EDA與制造相關(guān)文章 SpaceX 星艦制造畫面曝光 12 月 9 日消息，隨著星艦第七次飛行測試的臨近，SpaceX 正在加緊制造后續(xù)的火箭，為 2025 年的星艦測試計劃提供支持。來自得克薩斯州博卡奇卡當?shù)孛襟w拍攝的畫面顯示 SpaceX 正在其工廠內(nèi)制造星艦上級火箭的部件，焊接機器人正在從多個角度對星艦的鼻錐進行焊接。 發(fā)表于：2024/12/9 長江存儲發(fā)聲明回應借殼萬潤科技上市傳聞 針對近期有媒體炒作國產(chǎn)NAND Flash芯片大廠長江存儲將“借殼上市”一事，12月9日晚間23:20分，長江存儲正式發(fā)布聲明進行了辟謠。 發(fā)表于：2024/12/9 ASML前員工涉嫌竊取公司芯片機密并出售被罰 據(jù)荷蘭媒體《NOS》報道，荷蘭庇護和移民事務部對一名阿斯麥（ASML）前員工實施了為期 20 年的入境禁令。這名與俄羅斯有聯(lián)系的個人目前正在接受調(diào)查，他被懷疑從阿斯麥竊取重要的微芯片文件并涉嫌從事間諜活動。當?shù)孛襟w報道稱，荷蘭很少實施此類禁令，通常只在涉及國家安全的案件中才會這樣做。 發(fā)表于：2024/12/9 消息稱臺積電2nm芯片生產(chǎn)良率達60%以上 在半導體行業(yè)中，“良率”（Yield）是一個關(guān)鍵指標，指的是從一片硅晶圓中切割出的可用芯片通過質(zhì)量檢測的比例。如果晶圓廠的良率較低，制造相同數(shù)量的芯片就需要更多的晶圓，這會推高成本、降低利潤率，并可能導致供應短缺。 據(jù)外媒 phonearena 透露，臺積電計劃明年開始量產(chǎn) 2 納米芯片，目前該公司已在位于新竹的臺積電工廠進行試產(chǎn)，結(jié)果顯示其 2nm 制程的良率已達到 60% 以上。 這一數(shù)據(jù)還有較大提升空間，外媒稱，通常相應芯片良率需要達到 70% 或更高才能進入大規(guī)模量產(chǎn)階段。以目前 60% 的試產(chǎn)良率，臺積電明年才能令其 2nm 工藝進入大規(guī)模生產(chǎn)階段。 發(fā)表于：2024/12/9 博通推出行業(yè)首個3.5D F2F封裝技術(shù) 12 月 6 日消息，博通當?shù)貢r間昨日宣布推出行業(yè)首個 3.5D F2F 封裝技術(shù) 3.5D XDSiP 平臺。3.5D XDSiP 可在單一封裝中集成超過 6000mm2 的硅芯片和多達 12 個 HBM 內(nèi)存堆棧，可滿足大型 AI 芯片對高性能低功耗的需求。 發(fā)表于：2024/12/6 小型衛(wèi)星公司每公斤發(fā)射成本難題待解 12月6日 衛(wèi)星發(fā)射領(lǐng)域的多位高管日前警告稱，盡管月球探索任務和太空制造等新興領(lǐng)域帶來了新的機遇，但小型衛(wèi)星發(fā)射公司仍面臨來自傳統(tǒng)巨頭價格戰(zhàn)和市場快速變化的巨大壓力。比如在發(fā)射成本上，小型衛(wèi)星公司要比SpaceX高出5倍左右。 發(fā)表于：2024/12/6 Intel 18A制程SRAM密度曝光 12月5日消息，根據(jù)英特爾計劃將在2025年量產(chǎn)其最新的Intel 18A制程，而臺積電也將在2025年下半年量產(chǎn)N2（2nm）制程，這兩種制程工藝都將會采用全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管架構(gòu)，同時Intel 18A還將率先采用背面供電技術(shù)，那么究竟誰更具優(yōu)勢呢？ 發(fā)表于：2024/12/6 英偉達Blackwell芯片將實現(xiàn)美國本土制造 12 月 5 日消息，英偉達今年 3 月推出了最新的 Blackwell 系列芯片（其中最強的是 GB200），但該公司發(fā)現(xiàn)客戶對這款芯片的需求很高，目前已經(jīng)供不應求。 Blackwell GPU 體積龐大，基于臺積電 4NP 工藝（注：RTX 40 系列采用了 4N 工藝），整合兩個獨立制造的裸晶（Die），共有 2080 億個晶體管。 發(fā)表于：2024/12/6 SK海力士新設AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門 12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。 發(fā)表于：2024/12/6 2024Q3全球前十大晶圓代工廠排名公布 12月5月消息，根據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新公布的報告顯示，2024年第三季盡管總體經(jīng)濟情況未明顯好轉(zhuǎn)，但受益于下半年智能手機、PC/筆電新品帶動供應鏈備貨，加上AI服務器相關(guān)HPC需求持續(xù)強勁，整體晶圓代工產(chǎn)能利用率較第二季改善，第三季全球前十大晶圓代工業(yè)者產(chǎn)值季增9.1%，達349億美元，這一成績部分原因歸功于高價的臺積電3nm制程大量貢獻產(chǎn)出，打破疫情期間創(chuàng)下的歷史紀錄。 發(fā)表于：2024/12/6 蘋果要求三星改進LPDDR內(nèi)存封裝方法 蘋果要求三星改進LPDDR內(nèi)存封裝方法：提升iPhone的AI性能 發(fā)表于：2024/12/6 WSTS預計明年全球半導體市場規(guī)模6971億美元 據(jù)日經(jīng)今日報道，由主要半導體企業(yè)構(gòu)成的世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織（WSTS）12 月 3 日發(fā)布預測稱，2025 年的半導體市場或?qū)⒈?2024 年預期增加 11%，達到 6971 億美元（注：當前約 5.08 萬億元人民幣）。 發(fā)表于：2024/12/5 Microchip放棄1.62億美元芯片法案補貼！ 12月4日消息，美國微控制器（MCU）及模擬芯片大廠微芯科技（Microchip）已暫停申請美國“芯片法案”的補貼，成為了第一家退出的已獲美國“芯片法案”補貼資格的公司。 發(fā)表于：2024/12/5 SK海力士將采用臺積電3nm生產(chǎn)HBM4 12月4日消息，據(jù)《韓國經(jīng)濟新聞》報道稱，傳聞韓國存儲芯片大廠SK海力士（SK Hynix）應重要客戶的要求，將于2025年下半以臺積電3nm制程為客戶生產(chǎn)定制化的第六代高頻寬內(nèi)存HBM4。 發(fā)表于：2024/12/5 SEMI報告顯示中國大陸Q3芯片設備銷售額達129.3億美元 國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）報告顯示，2024年第三季度全球芯片設備銷售額較去年同期大增19%至303.8億美元，連續(xù)兩個季度呈現(xiàn)增長，并創(chuàng)11個季度以來最大增幅。 發(fā)表于：2024/12/5 ?…9101112131415161718…?
