Rapidus宣布2025年4月啟動2nm試產(chǎn)線

12 月 13 日消息，據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報道，日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造商 Rapidus 的會長東哲郎本月 11 日在 SEMICON Japan 展會開幕式上致辭時表示對該企業(yè)的 2nm 試產(chǎn)線充滿信心。

發(fā)表于：2024/12/13

消息稱Synopsys擬收購Ansys后剝離資產(chǎn)

消息稱Synopsys擬收購Ansys后剝離資產(chǎn)，以期歐盟批準(zhǔn)350億美元交易

發(fā)表于：2024/12/13

英特爾仍未確認(rèn)代工廠將是否完全獨(dú)立

12 月 13 日消息，據(jù)彭博社報道，在當(dāng)?shù)貢r間周四舉行的巴克萊第 22 屆全球科技大會上，英特爾的聯(lián)合首席執(zhí)行官 Michelle Johnston Holthaus 和 David Zinsner 坦言，公司在產(chǎn)品改進(jìn)和重建客戶信任方面“還有很長的路要走”。

發(fā)表于：2024/12/13

三星電子HBM3E內(nèi)存性能未滿足英偉達(dá)要求

12 月 11 日消息，韓媒 hankooki 當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，三星電子由于 8 層、12 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存樣品性能未達(dá)英偉達(dá)要求，難以在今年內(nèi)正式啟動向這家大客戶的供應(yīng)，實(shí)際供貨將落到 2025 年。 報道表示，三星電子早在 2023 年 10 月就開始向英偉達(dá)供應(yīng) HBM3E 內(nèi)存的質(zhì)量測試樣品，但一年多的時間內(nèi)三星 HBM3E 的認(rèn)證流程并未取得明顯進(jìn)展。

發(fā)表于：2024/12/12

IBM與Rapidus展示多閾值電壓GAA晶體管合作研發(fā)成果

12 月 12 日消息，據(jù) IBM 官方當(dāng)?shù)貢r間 9 日博客，IBM 和日本先進(jìn)芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 國際電子器件會議上展示了兩方合作的多閾值電壓 GAA 晶體管研發(fā)成果，這些技術(shù)突破有望用于 Rapidus 的 2nm 制程量產(chǎn)。 IBM 表示，先進(jìn)制程升級至 2nm 后，晶體管的結(jié)構(gòu)由使用多年的 FinFET（IT之家注：鰭式場效應(yīng)晶體管）轉(zhuǎn)為 GAAFET（全環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管），這對制程迭代帶來了新的挑戰(zhàn)：如何實(shí)現(xiàn)多閾值電壓（Multi Vt）從而讓芯片以較低電壓執(zhí)行復(fù)雜計算。

發(fā)表于：2024/12/12

傳美國將在圣誕節(jié)前推出對華AI芯片限制新規(guī)

12月11日消息，在本月初美國將140加中國半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)列入了實(shí)體清單，并升級對EDA、半導(dǎo)體設(shè)備、HBM限制之后，業(yè)內(nèi)又傳出消息稱，美國商務(wù)部工業(yè)暨安全局（BIS）將會在今年圣誕節(jié)之前，發(fā)布新的人工智能（AI）管制規(guī)則，有可能將進(jìn)一步限制AI芯片的對華出口。 消息稱，美國BIS目前已將相關(guān)限制規(guī)則的內(nèi)容提交給了相關(guān)機(jī)構(gòu)審查，按照之前的經(jīng)驗(yàn)，審查時間大約耗時一周，所以預(yù)計公布的時間可能將會在下周，也就是在圣誕節(jié)之前。該限制規(guī)則可能與此前臺積電對中國大陸AI芯片企業(yè)暫停7nm及以下先進(jìn)制程代工服務(wù)有關(guān)。 根據(jù)之前的爆料顯示，中國廠商設(shè)計的芯片如果die size大于300mm²、晶體管數(shù)量大于300億顆、使用先進(jìn)封裝和HBM，主要用于AI訓(xùn)練，臺積電等有采用美國技術(shù)的海外晶圓代工廠都將禁止提供代工服務(wù)。

發(fā)表于：2024/12/12

英飛凌CEO：將在中國生產(chǎn)芯片

12月11日消息，據(jù)《日經(jīng)亞洲》報道，德國芯片大廠英飛凌CEO Jochen Hanebeck近日在接受采訪時透露，英飛凌正在將商品級產(chǎn)品的生產(chǎn)本地化，以尋求與中國買家保持密切聯(lián)系。

發(fā)表于：2024/12/12

泛林介紹世界首款半導(dǎo)體制造設(shè)備維護(hù)專用協(xié)作機(jī)器人

12 月 11 日消息，Lam Research 泛林集團(tuán)當(dāng)?shù)貢r間昨日對其打造的世界首款專為半導(dǎo)體制造設(shè)備維護(hù)打造的協(xié)作機(jī)器人（注：Collaborative Robot）Dextro 進(jìn)行了介紹，并表示該型機(jī)器人已獲全球多家先進(jìn)晶圓廠應(yīng)用。

發(fā)表于：2024/12/12

魏少軍建議應(yīng)大力發(fā)展不依賴先進(jìn)工藝的芯片設(shè)計技術(shù)

12月11日消息，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會理事長魏少軍今日表示，應(yīng)大力發(fā)展不依賴先進(jìn)工藝的芯片設(shè)計技術(shù)。 “伴隨著外部先進(jìn)加工資源對我國芯片設(shè)計企業(yè)關(guān)閉，中國芯片設(shè)計企業(yè)所能使用的制造技術(shù)不再像之前那樣豐富，需要在技術(shù)創(chuàng)新上關(guān)注不依賴先進(jìn)工藝的設(shè)計技術(shù)?！?/a>

消息稱三星電子啟動下代1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備訂購

12 月 11 日消息，韓媒 ZDNet 當(dāng)?shù)貢r間 9 日援引行業(yè)報告表示，三星電子已于近日啟動下代 1c nm 制程 DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)所需設(shè)備的采購，從 Lam Research 泛林集團(tuán)等主要半導(dǎo)體設(shè)備制造商購買的設(shè)備將于明年 2 月左右引進(jìn)至量產(chǎn)線。 三星電子目前尚未官宣 1c nm（注：第 6 代 10nm 級制程）DRAM。報道指出三星電子的 1c nm 目前處于試產(chǎn)狀態(tài)，已得到首批 Good Die 良品晶粒，其首條 1c nm 量產(chǎn)線將設(shè)置于韓國京畿道平澤 P4 工廠。

發(fā)表于：2024/12/11

臺積電創(chuàng)始人談Intel失敗原因

12月11日消息，隨著CEO帕特·基辛格下課，Intel目前面臨后繼無人的狀態(tài)。在真正尋找到能帶領(lǐng)其重回巔峰的領(lǐng)導(dǎo)人之前，其未來前途可謂迷霧重重。

發(fā)表于：2024/12/11

美國商務(wù)部已向美光科技提供61億美元資金

12 月 11 日消息，美國商務(wù)部周二表示，作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分，美光科技已獲得高達(dá) 61.65 億美元（注：當(dāng)前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導(dǎo)體。

發(fā)表于：2024/12/11

臺積電11月營收同比增長34%

12月10日，晶圓代工大廠臺積電公布了2024年11月營收數(shù)據(jù)，當(dāng)月營收金額為新臺幣2760.58億元，環(huán)比減少12.2%，同比增長34.0%。累計前11個月營收約新臺幣26161.45億元，同比增長31.8%。

發(fā)表于：2024/12/11

臺積電2nm工藝?yán)^續(xù)漲價

12月9日消息，據(jù)媒體報道，臺積電在新竹寶山工廠開始2nm試產(chǎn)，其良率達(dá)到了60%，超越臺積電內(nèi)部預(yù)期，除了寶山工廠外，明年上半年臺積電還計劃在高雄工廠開展2nm試產(chǎn)工作。

發(fā)表于：2024/12/10

三星完成400層NAND Flash開發(fā)

12月9日消息，根據(jù)韓國媒體BusinessKorea報道稱，三星電子在其半導(dǎo)體研究所中已經(jīng)成功完成了突破性400層堆疊NAND Flash閃存技術(shù)的開發(fā)。同時，三星也自上個月開始，將這項先進(jìn)技術(shù)轉(zhuǎn)移到其平澤園區(qū)一號工廠中大規(guī)模生產(chǎn)線。而這一重要的里程碑的達(dá)成，將使得三星處于NAND Flash技術(shù)的領(lǐng)先位置，將有望領(lǐng)先已經(jīng)宣布計劃量產(chǎn)321層NAND Flash的SK海力士。

發(fā)表于：2024/12/10