EDA與制造相關(guān)文章 三大電子代工大廠加碼投資美國 隨著特朗普與各國及地區(qū)的關(guān)稅政策的逐步落實，迫使越來越多的半導體及IT制造商赴美國建廠。 8月12日，電子代工大廠仁寶在公布二季度業(yè)績的同時，宣布對美國增資3億美元，以應對當?shù)貙τ诜掌餍枨蟮脑鲩L。同時，廣達宣布1.7億美元增資美國田納西州納許維爾子公司，持續(xù)擴大美國AI服務器投資。緯創(chuàng)也宣布授予美國子公司不超過6,250萬美元額度內(nèi)，進行美國達拉斯Eagle廠建筑物改良。這三大代工廠此次合計增資美國超5.3億美元！ 發(fā)表于：8/13/2025 國臺辦回應美方芯片關(guān)稅和臺積電赴美投資 國臺辦今日上午舉行例行新聞發(fā)布會。記者：美國總統(tǒng)特朗普日前受訪稱，將對半導體等進口商品征收100%關(guān)稅。并稱臺積電將在美投資3000億美元，在亞利桑那州建立全世界最大晶圓廠。對此有何評論？國臺辦發(fā)言人朱鳳蓮：此前，臺積電被迫宣布在美加碼投資1000億美元時，已使島內(nèi)業(yè)界恐慌、民怨沸騰。此次3000億美元投資一旦落地，勢必對臺灣經(jīng)濟造成巨大影響，臺灣經(jīng)濟的發(fā)展動能和自主性將被進一步削弱。如果說美國是掏空臺灣產(chǎn)業(yè)的始作俑者，那么民進黨當局就是最大的幫兇。他們在關(guān)稅談判上“未談先跪”、“打左臉送右臉”，對談判過程諱莫如深，甚至對民眾一騙再騙；在產(chǎn)業(yè)上對美國予取予求，主動奉送臺積電，任其榨干臺灣優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)價值，充分說明民進黨當局根本無心也無力維護臺灣經(jīng)濟發(fā)展和民眾福祉。奉勸民進黨當局在“媚美賣臺”的邪路上及時懸崖勒馬，臺灣民眾和各界有識之士應當團結(jié)起來，積極維護自身利益。 發(fā)表于：8/13/2025 中穎電子否認國產(chǎn)光刻機廠商借殼上市傳聞 近日，對于市場傳聞稱中穎電子可能作為殼資源，吸收合并國產(chǎn)光刻機廠商——上海微電子上市一事，中穎電子在投資者互動平臺回復時表示：“不清楚傳聞來源，請以公司公告為準。當前只會考慮IC設(shè)計公司。 發(fā)表于：8/13/2025 消息稱三星正研發(fā)超大面板級先進封裝SoP 8 月 12 日消息，隨著單體芯片大小觸及光罩尺寸限制，現(xiàn)代超高性能芯片越來越依賴先進封裝實現(xiàn)多個功能裸晶的聚合。而對于超大規(guī)模芯片系統(tǒng)而言，300mm 直徑的 12 英寸晶圓 (Wafer) 也終將無法滿足大規(guī)模高效率量產(chǎn)的需求，以更大面積的面板 (Panel) 作為“舞臺”的下一代先進封裝正在蓬勃發(fā)展。 發(fā)表于：8/13/2025 英特爾風波折射美國芯片業(yè)焦慮 英特爾衰落與美國制造 8月11日，美國總統(tǒng)特朗普在社交平臺發(fā)帖稱，已與英特爾首席執(zhí)行官陳立武會面，“這次會面非常有趣。他的成功和崛起令人驚嘆。”陳立武將與內(nèi)閣成員深入交流，并就美國政府如何與英特爾合作以應對其虧損的芯片制造業(yè)務提出建議方案。 英特爾也在一份聲明中說，“今日早些時候，陳先生與特朗普總統(tǒng)會面，就英特爾致力于加強美國技術(shù)和制造業(yè)領(lǐng)導地位進行了坦誠和建設(shè)性的討論。” 發(fā)表于：8/13/2025 臺積電決定兩年內(nèi)逐步退出6英寸晶圓制造 8 月 12 日消息，臺積電今日召開了新一期的董事會。該企業(yè)表示為優(yōu)化組織運作與精進營運效能，經(jīng)完整評估，決定在未來 2 年內(nèi)逐步退出 6 英寸晶圓制造業(yè)務，并持續(xù)整并 8 英寸晶圓產(chǎn)能，以提升營運效益。 發(fā)表于：8/13/2025 前CEO直言只有Intel才能救美國芯片制造 8月12日消息，作為曾經(jīng)的半導體一哥，Intel公司近年來陷入了風波之中，華裔CEO陳立武上臺之后又面臨多項考驗，面見總統(tǒng)之后才避免了下臺的風險。 但是對Intel來說，陳立武留任之后要做的事還有很多，如何讓這家50多年的美國半導體行業(yè)領(lǐng)頭羊重新成為標桿，尤其是在先進工藝上恢復昔日的榮耀，將成為Intel的重大使命。 發(fā)表于：8/13/2025 SEMI報告顯示HBM滲透率達25%將引領(lǐng)硅晶圓將供不應求 8月12日消息，國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）近日發(fā)布最新預測報告指出，隨著人工智能熱潮的持續(xù)，硅晶圓（半導體硅片）出貨量卻增長緩慢，隨著高帶寬內(nèi)存（HBM）在整個DRAM市場當中的占比達到25%，預計將使得硅晶圓供不應求。 發(fā)表于：8/13/2025 傳三星12層堆疊HBM3E已通過英偉達認證 8月12日消息，據(jù)韓國媒體“Alpha經(jīng)濟”獨家報導，人工智能（AI）芯片大廠英偉達（NVIDIA）近期與三星電子已達成協(xié)議，將供應12層堆疊的HBM3E內(nèi)存。 發(fā)表于：8/13/2025 美光直言定制HBM內(nèi)存將在HBM4E時代正式落地 8 月 12 日消息，美光首席商務官 (CBO) Sumit Sadana 在出席美國當?shù)貢r間昨日舉行的 2025 年 Keybanc 技術(shù)大會時表示，定制 HBM 內(nèi)存將在 HBM4 后的 HBM4E 時代正式落地。 發(fā)表于：8/12/2025 2025年下半年DDR4將處于持續(xù)供不應求與價格強勢上漲態(tài)勢 8月11日消息，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年下半年DDR4將處于持續(xù)供不應求與價格強勢上漲態(tài)勢。 發(fā)表于：8/12/2025 大摩預計臺積電明年2nm將壟斷95%市場 8月11日消息，在先進工藝方面，臺積電的優(yōu)勢已經(jīng)沒有人能追得上了，今年蘋果及安卓陣營還會用3nm加強版工藝，明年就要進入2nm工藝時代了，臺積電的市場份額預計將達到95%。 發(fā)表于：8/12/2025 SK海力士將1c DRAM制造引入六層EUV工藝 8月11日消息，據(jù)韓國媒體ZDNet報道，SK海力士在 1c DRAM 制造方面取得重大進展，首次使用了6層EUV光刻，這將使 DDR5 和 HBM 產(chǎn)品的性能和良率更上一層樓，并使該公司成為該領(lǐng)域的領(lǐng)導者。 發(fā)表于：8/12/2025 半導體設(shè)備廠商ASMPT關(guān)閉深圳工廠 8月11日早間，半導體設(shè)備ASMPT發(fā)布公告稱，2025年8月8日，公司間接控制的全資附屬公司——先進半導體設(shè)備（深圳）有限公司（“AEC”）股東已通過一項決議案，成立一個清盤委員會，對AEC進行清盤（“自愿清盤”）。 發(fā)表于：8/12/2025 特朗普關(guān)稅難解美國芯片制造困境 北京時間8月11日，據(jù)《華爾街日報》報道，美國總統(tǒng)特朗普的芯片關(guān)稅政策可能會擾亂全球電子產(chǎn)品貿(mào)易，推高各種商品價格。但有一點看起來不太可能實現(xiàn)讓美國高端芯片制造業(yè)重現(xiàn)繁榮。 上周，特朗普威脅對“芯片和半導體”征收100%關(guān)稅，但同時提出豁免條件。根據(jù)特朗普的說法，那些承諾“在美國制造”的公司將免繳此關(guān)稅。 盡管措辭含糊，但這一政策表面看來合乎邏輯。既然關(guān)稅的目的是促使企業(yè)在美國增加生產(chǎn)，那么當它們真的這么做時，理應獲得豁免。 發(fā)表于：8/11/2025 ?12345678910…?
