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产能填补AI缺口 存储三巨头疯狂建厂

消费电子恐继续缺货
2026-02-21
來(lái)源:IT之家

2 月 20 日消息,科技媒體 Wccftech 昨日(2 月 19 日)發(fā)布博文,報(bào)道稱三星、SK 海力士和美光三大存儲(chǔ)巨頭為抓住行業(yè)“超級(jí)周期”,正掀起建廠狂潮。

美光在紙面上的投資計(jì)劃最為龐大。據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道,美光計(jì)劃投入 2000 億美元(IT之家注:現(xiàn)匯率約合 1.38 萬(wàn)億元人民幣)用于新項(xiàng)目,其中包括在美國(guó)愛達(dá)荷州博伊西建設(shè)占地 450 英畝的園區(qū)。該園區(qū)將擁有全美最大的潔凈室,包含兩座晶圓廠。

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圖源:美光

基于 60 萬(wàn)平方英尺的潔凈室規(guī)模估算,博伊西工廠的月產(chǎn)能(WPM)可達(dá) 15 萬(wàn)至 20 萬(wàn)片晶圓,這將使美光的全球總產(chǎn)量提升 40%。此外,美光還在紐約州規(guī)劃投資約 1000 億美元,計(jì)劃建設(shè)四個(gè)潔凈室。

據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道,SK 海力士位于龍仁的半導(dǎo)體集群項(xiàng)目總投資達(dá) 850 億美元,其首座晶圓廠從原定的 5 月,提前至今年 2 月或 3 月開始試產(chǎn)。

三星也調(diào)整了平澤 P4 工廠的計(jì)劃,將完工時(shí)間從明年一季度提前至 2026 年第四季度,P4 工廠預(yù)計(jì)將提供 10 萬(wàn)至 12 萬(wàn)片晶圓的月產(chǎn)能。

不過(guò)該媒體也指出,由于 AI 產(chǎn)品對(duì) DRAM 的需求,三大存儲(chǔ)巨頭大幅擴(kuò)張產(chǎn)能,但普通消費(fèi)者很難從中受益。原本主要用于消費(fèi)電子(如手機(jī))的 LPDDR 標(biāo)準(zhǔn),現(xiàn)在正被英偉達(dá)大量用于其機(jī)架級(jí) AI 產(chǎn)品中。此外,智能體 AI(Agentic AI)對(duì)內(nèi)存帶寬要求極高,促使制造商優(yōu)先生產(chǎn) HBM(高帶寬內(nèi)存)和 SOCAMM 模塊。因此,新增的產(chǎn)能將主要用于填補(bǔ) AI 領(lǐng)域的巨大缺口,消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的內(nèi)存短缺問(wèn)題在短期內(nèi)仍將持續(xù)。

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