EDA與制造相關(guān)文章 西門子接近達(dá)成收購(gòu)工程軟件制造商Altair 西門子接近達(dá)成收購(gòu)工程軟件制造商Altair 發(fā)表于：2024/10/31 三星前員工涉嫌向韓國(guó)泄露國(guó)產(chǎn)內(nèi)存秘密被中國(guó)警方逮捕 據(jù)多家媒體報(bào)道，韓國(guó)駐華大使館于10月28日表示，一名50歲韓國(guó)男子A某因涉嫌“向韓國(guó)泄露中國(guó)半導(dǎo)體信息”，被以“間諜罪”于去年12月被中國(guó)警方拘留。 這是自去年 7 月中國(guó)修訂的《反間諜法》生效以來(lái)，第一起根據(jù)該法逮捕韓國(guó)人的案件。 報(bào)道稱，A某現(xiàn)居安徽省合肥市，在當(dāng)?shù)匾患野雽?dǎo)體公司工作，與妻子和兩個(gè)女兒一起生活。 A某曾就職于三星電子半導(dǎo)體部門擔(dān)任離子注入技術(shù)員二十余年，2016年開始移居中國(guó)，加入了中國(guó)最大的DRAM內(nèi)存芯片制造商CXMT，當(dāng)時(shí)該公司首次招募了10 名韓國(guó)半導(dǎo)體專業(yè)人員。隨后他在離開長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)后，又相繼在另外兩家中國(guó)半導(dǎo)體公司任職。 發(fā)表于：2024/10/31 德州儀器擴(kuò)大氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍 中國(guó)北京（2024 年 10 月 28 日）– 德州儀器 （TI）（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 （GaN） 的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開始投產(chǎn)。隨著會(huì)津工廠投產(chǎn)，加上德州儀器現(xiàn)有 GaN 制造產(chǎn)能，德州儀器的 GaN 功率半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能將提升至原來(lái)的四倍。 發(fā)表于：2024/10/31 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓， 突破技術(shù)極限并提高能效 【2024年10月29日, 德國(guó)慕尼黑訊】繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來(lái)西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）再次在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑。 發(fā)表于：2024/10/30 消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出 10 月 29 日消息，《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過(guò) 400，而預(yù)計(jì)于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。 三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級(jí)）DRAM。 發(fā)表于：2024/10/30 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓 10月29日消息，據(jù)英飛凌官方消息，近日，英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進(jìn)展，該直徑為300mm的晶圓的厚度僅為20μm，僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進(jìn)的40-60μm晶圓厚度的一半。英飛凌表示，這是其繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來(lái)西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，再次在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑。 發(fā)表于：2024/10/30 商務(wù)部回應(yīng)歐盟對(duì)華電動(dòng)汽車反補(bǔ)貼調(diào)查終裁 10 月 30 日消息，從商務(wù)部官網(wǎng)獲悉，商務(wù)部新聞發(fā)言人就歐盟公布對(duì)華電動(dòng)汽車反補(bǔ)貼調(diào)查終裁結(jié)果答記者問(wèn)。 發(fā)表于：2024/10/30 消息稱臺(tái)積電擬收購(gòu)更多群創(chuàng)工廠擴(kuò)產(chǎn)先進(jìn)封裝 據(jù)報(bào)道，半導(dǎo)體設(shè)備公司的消息人士透露，今年8月收購(gòu)了群創(chuàng)在南科的5.5代LCD面板廠的臺(tái)積電，打算在其已收購(gòu)的工廠附近收購(gòu)更多的群創(chuàng)工廠。 發(fā)表于：2024/10/30 國(guó)產(chǎn)廠商的光芯片布局解析 " 人工智能需求促使高速光模塊需求量劇增，光芯片供應(yīng)小于需求，目前缺口較大。" 光瓴時(shí)代（無(wú)錫）半導(dǎo)體有限公司（下稱 " 光瓴時(shí)代 "）創(chuàng)始人張杰向財(cái)聯(lián)社記者表示道。隨著 AI 服務(wù)器對(duì) 800G、1.6T 等高速光模塊的需求增加，光模塊的重要零組件光芯片陷入緊缺。 發(fā)表于：2024/10/29 2024年全球晶圓廠設(shè)備收入將達(dá)1330億美元 近日，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Group最新的報(bào)告顯示，目前半導(dǎo)體行業(yè)正處于強(qiáng)勁的上升軌道上，預(yù)計(jì)到 2024 年全球晶圓廠設(shè)備 （WFE）收入將達(dá)到 1330 億美元，同比增長(zhǎng) 19%。其中，其中83%來(lái)自設(shè)備出貨，17%來(lái)自服務(wù)和支持。但是不同設(shè)備細(xì)分市場(chǎng)的增長(zhǎng)將有很大差異。 Yole Group 分析師將2024年WFE市場(chǎng)的增長(zhǎng)主要?dú)w因于市場(chǎng)對(duì)面向生成式AI的DRAM/HBM 和處理器的投資增長(zhǎng)，而 NAND Flash的資本支出仍然疲軟，傳統(tǒng)邏輯和專業(yè)市場(chǎng)的資本支出則面臨潛在風(fēng)險(xiǎn)。在這種不確定的環(huán)境中，WFE 供應(yīng)商正在通過(guò)使其應(yīng)用組合多樣化來(lái)維持或提高其收入水平，從而應(yīng)對(duì)不均衡的資本支出。 發(fā)表于：2024/10/29 算能科技回應(yīng)被臺(tái)積電停止供貨 10月27日消息，據(jù)業(yè)內(nèi)最新消息，當(dāng)美國(guó)商務(wù)部開始調(diào)查臺(tái)積電涉嫌向被禁企業(yè)提供芯片之時(shí)，臺(tái)積電于本月早些時(shí)候停止了向中國(guó)廈門算能科技（SOPHGO）供應(yīng)芯片。 不過(guò)該消息并未證實(shí)算能科技被臺(tái)積電停止供貨是否與臺(tái)積電被美國(guó)商務(wù)部調(diào)查一事有關(guān)。 發(fā)表于：2024/10/28 英特爾宣布擴(kuò)容成都封裝測(cè)試基地 英特爾宣布擴(kuò)容成都封裝測(cè)試基地，增加服務(wù)器芯片服務(wù) 發(fā)表于：2024/10/28 Intel85億美元芯片法案資金仍未獲支付 Intel85億美元芯片法案資金仍未獲支付 發(fā)表于：2024/10/28 武漢光電國(guó)家研究中心團(tuán)隊(duì)攻克芯片光刻膠關(guān)鍵技術(shù) 重大突破！芯片光刻膠關(guān)鍵技術(shù)被攻克：原材料全部國(guó)產(chǎn) 配方全自主設(shè)計(jì) 發(fā)表于：2024/10/28 TrendForce預(yù)計(jì)2025年成熟制程產(chǎn)能將年增6% 10 月 24 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調(diào)查，受國(guó)產(chǎn)化浪潮影響，2025 年國(guó)內(nèi)晶圓代工廠將成為成熟制程增量主力，預(yù)估 2025 年全球前十大成熟制程代工廠的產(chǎn)能將提升 6%，但價(jià)格走勢(shì)將受壓制。 發(fā)表于：2024/10/25 ?…9101112131415161718…?
