臺(tái)積電2nm竊密案?jìng)刹榻Y(jié)束

8月27日消息，據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)高等檢察署智能財(cái)產(chǎn)分署偵辦的臺(tái)積電2nm核心關(guān)鍵技術(shù)營(yíng)業(yè)秘密遭非法竊取案已偵查結(jié)束，并于8月27日依照中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)“安全法”核心關(guān)鍵技術(shù)營(yíng)業(yè)秘密之域外使用罪、“營(yíng)業(yè)秘密法”意圖域外使用而竊取營(yíng)業(yè)秘密罪、竊取營(yíng)業(yè)秘密罪等罪嫌，起訴涉案3名工程師陳力銘、吳秉駿及戈一平，全案預(yù)計(jì)下周移審智慧財(cái)產(chǎn)及商業(yè)法院。

發(fā)表于：8/28/2025

美國(guó)定調(diào)：臺(tái)積電主宰產(chǎn)業(yè)對(duì)美構(gòu)成風(fēng)險(xiǎn)！

8月28日消息，之前，特朗普已高調(diào)宣布美國(guó)政府拿下10%英特爾股份，成為該公司的最大股東。 據(jù)外媒報(bào)道稱，美國(guó)財(cái)長(zhǎng)貝森特透露，美國(guó)可能入股造船等其他產(chǎn)業(yè)的公司，但強(qiáng)調(diào)還不確定是否需要入股軍工業(yè)者。 “美國(guó)沒有入股英偉達(dá)的理由，因?yàn)橛ミ_(dá)不需要金援。但臺(tái)積電主宰芯片產(chǎn)業(yè)對(duì)美國(guó)構(gòu)成安全風(fēng)險(xiǎn)?！?/a>

臺(tái)積電2nm預(yù)計(jì)Q4放量 蘋果初期獨(dú)占近50%產(chǎn)能

8 月 27 日消息，中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》今日?qǐng)?bào)道稱，臺(tái)積電 2nm（N2）制程將于今年第四季度擴(kuò)大量產(chǎn)，代工報(bào)價(jià)最高約為 3 萬(wàn)美元（每片晶圓）。 供應(yīng)鏈消息稱，蘋果、AMD、高通、聯(lián)發(fā)科、博通與英特爾等已在年底前陸續(xù)導(dǎo)入量產(chǎn)或啟動(dòng)合作，搶占 2nm 產(chǎn)能。 展望 2026 年，上述六大客戶投片量將顯著提高；到 2027 年，除 NVIDIA 外，亞馬遜旗下 Annapurna、谷歌、Marvell、比特大陸等逾 10 家大廠也將加入量產(chǎn)行列，帶動(dòng) N2 需求再升級(jí)。

發(fā)表于：8/28/2025

英特爾發(fā)起通用快接頭互插互換聯(lián)盟

8 月 27 日消息，英特爾在 8 月 21 日發(fā)起了通用快接頭（UQD）互插互換聯(lián)盟，首批認(rèn)證合作伙伴包括英維克、丹佛斯、立敏達(dá)科技、藍(lán)科電氣和正北連接，將實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心液冷產(chǎn)品跨品牌無差別兼容。 英特爾表示，在數(shù)據(jù)中心的液冷系統(tǒng)中，快接頭是一種重要組件，需要擁有長(zhǎng)達(dá)數(shù)年的使用周期與數(shù)千次的插拔壽命，但現(xiàn)在不同廠家的產(chǎn)品尺寸、端部設(shè)計(jì)、密封形式和質(zhì)量等各不相同，為數(shù)據(jù)中心的采購(gòu)和維護(hù)帶來了不便，后續(xù)采購(gòu)機(jī)型還需要驗(yàn)證向下兼容性、液路測(cè)試等。

發(fā)表于：8/28/2025

SK海力士開始供應(yīng)業(yè)界首款采用新材料的高效散熱移動(dòng)DRAM

8 月 28 日消息，SK 海力士 8 月 25 日宣布，已開發(fā)完成并開始向客戶供應(yīng)業(yè)界首款采用“High-K EMC”材料的高效散熱移動(dòng) DRAM 產(chǎn)品。

發(fā)表于：8/28/2025

Gartner發(fā)布2025中國(guó)基礎(chǔ)設(shè)施戰(zhàn)略技術(shù)成熟度曲線

商業(yè)與技術(shù)洞察公司Gartner最新發(fā)布的2025中國(guó)基礎(chǔ)設(shè)施戰(zhàn)略技術(shù)成熟度曲線顯示，盡管生成式AI已經(jīng)并將繼續(xù)帶動(dòng)技術(shù)發(fā)展，但持續(xù)的地緣政治和經(jīng)濟(jì)不確定性，將對(duì)基礎(chǔ)設(shè)施技術(shù)產(chǎn)生更為顯著的影響。 Gartner研究總監(jiān)張吟鈴女士表示：“今年的基礎(chǔ)設(shè)施戰(zhàn)略技術(shù)涉及四個(gè)方面共計(jì)29項(xiàng)技術(shù)，反映出市場(chǎng)的多樣性，四個(gè)方面分別為：加快實(shí)施自主可控計(jì)劃、提升生成式AI采用的影響、確?；A(chǔ)設(shè)施韌性以及保持運(yùn)營(yíng)效率。雖然入選本技術(shù)成熟度曲線的創(chuàng)新并未涵蓋基礎(chǔ)設(shè)施戰(zhàn)略涉及的所有領(lǐng)域，但均為中國(guó)CIO和I&O領(lǐng)導(dǎo)者應(yīng)優(yōu)先考慮的關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)?！?/a>

國(guó)內(nèi)首個(gè)專用光量子計(jì)算機(jī)制造工廠落地

國(guó)內(nèi)量子計(jì)算領(lǐng)軍企業(yè) —— 北京玻色量子科技有限公司自建的“專用光量子計(jì)算機(jī)制造工廠”近日正式落地深圳南山智城。

發(fā)表于：8/28/2025

三星據(jù)傳將投資英特爾封裝業(yè)務(wù)

8月26日訊，韓國(guó)科技巨頭三星電子董事長(zhǎng)李在镕正在美國(guó)訪問，有業(yè)內(nèi)人士猜測(cè)，此行可能將促成三星對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體公司英特爾的投資。 消息稱，由于臺(tái)積電為人工智能芯片在封裝業(yè)務(wù)上投入了大筆資金，三星可能將通過與英特爾的合作以增強(qiáng)自己的競(jìng)爭(zhēng)力，因?yàn)橛⑻貭柡团_(tái)積電是全球僅有兩家能夠進(jìn)行先進(jìn)后段（BEOL）芯片制造的高端芯片制造商。 BEOL是指將成品芯片放置到包含內(nèi)存和其他組件的完整封裝中的技術(shù)，其也是人工智能芯片供應(yīng)鏈中的關(guān)鍵一環(huán)，由于GPU和加速器需要大量電力才能運(yùn)行，其封裝技術(shù)必須更加嚴(yán)格才能避免故障。

發(fā)表于：8/27/2025

尼康半導(dǎo)體先驅(qū)時(shí)代終結(jié)

8 月 26 日消息，尼康公司發(fā)布公告宣布將于 2025 年 9 月 30 日關(guān)閉橫濱制造工廠，在該工廠的人員和運(yùn)營(yíng)將遷移至其他工廠。 據(jù)悉，由于經(jīng)濟(jì)停滯、日本人口結(jié)構(gòu)變化以及半導(dǎo)體和顯示器市場(chǎng)需求萎縮，尼康精密設(shè)備部門的收入近年來一直面臨下滑局面。此外，該公司主要客戶英特爾近期運(yùn)營(yíng)困難、美國(guó)關(guān)稅等問題也進(jìn)一步加劇了相應(yīng)壓力，最終導(dǎo)致尼康關(guān)閉橫濱工廠，這標(biāo)志著該公司作為半導(dǎo)體先驅(qū)的時(shí)代迎來終結(jié)。

發(fā)表于：8/27/2025

PCB多層板設(shè)計(jì)如何控制阻抗

1. 特性阻抗 傳輸線與特性阻抗的關(guān)系：信號(hào)在傳輸線中傳輸?shù)倪^程中，信號(hào)到達(dá)的每一個(gè)點(diǎn)，傳輸線和平面之間會(huì)形成電場(chǎng)，由于電場(chǎng)的的存在，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)瞬間的小電流，這個(gè)小電流在傳輸線上的每一點(diǎn)都存在。同時(shí)信號(hào)也存在一定的電壓，這樣在信號(hào)的傳輸過程中，傳輸線的每一點(diǎn)就會(huì)等效成一個(gè)電阻，這個(gè)電阻就是我們所指的特性阻抗。

發(fā)表于：8/27/2025

美國(guó)為何如此急于入股英特爾

近期，當(dāng)美國(guó)政府掏出真金白銀入股英特爾的消息傳開時(shí)，這家昔日半導(dǎo)體巨頭的股價(jià)一口氣飆升20%。 但熟悉內(nèi)情的人都清楚，這不過是一場(chǎng)持續(xù)多年的 "搶救接力賽"—— 從拜登政府的芯片法案，到去年盛傳的希望臺(tái)積電入股英特爾，到近期政府直接下場(chǎng)。 更廣泛而言，美國(guó)想挽救的不止是一個(gè)英特爾，而是整個(gè)高端工業(yè)，乃至整個(gè)制造業(yè)。美國(guó)之所以如此急于“混改”英特爾，在其背后，實(shí)則事關(guān)美國(guó)制造業(yè)回流與復(fù)興這一全盤戰(zhàn)略規(guī)劃。 如何理解這一深層邏輯，美國(guó)這一“萬(wàn)億豪賭”能夠得償所愿嗎？

發(fā)表于：8/26/2025

臺(tái)積電2nm工藝被傳放棄國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備及材料

8月25日消息，臺(tái)積電今年將量產(chǎn)2nm工藝，這也是臺(tái)積電首次使用GAA結(jié)構(gòu)晶體管技術(shù)，將進(jìn)一步鞏固臺(tái)積電在先進(jìn)工藝上的壟斷地位。 從這一代工藝開始，臺(tái)積電還有個(gè)重要變化，那就是將淘汰國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備及材料，這意味著2nm及未來的A16、A14工藝將只會(huì)使用美國(guó)、日本、歐洲、韓國(guó)等地區(qū)的設(shè)備。

發(fā)表于：8/26/2025

臺(tái)積電正在加快美國(guó)晶圓二廠及三廠量產(chǎn)進(jìn)程

8月25日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，蘋果、AMD、英偉達(dá)、博通等美系芯片設(shè)計(jì)廠商都在持續(xù)下單臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州晶圓廠產(chǎn)能，臺(tái)積電為應(yīng)對(duì)大客戶需求，亞利桑那州晶圓二廠和三廠的量產(chǎn)時(shí)間都將提前。

發(fā)表于：8/26/2025

臺(tái)積電或考慮退回美國(guó)芯片法案補(bǔ)貼

2025年8月23日消息，據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》援引知情人士的話報(bào)道稱，臺(tái)積電的高管們已經(jīng)就退還美國(guó)政府授予的《芯片與科學(xué)法案》（以下簡(jiǎn)稱“芯片法案”）補(bǔ)貼進(jìn)行了初步討論，以避免美國(guó)政府提出股權(quán)要求。

發(fā)表于：8/25/2025

SK海力士開始量產(chǎn)321層QLC NAND閃存

8 月 25 日消息，SK海力士公司宣布其 321 層 2Tb QLC NAND 閃存產(chǎn)品已完成開發(fā)并正式投入量產(chǎn)。這一成果標(biāo)志著全球首次實(shí)現(xiàn)超過 300 層的 QLC 技術(shù)應(yīng)用，為 NAND 存儲(chǔ)密度樹立了新的標(biāo)桿。該公司計(jì)劃在完成全球客戶驗(yàn)證后，于明年上半年正式推出該產(chǎn)品。

發(fā)表于：8/25/2025