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汽車(chē)供應(yīng)鏈巨頭計(jì)劃大規(guī)模裁員

9 月 25 日消息，據(jù)德國(guó)《商報(bào)》今日?qǐng)?bào)道，博世正準(zhǔn)備進(jìn)行新一輪大規(guī)模裁員。行業(yè)消息人士向《商報(bào)》透露，裁員規(guī)?？赡芨哌_(dá)數(shù)萬(wàn)人。

發(fā)表于：2025/9/26

臺(tái)積電用AI設(shè)計(jì)芯片 2天工作5分鐘搞定

9月25日消息，AI席卷一切不是開(kāi)玩笑，現(xiàn)在很多程序員都在擔(dān)心被AI取代，但是硬件工程師也不一定保險(xiǎn)，臺(tái)積電已經(jīng)在用AI設(shè)計(jì)芯片，比芯片工程師高效很多。大家都知道當(dāng)前的AI芯片對(duì)性能要求高，這也導(dǎo)致了功耗不斷提升，新一代GPU功耗超過(guò)1000瓦已經(jīng)不是新聞，臺(tái)積電的目標(biāo)就是能將AI芯片能效提升10倍。這就需要革新AI設(shè)計(jì)工作，為此臺(tái)積電聯(lián)合Cadence、Synopsys兩大EDA軟件巨頭，實(shí)現(xiàn)了AI驅(qū)動(dòng)的芯片設(shè)計(jì)。

發(fā)表于：2025/9/26

應(yīng)用材料公司與格羅方德合作加速人工智能驅(qū)動(dòng)的光子技術(shù)發(fā)展

2025年9月23日，加利福尼亞州圣克拉拉和新加坡——應(yīng)用材料公司今日宣布與格羅方德（GlobalFoundries, GF）達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將在格羅方德新加坡工廠(chǎng)設(shè)立先進(jìn)波導(dǎo)制造工廠(chǎng)

發(fā)表于：2025/9/25

芯片關(guān)稅15% 美國(guó)正式實(shí)施美歐貿(mào)易協(xié)議

9 月 25 日消息，據(jù)央視新聞報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間 9 月 24 日，美國(guó)政府發(fā)布正式公告，宣布實(shí)施此前與歐盟達(dá)成的貿(mào)易協(xié)議，確認(rèn)自 8 月 1 日起，對(duì)歐盟進(jìn)口汽車(chē)及汽車(chē)產(chǎn)品征收 15% 的關(guān)稅。此外，文件還列出了對(duì)某些藥物化合物、飛機(jī)零部件及其他進(jìn)口商品的關(guān)稅豁免。

發(fā)表于：2025/9/25

消息稱(chēng)SK海力士加速引進(jìn)ASML EUV光刻機(jī)

9 月 24 日消息，韓媒 etnews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，SK 海力士計(jì)劃在未來(lái)兩年內(nèi)新購(gòu)置約 20 臺(tái) ASML 的 EUV 光刻系統(tǒng)?？紤]到 SK 海力士目前持有約 20 臺(tái)用于研發(fā)和生產(chǎn)的 EUV 機(jī)臺(tái)，這意味著這家存儲(chǔ)巨頭對(duì)此類(lèi)設(shè)備的保有規(guī)模將在兩年內(nèi)翻倍。

發(fā)表于：2025/9/25

蘋(píng)果可能成為英特爾新股東

9 月 25 日消息，彭博社當(dāng)?shù)貢r(shí)間 24 日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，在接連收獲軟銀、美國(guó)政府、英偉達(dá)的投資后，由陳立武執(zhí)掌的英特爾并未止步，正與多家公司進(jìn)行接觸以尋求更多外部資金注入與合作項(xiàng)目的機(jī)會(huì)。

發(fā)表于：2025/9/25

中國(guó)臺(tái)灣宣布制裁南非對(duì)47項(xiàng)半導(dǎo)體產(chǎn)品實(shí)施出口管制

9月23日，針對(duì)南非政府此前對(duì)中國(guó)臺(tái)灣當(dāng)局在當(dāng)?shù)剞k事處降級(jí)一事，中國(guó)臺(tái)灣當(dāng)局宣布對(duì)南非實(shí)施制裁，對(duì)出口南非的集成電路、芯片、內(nèi)存等47項(xiàng)物品實(shí)施出口管制，需經(jīng)過(guò)經(jīng)濟(jì)部門(mén)核準(zhǔn)才能出口。

發(fā)表于：2025/9/25

2025Q4全球DRAM價(jià)格將繼續(xù)上漲8%-13%

2025Q4全球DRAM價(jià)格將繼續(xù)上漲8%-13% 9月24日消息，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce最新調(diào)查報(bào)告顯示，三大DRAM原廠(chǎng)持續(xù)先進(jìn)制程產(chǎn)能優(yōu)先分配給高階服務(wù)器DRAM和HBM，排擠PC、移動(dòng)裝置和消費(fèi)級(jí)應(yīng)用產(chǎn)能，同時(shí)受各終端產(chǎn)品需求分化影響，第四季舊制程DRAM價(jià)格漲幅依舊可觀(guān)，新世代產(chǎn)品漲勢(shì)相對(duì)溫和。預(yù)估整體一般型DRAM（conventional DRAM）價(jià)格季增8%~13%，若加計(jì)HBM，漲幅擴(kuò)大至13%~18%。

發(fā)表于：2025/9/25

EDA標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際化研討會(huì)在杭州成功召開(kāi)

2025年9月15日，中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“電子標(biāo)準(zhǔn)院”）在杭州承辦IDAS 2025設(shè)計(jì)自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)峰會(huì)，并在峰會(huì)期間成功主辦了以“標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)通全球，EDA共建未來(lái)”為主題的EDA標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際化研討會(huì)分論壇。

發(fā)表于：2025/9/24

三星電子美國(guó)泰勒先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)再獲補(bǔ)助

9 月 23 日消息，美國(guó)得克薩斯州政府當(dāng)?shù)貢r(shí)間 17 日宣布，將從 TSIF 得州半導(dǎo)體創(chuàng)新基金中劃撥 2.5 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 17.79 億元人民幣），支持三星電子在該州泰勒市建設(shè)的先進(jìn)制程邏輯晶圓廠(chǎng)。

發(fā)表于：2025/9/23

聯(lián)發(fā)科即將投片臺(tái)積電美國(guó)先進(jìn)晶圓廠(chǎng)

9 月 22 日消息，參考臺(tái)媒 TechNews 科技新報(bào)報(bào)道，聯(lián)發(fā)科高管在今日天璣 9500 發(fā)布會(huì)的媒體活動(dòng)上表示，該企業(yè)正為在臺(tái)積電 TSMC Arizona 美國(guó)先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)投片進(jìn)行準(zhǔn)備，旨在滿(mǎn)足北美本地客戶(hù)特殊需求并為未來(lái)可能的關(guān)稅變動(dòng)準(zhǔn)備預(yù)案。

發(fā)表于：2025/9/23

臺(tái)積電前五大客戶(hù)明年洗牌博通或?qū)D下英偉達(dá)居第二

9月22日消息，據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，全球AI競(jìng)賽白熱化，臺(tái)積電2026年大客戶(hù)排名將面臨洗牌，蘋(píng)果在長(zhǎng)期計(jì)劃提前預(yù)定產(chǎn)能下，仍將穩(wěn)居臺(tái)積電最大客戶(hù)，貢獻(xiàn)的營(yíng)收金額也將將快速提升，最快2026年將貢獻(xiàn)超萬(wàn)億元新臺(tái)幣（約合330億美元）的業(yè)績(jī)。但是，博通將更將快速崛起，明年有望將擠下英偉達(dá)成為臺(tái)積電第二大客戶(hù)。

發(fā)表于：2025/9/23

中芯國(guó)際股價(jià)再創(chuàng)歷史新高半導(dǎo)體板塊年內(nèi)漲幅超40%

9月22日訊，繼上周四（9月18日）股價(jià)突破新高后，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體龍頭中芯國(guó)際A股今日再度大漲。截至發(fā)稿，中芯國(guó)際A股股價(jià)最高觸及129.83元/股，再創(chuàng)歷史新高。

發(fā)表于：2025/9/22

英偉達(dá)正在嘗試調(diào)升HBM4規(guī)格

根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，因應(yīng)AMD（超威）將于2026年推出MI450 Helios平臺(tái)，近期NVIDIA（英偉達(dá)）積極要求Vera Rubin server rack的關(guān)鍵零組件供應(yīng)商提高產(chǎn)品規(guī)格，包括HBM4的Speed per Pin須調(diào)升至10Gbps。盡管規(guī)格能否提升仍有變量，預(yù)計(jì)SK hynix（SK海力士）在HBM4量產(chǎn)初期將維持其最大供應(yīng)商的優(yōu)勢(shì)。

發(fā)表于：2025/9/22

技術(shù)逆襲三星頂級(jí)1c工藝將戰(zhàn)火全面燒向HBM4

經(jīng)歷多次挫折后，三星電子的12層HBM3E高寬帶存儲(chǔ)芯片終于獲得算力巨頭英偉達(dá)的首肯。據(jù)知情人士透露，三星的第五代12層HBM3E近期剛通過(guò)英偉達(dá)的資格測(cè)試。這一批準(zhǔn)距離三星完成芯片開(kāi)發(fā)已有18個(gè)月之久，期間的數(shù)次測(cè)試均未能滿(mǎn)足英偉達(dá)苛刻的性能要求。

發(fā)表于：2025/9/22