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臺積電啟動(dòng)亞利桑那州第三座晶圓廠建設(shè)

4月30日消息，據(jù)彭博社報(bào)導(dǎo)，在美國特朗普政府計(jì)劃對半導(dǎo)體加征關(guān)稅之際，臺積電已開始啟動(dòng)了美國亞利桑那州第三座晶圓廠的工程建設(shè)，以加速在美國的擴(kuò)產(chǎn)腳步。

發(fā)表于：4/30/2025

172nm晶圓光清洗方案助力半導(dǎo)體國產(chǎn)替代

在半導(dǎo)體制造中，清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程，并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。晶圓對微小污染物的敏感性也顯著增強(qiáng)。每一道工序前，晶圓表面都需清除顆粒、有機(jī)物、金屬雜質(zhì)和氧化層等污染物，以確保后續(xù)制程的順利進(jìn)行。以7nm及以下制程工藝為例，若晶圓表面每平方厘米存在超過3個(gè)0.5nm粒子，良率可能下降12%-18%。

發(fā)表于：4/30/2025

機(jī)械指揮官攜創(chuàng)新成果獻(xiàn)禮清華校慶助力雙碳目標(biāo)實(shí)現(xiàn)

在清華大學(xué)114周年校慶之際,一場匯聚前沿科技與人文藝術(shù)的展覽——2001級校友雙碳科技展盛大舉辦。此次展覽以“科技為骨、人文為魂”為主題,集中展示了16項(xiàng)科技成果,為“雙碳”戰(zhàn)略與可持續(xù)發(fā)展提供了多元思考。其中,由清華大學(xué)電子工程系校友王曄、吳濤所在團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)的"機(jī)械指揮官"系統(tǒng)——基于AIoT技術(shù)的工程機(jī)械能效提升解決方案,為行業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型提供了新范式,并在校慶期間引發(fā)廣泛關(guān)注。

發(fā)表于：4/30/2025

2024年全球半導(dǎo)體材料營收增長3.8%

4月29日消息，據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）統(tǒng)計(jì)，2024年全球半導(dǎo)體材料市場營收達(dá)675億美元，同比增加3.8%。 SEMI表示，整體半導(dǎo)體市場復(fù)蘇，以及高效能運(yùn)算和高頻寬內(nèi)存制造對先進(jìn)材料需求增長，驅(qū)動(dòng)了2024年半導(dǎo)體材料營收成長。其中，晶圓制造材料2024年?duì)I收同比增長3.3%至429億美元，封裝材料營收同比增長4.7%至246億美元。因先進(jìn)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）、3D儲存型閃存（NAND Flash）和邏輯IC的復(fù)雜性和處理步驟增加，帶動(dòng)化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）和光阻劑等強(qiáng)勁增長兩位數(shù)百分比。

發(fā)表于：4/30/2025

英特爾稱18A工藝今年下半年將具備大規(guī)模量產(chǎn)能力

4 月 30 日消息，據(jù)路透社報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二，英特爾稱已有數(shù)家代工客戶計(jì)劃為公司正在開發(fā)的新一代制造工藝制作測試芯片。

發(fā)表于：4/30/2025

英特爾更新晶圓代工路線圖

4月30日訊，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二，英特爾舉辦晶圓代工業(yè)務(wù)Direct Connect大會(huì)。新任CEO陳立武在上千名產(chǎn)業(yè)鏈客戶面前，承諾公司將繼續(xù)在代工業(yè)務(wù)上發(fā)力。英特爾也在周二公開最新的工藝制程路線圖。

發(fā)表于：4/30/2025

恩智浦稱其業(yè)績將受關(guān)稅影響現(xiàn)任CEO即將退休

當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月28日美股盤后，歐洲車汽車芯片大廠恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）公布了2025年第一季（截至2025年3月30日為止）財(cái)報(bào)，由于汽車、工業(yè)及物聯(lián)等市場需求均出現(xiàn)了下滑，導(dǎo)致恩智浦整體業(yè)績也出現(xiàn)了下滑。具體來說，恩智浦一季度營收為28.35億美元，同比和環(huán)比均下滑了9%，但仍略高于分析師預(yù)期的28.3億美元；依照一般公認(rèn)會(huì)計(jì)原則（GAAP）毛利率為 55.0%，GAAP 營業(yè)利潤率為 25.5%，GAAP每股收益為1.92 美元。非依照一般公認(rèn)會(huì)計(jì)原則（Non-GAAP）營業(yè)利潤為9.04億美元，同比下滑16%，環(huán)比下滑15%；Non-GAAP毛利率為56.1%，同比下滑2.1個(gè)百分點(diǎn)，環(huán)比下滑1.4個(gè)百分點(diǎn)；Non-GAAP每股收益為2.64美元，同比減少19%，環(huán)比減少17%，但仍略高于分析師預(yù)期的2.6美元。

發(fā)表于：4/30/2025

歐盟《芯片法案》所設(shè)2030年微芯片市占翻倍目標(biāo)難以實(shí)現(xiàn)

4 月 29 日消息，歐洲審計(jì)院 ECA 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，根據(jù)其最新報(bào)告，歐盟在 2022 年版《芯片法案》中設(shè)定的到 2030 年將歐盟在全球微芯片市場中的份額提升到 20%（即 2022 年的 9.8% 的約兩倍）的目標(biāo)難以實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：4/29/2025

IBM宣布5年1500億美元投資推動(dòng)量子計(jì)算機(jī)等美國制造

4 月 28 日消息，IBM 今日宣布，未來五年將在美國投資 1500 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 1.09 萬億元人民幣），助力經(jīng)濟(jì)增長，并進(jìn)一步鞏固其在全球計(jì)算領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。此次投資中，超過 300 億美元（現(xiàn)匯率約合 2187.07 億元人民幣）將用于研發(fā)，推動(dòng)大型主機(jī)和量子計(jì)算機(jī)在美國本土的持續(xù)制造。

發(fā)表于：4/29/2025

除和碩外的全部臺系電子代工廠啟動(dòng)美國制造

4月29日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，電子代工大廠英業(yè)達(dá)也宣布加入了“美國制造”行列。而在此之前，鴻海、廣達(dá)、緯創(chuàng)、緯穎、仁寶等臺系電子代工大廠均已投入“美國制造”，隨著英業(yè)達(dá)也宣布在德克薩斯州建廠，臺系主要電子代工廠當(dāng)中，僅剩和碩未有宣布在美國布局。 4月28日，英業(yè)達(dá)董事會(huì)批準(zhǔn)，擬斥資上限8,500萬美元，在美國德克薩斯州設(shè)立服務(wù)器制造基地。此舉有望降低特朗普政府關(guān)稅戰(zhàn)干擾，助力后續(xù)營運(yùn)。

發(fā)表于：4/29/2025

三星計(jì)劃三年內(nèi)量產(chǎn)V-DRAM

4月28日消息，據(jù)韓國媒體 sedaily 報(bào)導(dǎo)，三星電子已確定將在三年內(nèi)量產(chǎn)被稱為次世代內(nèi)存的“垂直信道晶體管（VCT）DRAM”的藍(lán)圖。外界解讀，三星有意比競爭對手SK海力士更早一個(gè)世代成功量產(chǎn)，以挽回“超級差距”的地位。

發(fā)表于：4/29/2025

中國臺灣出臺新規(guī)：限制臺積電最先進(jìn)工藝技術(shù)出口！

4月28日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，中國臺灣計(jì)劃加強(qiáng)對先進(jìn)工藝技術(shù)出口和半導(dǎo)體對外投資的控制。新的產(chǎn)創(chuàng)條例第22條已經(jīng)獲得了正式通過，針對臺積電赴美投資將執(zhí)行“N-1”技術(shù)限制，基本上禁止臺積電出口其最新的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，并對違規(guī)行為進(jìn)行處罰。不過，該新規(guī)的具體實(shí)施日期尚未公布。

發(fā)表于：4/29/2025

聯(lián)電稱與英特爾合作開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)明年通過驗(yàn)證

近日，晶圓代工大廠聯(lián)電2024年度營運(yùn)報(bào)告書出爐。其中提到，與英特爾合作開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)平臺進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)2026年完成制程開發(fā)并通過驗(yàn)證。聯(lián)電還披露了封裝領(lǐng)域進(jìn)展，晶圓級混合鍵合技術(shù)、3D IC異質(zhì)整合等技術(shù)已成功開發(fā)，未來將全面支持邊緣及云端AI應(yīng)用。

發(fā)表于：4/28/2025

SK Hynix展示全球首款16層堆疊HBM4

4月28日消息，據(jù)wccftech報(bào)道，繼今年3月宣布全球首次向客戶提供12層堆疊HBM4樣品之后，SK海力士在近日的臺積電北美技術(shù)論壇又首次向公眾展示其最新的16層堆疊HBM4方案。據(jù)SK海力士介紹，其此次展示的16層堆疊HBM4具有高達(dá) 48 GB 的容量、2.0 TB/s 帶寬和額定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die則是由臺積電代工。SK 海力士表示，他們正在尋求在 2025 年下半年之前進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，這意味著該工藝最早可能在今年年底集成到產(chǎn)品中。

發(fā)表于：4/28/2025

TechInsights：中美關(guān)稅戰(zhàn)將致2026年全球半導(dǎo)體市場萎縮34%

當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月26日，半導(dǎo)體市場研究機(jī)構(gòu) TechInsights 發(fā)表它對目前美國和中國之間持續(xù)存在的“關(guān)稅戰(zhàn)爭”對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的負(fù)面影響的看法。

發(fā)表于：4/28/2025