EDA與制造相關(guān)文章 傳NAND Flash大廠鎧俠將于12月中旬上市 11月21日消息，據(jù)日經(jīng)新聞、路透社等外媒報(bào)道，日本NAND Flash大廠鎧俠（Kioxia）預(yù)計(jì)將在今年12月中旬在日本IPO上市，市值預(yù)估為7,500億日元，將遠(yuǎn)低于原先設(shè)定的1.5萬億日元目標(biāo)。 發(fā)表于：2024/11/22 意法半導(dǎo)體宣布40nm MCU交由華虹代工 11月21日消息，歐洲芯片大廠意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三在法國巴黎舉辦投資者日活動(dòng)，宣布了將與中國第二大晶圓代工廠合作，在中國生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的微控制器（MCU），以支持其中長期的營收目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。 發(fā)表于：2024/11/21 TrendForce預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌 據(jù)TrendForce研報(bào)顯示，第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價(jià)的關(guān)鍵時(shí)期，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應(yīng)充足、需求減弱，目前價(jià)格已呈現(xiàn)跌勢。 發(fā)表于：2024/11/21 SK海力士宣布量產(chǎn)全球最高的321層1Tb TLC 4D NAND閃存 11 月 21 日消息，SK 海力士剛剛宣布開始量產(chǎn)全球最高的 321 層 1Tb（太比特，與 TB 太字節(jié)不同）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存。 據(jù)介紹，此 321 層產(chǎn)品與上一代相比數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能分別提高了 12% 和 13%，并且數(shù)據(jù)讀取能效也提高 10% 以上。 發(fā)表于：2024/11/21 中國工業(yè)機(jī)器人密度已超越德國和日本 11 月 20 日消息，國際機(jī)器人聯(lián)合會(huì)（IFR）周三發(fā)布的年度報(bào)告顯示，中國在工業(yè)機(jī)器人使用方面已超越德國。 發(fā)表于：2024/11/21 2025年臺(tái)積電將新建10座工廠以應(yīng)對(duì)AI半導(dǎo)體需求 11月20日消息，全球晶圓代工巨頭臺(tái)積電（TSMC）正在著力擴(kuò)大其先進(jìn)封裝產(chǎn)能，以應(yīng)對(duì)人工智能（AI）半導(dǎo)體的旺盛需求。 據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電計(jì)劃明年在全球范圍內(nèi)新建10家工廠。新投資將重點(diǎn)放在2納米、CoWoS等先進(jìn)工藝技術(shù)上。臺(tái)積電明年的資本支出（CAPEX）預(yù)計(jì)將達(dá)到340億至380億美元。這不僅超過了市場預(yù)測的320億至 360 億美元，而且有可能刷新公司歷史上的最高資本支出記錄——2022年的362.9億美元。 發(fā)表于：2024/11/21 美國芯片法案敲定向格羅方德提供15億美元補(bǔ)貼 美國拜登政府已敲定針對(duì)格羅方德（GlobalFoundries）的《芯片法案》激勵(lì)措施，向該芯片制造商提供15億美元補(bǔ)貼，以支持美國工廠，這是更廣泛的半導(dǎo)體推動(dòng)措施的一部分。 發(fā)表于：2024/11/21 TrendForce研報(bào)預(yù)計(jì)2025年DRAM 價(jià)格將下跌 TrendForce：需求展望疲弱、庫存和供給上升，預(yù)計(jì) 2025 年 DRAM 價(jià)格將下跌 發(fā)表于：2024/11/18 全球第二大GPU生產(chǎn)商PC Partner總部遷離中國 全球第二大GPU生產(chǎn)商PC Partner總部遷離中國！新加坡上市、印尼生產(chǎn) 發(fā)表于：2024/11/17 美國芯片法案最大一筆補(bǔ)助 臺(tái)積電66億美元補(bǔ)助到手 美國《芯片法》最大一筆補(bǔ)助，臺(tái)積電 66 億美元補(bǔ)助到手 發(fā)表于：2024/11/17 日本首臺(tái)ASML EUV光刻機(jī)下月進(jìn)駐Rapidus晶圓廠 11 月 15 日消息，《日本經(jīng)濟(jì)新聞》當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日凌晨報(bào)道稱，日本先進(jìn)半導(dǎo)體代工企業(yè) Rapidus 購入的第一臺(tái) ASML EUV 光刻機(jī)將于 2024 年 12 月中旬抵達(dá)北海道新千歲機(jī)場，這也將成為日本全國首臺(tái) EUV 光刻設(shè)備。 發(fā)表于：2024/11/15 消息稱內(nèi)存原廠考慮HBM4采用無助焊劑鍵合 11 月 14 日消息，據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，三星電子、SK 海力士、美光均對(duì)在下代 HBM4 內(nèi)存中采用無助焊劑鍵合（Fluxless Bonding）技術(shù)抱有興趣，正在進(jìn)行技術(shù)準(zhǔn)備。 SK 海力士此前已宣布了 16 層堆疊 HBM3E，而從整體來看 HBM 內(nèi)存將于 HBM4 開始正式轉(zhuǎn)向 16 層堆疊。由于無凸塊的混合鍵合技術(shù)尚不成熟，傳統(tǒng)有凸塊方案預(yù)計(jì)仍將是 HBM4 16Hi 的主流鍵合技術(shù)。 更多的 DRAM Die 層數(shù)意味著 HBM4 16Hi 需要進(jìn)一步地壓縮層間間隙，以保證整體堆棧高度維持在 775 μm（IT之家注：即 0.775 mm）的限制內(nèi)。 發(fā)表于：2024/11/15 ASML預(yù)計(jì)2030年?duì)I收最高將達(dá)600億歐元 11月14日——在今日舉辦的2024 年投資者日會(huì)議上，ASML將更新其長期戰(zhàn)略以及全球市場和技術(shù)趨勢分析，確認(rèn)其到2030年的年收入將達(dá)到約440 億至 600 億歐元，毛利率約為56%至 60%。 ASML總裁兼首席執(zhí)行官傅恪禮（Christophe Fouquet）表示：“我們預(yù)計(jì)，在下一個(gè)十年我們有能力將EUV技術(shù)推向更高水平，并擴(kuò)展廣泛適用的全景光刻產(chǎn)品組合，使 ASML 能夠充分參與和抓住人工智能機(jī)遇，從而實(shí)現(xiàn)顯著的營收和盈利增長。” 鑒于半導(dǎo)體在多種社會(huì)宏觀趨勢中的關(guān)鍵推動(dòng)作用，該行業(yè)的長期發(fā)展前景依然樂觀。 除了多個(gè)重要終端市場的增長潛力外，得益于人工智能可能成為推動(dòng)社會(huì)生產(chǎn)力和創(chuàng)新的下一個(gè)重大驅(qū)動(dòng)力，ASML 認(rèn)為，人工智能的崛起為半導(dǎo)體行業(yè)帶來了顯著機(jī)遇。 發(fā)表于：2024/11/15 三星將為Meta和微軟定制HBM4解決方案 據(jù)韓國媒體MK報(bào)道，三星已經(jīng)啟動(dòng)了HBM4的開發(fā)，并且可能將為Meta和微軟這兩大AI云服務(wù)巨頭提供定制的HBM4內(nèi)存，以集成在它們的下一代AI解決方案當(dāng)中。這也標(biāo)志著三星HBM4工藝將首次被主流客戶采用。 發(fā)表于：2024/11/15 臺(tái)積電美國工廠遭遇集體訴訟 臺(tái)積電美國工廠遭遇集體訴訟！稱歧視不會(huì)中文員工 發(fā)表于：2024/11/15 ?…45678910111213…?
