EDA與制造相關(guān)文章 存儲價格瘋漲 戴爾宣布商用PC漲價30% 12月14日消息，據(jù)外媒Business Insider 報道，其取得的PC及服務(wù)器大廠戴爾內(nèi)部的一份價格調(diào)整清單顯示，為應(yīng)對存儲芯片價格的持續(xù)上漲，戴爾將大幅上調(diào)面向企業(yè)客戶的商用PC產(chǎn)品價格，漲幅最高30%。 發(fā)表于：2025/12/15 傳聯(lián)發(fā)科拿下兩代谷歌TPU定制大單 12月15日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報》報道，隨著谷歌（Google）張量處理器（TPU）需求大漲，傳聞谷歌擴(kuò)大了對聯(lián)發(fā)科合作定制新一代TPU v7e的訂單，訂單量預(yù)計將比原計劃激增數(shù)倍。 發(fā)表于：2025/12/15 消息稱三星有意向高通和蘋果開放芯片降溫30%封裝技術(shù) 12 月 12 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日（12 月 11 日）發(fā)布博文，報道稱三星代工（Samsung Foundry）近日推出名為“Heat Pass Block”（HPB）的全新封裝技術(shù)，并計劃將其開放給蘋果和高通等客戶。 發(fā)表于：2025/12/12 JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會接近完成SPHBM4規(guī)范 12 月 12 日消息，JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會美國加州當(dāng)?shù)貢r間 11 日宣布，其已接近完成 SPHBM4 內(nèi)存規(guī)范。這里的 "SP" 是 "Standard Package"（標(biāo)準(zhǔn)封裝）的首字母簡寫。 發(fā)表于：2025/12/12 臺積電熊本晶圓二廠將升級4nm制程 12月11日消息，據(jù)《日經(jīng)新聞》報道，臺積電正在考慮升級其尚未建成的日本熊本晶圓廠（Fab 23）二廠的工藝技術(shù)，以便在日本制造更為先進(jìn)的N4（4nm）制程芯片。 發(fā)表于：2025/12/12 英特爾在歐盟反壟斷案中敗訴 12月11日，據(jù)路透社報道，當(dāng)?shù)貢r間本周三，美國芯片制造商英特爾未能推翻歐盟2023年做出的反壟斷裁決，歐洲高等法院維持了之前的裁決，但將罰款金額降低到了2.37億歐元（2.78億美元）。 發(fā)表于：2025/12/12 傳鎧俠明年將量產(chǎn)332層NAND Flash 12月11日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報道稱，存儲芯片大廠鎧俠（Kioxia）將在2026年開始生產(chǎn)332層的第10代NAND Flash，搶占AI數(shù)據(jù)中心需求。 發(fā)表于：2025/12/12 瑞銀報告顯示DRAM短缺將持續(xù)到2027年一季度 12月12日消息，瑞銀集團(tuán)（UBS）近日發(fā)布的一份最新報告指出，在AI需求激增、存儲產(chǎn)能調(diào)整等多重因素的影響下，預(yù)計今年第四季DDR合約價將環(huán)比上漲35%，NAND Flash合約價將環(huán)比上漲20%，漲幅均超出此前預(yù)期。 發(fā)表于：2025/12/12 中國商業(yè)航天市場規(guī)模今年將破2.8萬億元 12 月 11 日消息，“十五五”規(guī)劃建議將航空航天列為我國四大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之一，據(jù)央視新聞報道，目前，我國衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入快速發(fā)展期。 發(fā)表于：2025/12/11 傳英偉達(dá)拿下臺積電明年過半CoWoS產(chǎn)能 12月10日消息，先進(jìn)封裝正成為人工智能（AI）芯片行業(yè)最大的產(chǎn)能限制因素之一。根據(jù)臺媒DigiTimes的一份報告顯示，英偉達(dá)為保障AI芯片的產(chǎn)能，已經(jīng)獲拿到了2026年臺積電CoWoS先進(jìn)封裝超過一半的產(chǎn)能。 發(fā)表于：2025/12/11 全球首創(chuàng)空中蜂群母艦 我國“九天”無人機(jī)首飛成功 12月11日消息，據(jù)中國航空工業(yè)集團(tuán)有限公司介紹，“九天”無人機(jī)已在陜西蒲城圓滿完成首飛任務(wù)。作為我國自主創(chuàng)新的大型通用無人機(jī)平臺，該機(jī)型采用“通用平臺+模塊化任務(wù)載荷”設(shè)計理念，依托自主集成技術(shù)創(chuàng)新。 發(fā)表于：2025/12/11 豐田將在BEV車載充電系統(tǒng)導(dǎo)入Wolfspeed碳化硅MOSFET器件 12 月 11 日消息，今年早些時候成功完成破產(chǎn)重組的美國碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體企業(yè) Wolfspeed 當(dāng)?shù)貢r間本月 9 日宣布，其車規(guī)級 SiC MOSFET 獲得豐田汽車采用。 發(fā)表于：2025/12/11 國際半導(dǎo)體巨頭投資EDA，意欲何為？本土企業(yè)如何突圍？ 在今年 ICCAD 高峰論壇上，硅芯科技創(chuàng)始人趙毅博士系統(tǒng)性提出“2.5D/3D EDA? 新設(shè)計范式，重構(gòu)先進(jìn)封裝全流程設(shè)計、仿真與驗證的協(xié)同創(chuàng)新”（以下簡稱 “EDA?”）。這不是對傳統(tǒng) EDA 工具列表的簡單加減，而是圍繞先進(jìn)封裝場景，對設(shè)計方法、數(shù)據(jù)底座與協(xié)同模式的一次整體重構(gòu)。 發(fā)表于：2025/12/10 Intel公布三大全新晶體管材料 Intel在2025年IEEE國際電子器件會議上展示了三種可用于MIM堆疊的新材料——鐵電鉿鋯氧化物、氧化鈦和鈦酸鍶，其中后兩者為超高K材料，在深槽電容結(jié)構(gòu)中可把平面電容值提升至60–98 fF/μm²，漏電降至業(yè)界目標(biāo)的1/1000，且兼容標(biāo)準(zhǔn)后端工藝，可在不犧牲電容漂移與擊穿電壓指標(biāo)的前提下解決先進(jìn)制程供電穩(wěn)定性難題。 發(fā)表于：2025/12/10 長江存儲對美國國防部和商務(wù)部提起訴訟 當(dāng)?shù)貢r間12月8日，路透社報道稱，中國NAND閃存制造商長江存儲（YMTC）已向華盛頓特區(qū)聯(lián)邦法院對美國國防部提起訴訟。該訴訟要求法院暫停并撤銷將長江存儲列入“與中國軍方有關(guān)聯(lián)的實體”名單的認(rèn)定。美國國防部于2024年1月將長江存儲納入該名單，今年早些時候重申了這一認(rèn)定，長江存儲因此被禁止進(jìn)口含有美國技術(shù)的先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備。 發(fā)表于：2025/12/10 ?…567891011121314…?
