EDA與制造相關(guān)文章 消息稱高通已取消三星2nm工藝代工計(jì)劃 7 月 5 日消息，消息源 @Jukanlosreve 昨日（7 月 4 日）在 X 平臺(tái)發(fā)布推文，曝料稱高通已取消了三星的 2nm 工藝代工計(jì)劃，不再委托其生產(chǎn)第二代驍龍 8 至尊版芯片。 發(fā)表于：7/7/2025 三星電子晶圓代工部門被取消2025上半年績效獎(jiǎng)勵(lì) 7 月 6 日消息，據(jù) BusinessKorea 報(bào)道，行業(yè)消息人士透露，三星電子于 7 月 4 日通過內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)公布了其上半年目標(biāo)達(dá)成激勵(lì)（TAI）的支付比例。TAI 每半年發(fā)放一次，最高可達(dá)員工月薪的 100%，具體金額取決于各業(yè)務(wù)部門的業(yè)績表現(xiàn)。 發(fā)表于：7/7/2025 DRAM史上最大代際倒掛繼續(xù)：DDR4現(xiàn)貨平均價(jià)2.6倍于DDR5 7月6日消息，由于供應(yīng)短缺，DDR4內(nèi)存價(jià)格在過去幾個(gè)月內(nèi)大幅上漲，甚至超過了DDR5內(nèi)存，這一現(xiàn)象促使一些廠商重新考慮延長DDR4內(nèi)存的生產(chǎn)。 主要DRAM制造商美光、三星和SK海力士此前曾宣布將在2025年底停止生產(chǎn)DDR4內(nèi)存，由于供應(yīng)減少，DDR4內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格在短短兩個(gè)月內(nèi)翻了數(shù)倍。 發(fā)表于：7/7/2025 2026年日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將突破5萬億日元 7月3日，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)（SEAJ）公布的最新的報(bào)告顯示，將2025年度（2025年4月-2026年3月）日本制造的半導(dǎo)體設(shè)備銷售額上修至48,634億日元，將創(chuàng)下歷史新高記錄，并預(yù)估2026年度銷售額將沖破5萬億日元大關(guān)、改寫歷史新高。 發(fā)表于：7/4/2025 三星承認(rèn)尖端制程競爭力不足 7月4日消息，據(jù)韓國媒體《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，雖然三星晶圓代工部門的2nm和3nm良率已經(jīng)超過了40%，達(dá)到了商業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)，但與對(duì)手臺(tái)積電相比，三星的性能和良率未達(dá)預(yù)期。 報(bào)道稱，三星已與英偉達(dá)（NVIDIA）和高通（Qualcomm）評(píng)估其2nm制程，但是市場消息顯示，三星與英偉達(dá)GPU測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)其性能較臺(tái)積電低，暫未考慮采用；高通評(píng)估后雖然有下單，但訂單量不夠改善三星營收。 發(fā)表于：7/4/2025 英飛凌四季度向客戶提供首批12英寸氮化鎵樣品 隨著氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體需求的持續(xù)增長，英飛凌科技股份公司正抓住這一趨勢(shì)，鞏固其作為GaN市場領(lǐng)先垂直整合制造商（IDM）的地位。 發(fā)表于：7/4/2025 美國通知通用電氣重啟向中國商飛供應(yīng)噴氣發(fā)動(dòng)機(jī) 7月4日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道稱，美國政府通知通用電氣航空航天，稱其可以重啟向中國商飛供應(yīng)噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)。 發(fā)表于：7/4/2025 三星美國泰勒晶圓廠因缺單開業(yè)時(shí)間推遲至明年 7月3日消息，據(jù)“日經(jīng)亞洲”報(bào)道，三星在美國德克薩斯州泰勒市的尖端制程晶圓廠盡管已接近完工，但由于缺乏客戶，現(xiàn)在已推遲到了2026 年開業(yè)。 發(fā)表于：7/4/2025 蘇州PCB龍頭東山精密59.35億元收購臺(tái)灣索爾思光電 中國印刷電路板（PCB）龍頭大廠東山精密宣布59.35億元收購位于中國臺(tái)灣新竹科學(xué)園的光通信廠商索爾思光電之后，中國臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部門”近日表示，尚未收到索爾思光電的投資計(jì)劃變更申請(qǐng)，將在收到申請(qǐng)案后，會(huì)同關(guān)等單位嚴(yán)格審查。 發(fā)表于：7/3/2025 英特爾計(jì)劃叫停玻璃基板開發(fā) 7月3日消息，據(jù)媒體報(bào)道，隨著新任首席執(zhí)行官陳立武（Lip-Bu Tan）啟動(dòng)一系列改革措施，英特爾正在對(duì)旗下業(yè)務(wù)及開發(fā)工作進(jìn)行調(diào)整。 發(fā)表于：7/3/2025 美國解除對(duì)中國芯片設(shè)計(jì)軟件EDA的出口限制 7月3日，據(jù)彭博社報(bào)道，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)巨頭西門子表示，根據(jù)公司收到的美國政府通知，美國已解除對(duì)華芯片設(shè)計(jì)軟件的出口限制。 特朗普政府已解除了至少部分對(duì)華芯片設(shè)計(jì)軟件出口許可要求。根據(jù)西門子的聲明，美國商務(wù)部已通知公司，其在中國開展業(yè)務(wù)已無需再申請(qǐng)政府許可。 西門子在聲明中稱，已恢復(fù)了中國客戶對(duì)其軟件和技術(shù)的全面訪問權(quán)限。 發(fā)表于：7/3/2025 High-NA EUV遇冷 晶圓廠紛紛推遲導(dǎo)入時(shí)間 7月2日消息，據(jù)媒體報(bào)道，2023年末ASML向英特爾交付了首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界普遍認(rèn)為，High-NA EUV光刻技術(shù)將在先進(jìn)芯片開發(fā)和下一代處理器的生產(chǎn)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。 發(fā)表于：7/3/2025 三星電子計(jì)劃明年3月啟動(dòng)第十代4xx層V-NAND量產(chǎn)線建設(shè) 7 月 2 日消息，韓媒 ETNews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱，三星計(jì)劃明年三月啟動(dòng)其下一代 3D NAND 閃存 —— 第十代 V-NAND 的首條量產(chǎn)線建設(shè)，有望當(dāng)年 10 月進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。 發(fā)表于：7/3/2025 臺(tái)積電計(jì)劃兩年后停止氮化鎵晶圓生產(chǎn) 7 月 3 日消息，根據(jù)納微半導(dǎo)體 Navitas 向美國證券交易委員 SEC 遞交的 FORM 8-K 文件和發(fā)布于 7 月 1 日的新聞稿，該公司當(dāng)前唯一氮化鎵 (GaN) 晶圓供應(yīng)商臺(tái)積電計(jì)劃于兩年后的 2027 年 7 月終止相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)。 發(fā)表于：7/3/2025 消息稱數(shù)百中國工程師撤離印度iPhone工廠 7 月 2 日消息，據(jù)彭博社報(bào)道，知情人士透露，富士康科技集團(tuán)已要求數(shù)百名中國工程師和技術(shù)人員從其位于印度的 iPhone 工廠返回中國，這對(duì)蘋果公司在南亞國家的生產(chǎn)擴(kuò)張計(jì)劃造成了打擊。 發(fā)表于：7/3/2025 ?12345678910…?
