3 月 4 日消息，AI 芯片、存儲芯片和邏輯處理器需求持續(xù)飆升，正在推動亞洲半導(dǎo)體企業(yè)大幅提高投資規(guī)模。今天晚間，集邦咨詢 TrendForce 數(shù)據(jù)顯示，亞洲多家主要芯片廠商今年資本支出預(yù)計(jì)將超過 1360 億美元，比 2025 年增長約 25%，其中臺積電、三星電子和 SK 海力士是擴(kuò)產(chǎn)的核心力量。

亞洲晶圓代工龍頭和存儲廠商正在顯著增加 2026 年投資規(guī)模。譬如，臺積電今年資本支出將達(dá)到 520 億至 560 億美元（現(xiàn)匯率約合 3595.83 億至 3872.43 億元人民幣）的歷史新高，同比增長 27% 至 37%。其中約 70% 至 80% 用于先進(jìn)制程，其余用于特殊制程和先進(jìn)封裝。

中芯國際也保持高水平投資，其資本支出規(guī)模幾乎與全年?duì)I收相當(dāng)，重點(diǎn)用于本土產(chǎn)能建設(shè)。預(yù)計(jì)該公司 2026 年的資本支出將與 2025 年基本持平，仍將保持在 80 億美元（現(xiàn)匯率約合 553.2 億元人民幣）以上。

與此同時，三星電子和 SK 海力士也在加大投資力度。TrendForce 預(yù)計(jì)，三星電子 2026 年資本支出將同比增長約 3.7%，SK 海力士可能提高約 24%。兩家公司都在擴(kuò)大產(chǎn)能，新增產(chǎn)能主要用于 HBM 高帶寬存儲。

三星計(jì)劃在 2026 年將 DRAM 產(chǎn)量提高約 20%，重點(diǎn)依托平澤 P4 工廠，并主要生產(chǎn) 10nm 級第六代（1C）DRAM，以配合 HBM4 需求。

SK 海力士方面，EBN 稱其清州 M15X 工廠已完成準(zhǔn)備，大部分新增產(chǎn)能預(yù)計(jì)將用于 HBM 生產(chǎn)。

消息稱 SK 海力士已經(jīng)上調(diào) 1C DRAM 擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)到 2027 年第一季度末，其月產(chǎn)能可能達(dá)到 17 萬至 20 萬片，接近原定目標(biāo)的兩倍。

NAND 領(lǐng)域，鎧俠與閃迪的聯(lián)盟也成為擴(kuò)產(chǎn)最激進(jìn)的力量之一。預(yù)計(jì)該合資項(xiàng)目 2026 年資本支出增長約 40%。

值得注意的是，這輪投資潮也蔓延到二線存儲廠商。例如，華邦電子計(jì)劃在 2026 年投入 421 億新臺幣（現(xiàn)匯率約合 93 億元人民幣），接近去年的八倍。

華邦電子主要生產(chǎn)用于各類設(shè)備存儲源代碼 NOR 閃存芯片，以及定制化舊制程 DRAM，預(yù)計(jì) 2026 年第一季度平均售價將上漲 30% 以上。

全球第五大 DRAM 廠商南亞科技也宣布大幅提高投資規(guī)模。在經(jīng)歷近三年的行業(yè)低迷后，其將 2026 年資本支出提高到此前水平的兩倍以上。據(jù)悉，南亞科技已經(jīng)公布 500 億新臺幣的資本支出預(yù)算，新工廠預(yù)計(jì)將在 2028 年上半年達(dá)到每月 2 萬片晶圓產(chǎn)能。