gè)全新無線片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品系列：SiXG301和SiXG302

發(fā)表于：5/28/2025

美國政府半導(dǎo)體關(guān)稅出臺(tái)在即！

5月27日消息，針對(duì)美國商務(wù)部《貿(mào)易擴(kuò)張法》第232條進(jìn)行的半導(dǎo)體進(jìn)口國家安全調(diào)查，英特爾、美光和高通等美國半導(dǎo)體巨頭以及美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）近日都向美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）提交了意見評(píng)論，紛紛敦促美國總統(tǒng)特朗普謹(jǐn)慎對(duì)待半導(dǎo)體關(guān)稅，并警告一旦施行廣泛的關(guān)稅，可能對(duì)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成嚴(yán)重意外損害。根據(jù)此前報(bào)道，美國特朗普政府可能很快將會(huì)推出針對(duì)半導(dǎo)體加征關(guān)稅的政策，市場(chǎng)傳聞稅率可能高達(dá)25%～100%，并且新規(guī)則不排除以晶圓制造地（wafer out）作為源產(chǎn)地來加征關(guān)稅，這也將對(duì)臺(tái)積電、英特爾、三星、美光等晶圓制造廠商，以及以及英偉達(dá)、蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等依賴于圓代工產(chǎn)能的芯片設(shè)計(jì)廠商帶來負(fù)面影響。

發(fā)表于：5/27/2025

TrendForce預(yù)計(jì)2025年Q3 NAND閃存價(jià)格環(huán)比增幅有望達(dá)10%

5 月 26 日消息，市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) TrendForce 集邦咨詢今日表示，在 AI 需求刺激企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤需求顯著增長的背景下，預(yù)計(jì) 2025 年第三季度 NAND 閃存價(jià)格有望環(huán)比整張 10%。

發(fā)表于：5/27/2025

施奈仕用膠解決方案：用膠粘技術(shù)重構(gòu)變頻器防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)

在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，變頻器作為核心控制設(shè)備，其穩(wěn)定性與壽命直接影響整機(jī)性能。然而，復(fù)雜的使用環(huán)境對(duì)變頻器PCB電路板的防護(hù)提出了嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。山東匯科電氣技術(shù)有限公司正是在這一行業(yè)痛點(diǎn)中，通過與施奈仕的深度合作，以創(chuàng)新膠粘技術(shù)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的跨越式提升。

發(fā)表于：5/27/2025

臺(tái)積電發(fā)強(qiáng)硬聲明硬杠美國芯片關(guān)稅

5月26日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報(bào)道，美國商務(wù)部針對(duì)半導(dǎo)體關(guān)稅的所謂“232調(diào)查”意見報(bào)告即將出爐，半導(dǎo)體關(guān)稅呼之欲出。近日，晶圓代工龍頭臺(tái)積電致函美政府的全文首度曝光，其措詞強(qiáng)硬地警告稱，若美方執(zhí)意對(duì)芯片征收進(jìn)口關(guān)稅，將影響該公司在美國亞利桑那州的投資計(jì)劃。

發(fā)表于：5/27/2025

環(huán)球晶圓加入Wolfspeed客戶爭(zhēng)奪戰(zhàn)

5月26日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，針對(duì)近日全球碳化硅（SiC）龍頭Wolfspeed將申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)一事，半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭表示，希望爭(zhēng)取Wolfspeed原來合作客戶轉(zhuǎn)單的機(jī)會(huì)。

發(fā)表于：5/27/2025

礪算科技成功點(diǎn)亮國內(nèi)第一顆6nm GPU

5月26日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報(bào)道稱，又一款高性能國產(chǎn)GPU已封裝回片并成功點(diǎn)亮。據(jù)礪算科技高管透露，礪算科技首款GPU芯片已封裝回片并成功點(diǎn)亮。

發(fā)表于：5/27/2025