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首款國產(chǎn)DDR5內(nèi)存終于來了

12月18日消息，近日，金百達(dá)推出了首款基于國產(chǎn)顆粒的銀爵系列DDR5內(nèi)存，頻率為6000MHz，時(shí)序CL36-36-36-80，工作電壓1.35V，16GBx2套裝499元。外觀設(shè)計(jì)上采用了簡約大氣的銀白色散熱馬甲，整體風(fēng)格極具辨識(shí)度，能夠有效提升內(nèi)存模塊的散熱效果。

發(fā)表于：2024/12/18

SK海力士計(jì)劃對(duì)外提供先進(jìn)封裝代工服務(wù)

12月17日消息，據(jù)韓國媒體ETnews 報(bào)道，存儲(chǔ)芯片大廠SK 海力士正考慮進(jìn)軍先進(jìn)封裝市場，對(duì)外提供先進(jìn)封代工服務(wù)。報(bào)道稱，SK 海力士通過堆疊多個(gè) DRAM 然后封裝成 HBM，并在將HBM出售給英偉達(dá)等AI芯片大廠的生意中獲得了巨大成功。但是，臺(tái)積電是英偉達(dá)AI芯片的晶圓代工服務(wù)和先進(jìn)封裝服務(wù)提供商，在這過程中，SK海力士所能夠扮演的作用相對(duì)有限。同時(shí)，目前AI芯片所需的先進(jìn)封裝產(chǎn)能嚴(yán)重不足，即便是臺(tái)積電在持續(xù)不斷的擴(kuò)充產(chǎn)能。因此，SK海力士考慮進(jìn)軍OSAT（外包半導(dǎo)體封裝和測試）市場，以期能夠從中分得一杯羹。

發(fā)表于：2024/12/18

環(huán)球晶圓獲4.06億美元芯片法案補(bǔ)貼

12月17日，美國拜登政府宣布，美國商務(wù)部根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》激勵(lì)計(jì)劃，將向半導(dǎo)體硅片大廠環(huán)球晶圓（GlobalWafers）美國子公司——GlobalWafers America, LLC (GWA) 和 MEMC LLC (MEMC)發(fā)放了高達(dá) 4.06 億美元的直接資金激勵(lì)。這些激勵(lì)是在 2024 年 7 月 17 日宣布的先前簽署的初步條款備忘錄以及該部門完成盡職調(diào)查之后頒發(fā)的。美國商務(wù)部將根據(jù) GWA 和 MEMC 的項(xiàng)目里程碑完成情況支付資金。

發(fā)表于：2024/12/18

云道智造攜新一代仿真軟件走進(jìn)無錫

為推動(dòng)我國工業(yè)軟件高質(zhì)量發(fā)展和規(guī)?；瘧?yīng)用，搭建工業(yè)軟件企業(yè)與制造業(yè)企業(yè)溝通合作的橋梁，12月13日，中國電子信息行業(yè)聯(lián)合會(huì)工業(yè)軟件分會(huì)組織開展了“走進(jìn)無錫”活動(dòng)。電子聯(lián)合會(huì)常務(wù)副會(huì)長周子學(xué)率領(lǐng)多家工業(yè)軟件企業(yè)代表，調(diào)研了無錫信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展情況。作為分會(huì)的副理事長單位，北京云道智造科技有限公司隨團(tuán)參與了此次調(diào)研

發(fā)表于：2024/12/17

基于系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)的X頻段變頻模塊研制

研制了一款利用系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)（SIP）的小體積X頻段雙通道收發(fā)變頻模塊，在其內(nèi)部集成了采用不同工藝制成的器件。模塊把發(fā)射通道和接收通道集成到一個(gè)腔體中，并實(shí)現(xiàn)收發(fā)分時(shí)控制。模塊采用上下雙腔結(jié)構(gòu)，不同腔體之間采用BGA球柵陣列進(jìn)行垂直連接，顯著減小模塊體積，模塊體積為21 mm×16 mm×3.8 mm。模塊主要指標(biāo)測試結(jié)果為：接收通道輸入P-1dB ≤-10 dBm，接收信號(hào)增益30～35 dB，接收通道隔離度大于等于55 dB，接收噪聲系數(shù)小于等于8 dB；發(fā)射通道增益10～12 dB，發(fā)射通道最大輸出功率大于等于12 dBm，二次三次諧波抑制大于等于60 dBc，雜波抑制大于等于55 dBc，模塊可在-55～+85 ℃正常工作。實(shí)測結(jié)果與仿真結(jié)果基本一致。

發(fā)表于：2024/12/17

馬斯克透露特斯拉未來的重心是Optimus人形機(jī)器人

12 月 17 日消息，據(jù)中國臺(tái)灣媒體工商時(shí)報(bào)報(bào)道，特斯拉 CEO 埃隆?馬斯克上周在美國會(huì)見了臺(tái)積電董事長魏哲家。會(huì)面中，馬斯克強(qiáng)調(diào)了臺(tái)積電為特斯拉提供足夠產(chǎn)能以生產(chǎn)其自主研發(fā)的 Dojo芯片的重要性，該芯片將使用臺(tái)積電的 5nm 工藝制造并采用 InFO-SoW 先進(jìn)封裝。

發(fā)表于：2024/12/17

三星Exynos處理器或?qū)⒔挥膳_(tái)積電代工

12月16日消息，據(jù)韓國媒體Thebell的報(bào)道，處于困境當(dāng)中的三星電子半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，由于尖端制程的良率過低，可能將導(dǎo)致其系統(tǒng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)（System LSI）部門自研的Exynos 2500旗艦手機(jī)芯片將無緣于新一代的Galaxy S25系列器件智能手機(jī)。為了解決這一困境，未來部分Exynos處理器可能將會(huì)外包生產(chǎn)，臺(tái)積電可能將是首選。

發(fā)表于：2024/12/17

聯(lián)電成功拿下高通HPC芯片先進(jìn)封裝訂單

12月17日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》消息，近期聯(lián)電成功奪下高通高性能計(jì)算（HPC）產(chǎn)品的先進(jìn)封裝大單，預(yù)計(jì)將應(yīng)用在AI PC、車用，以及現(xiàn)在正熱的AI服務(wù)器市場，甚至包括高帶寬內(nèi)存（HBM）整合。這也打破了先進(jìn)封裝代工市場由臺(tái)積電、英特爾、三星等少數(shù)廠商壟斷的態(tài)勢。

發(fā)表于：2024/12/17

2025年晶圓代工走勢前瞻

晶圓代工持續(xù)看漲，2025走勢前瞻

發(fā)表于：2024/12/17

德國批準(zhǔn)臺(tái)積電德國晶圓廠項(xiàng)目融資

德國經(jīng)濟(jì)部宣布，由德國政府、臺(tái)積電、博世、英飛凌、恩智浦共同出資的ESMC德累斯頓晶圓廠項(xiàng)目融資正式獲批啟動(dòng)。德國經(jīng)濟(jì)部已同四家企業(yè)就該項(xiàng)目簽署了合同協(xié)議。

發(fā)表于：2024/12/17

臺(tái)積電首座日本晶圓廠即將于今年底前開始大規(guī)模生產(chǎn)

12 月 14 日消息，臺(tái)積電的日本子公司日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造公司總裁堀田祐一對(duì)日經(jīng)新聞表示，臺(tái)積電位于熊本縣的第一家日本工廠即將于今年底前開始大規(guī)模生產(chǎn)。他還表示，臺(tái)積電計(jì)劃于 2027 年在熊本投產(chǎn)第二家工廠?！拔覀兡壳罢跍?zhǔn)備地塊，建設(shè)將于 1 月至 3 月季度開始。”

發(fā)表于：2024/12/16

博世獲2.25億美元芯片法案補(bǔ)貼

博世獲2.25億美元芯片法案補(bǔ)貼，以支持其加州碳化硅工廠擴(kuò)建

發(fā)表于：2024/12/16

OKI推出全新PCB設(shè)計(jì)方案

12月16日消息，日本沖電氣工業(yè)株式會(huì)社（OKI Circuit Technology）近日宣布推出一種新的印刷電路板（PCB）設(shè)計(jì)，可將組件散熱性能提高 55 倍。這種特殊的創(chuàng)新，即在 PCB 上裝滿了階梯狀的圓形或矩形“銅幣”，可以進(jìn)入即使是最好的風(fēng)冷散熱器也難以拿下的市場，例如微型設(shè)備或外太空應(yīng)用。

發(fā)表于：2024/12/16

IDC發(fā)布2025年全球半導(dǎo)體市場八大趨勢預(yù)測

2025年半導(dǎo)體市場將實(shí)現(xiàn)15%增長。根據(jù)國際數(shù)據(jù)公司（IDC）“全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈追蹤情報(bào)” 的最新研究表明，鑒于 2025 年全球人工智能（AI）與高性能運(yùn)算（HPC）需求不斷攀升，從云端數(shù)據(jù)中心、終端設(shè)備到特定產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，各個(gè)主要應(yīng)用市場都面臨著規(guī)格升級(jí)的趨勢，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將再次迎來全新的繁榮景象。 IDC 資深研究經(jīng)理曾冠瑋表示：“在人工智能持續(xù)推動(dòng)高階邏輯制程芯片需求，以及高價(jià)高帶寬內(nèi)存（HBM）滲透率提升的推動(dòng)下，預(yù)計(jì) 2025 年整個(gè)半導(dǎo)體市場的規(guī)模將增長超過 15%。半導(dǎo)體供應(yīng)鏈涵蓋設(shè)計(jì)、制造、封裝測試、先進(jìn)封裝等產(chǎn)業(yè)，通過上下游之間的橫向與縱向合作，將會(huì)共同創(chuàng)造新一輪的增長機(jī)遇。”

發(fā)表于：2024/12/16

臺(tái)積電首次公開2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)和性能指標(biāo)

12月15日消息，IEDM 2024大會(huì)上，臺(tái)積電首次披露了N2 2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)和性能指標(biāo)：對(duì)比3nm，晶體管密度增加15％，同等功耗下性能提升15％，同等性能下功耗降低24-35％。

發(fā)表于：2024/12/16