EDA與制造相關(guān)文章 力箭二号首飞成功 成本直追SpaceX 2026年3月30日19时00分，中科宇航力箭二号遥一运载火箭·国际纺都号在东风商业航天创新试验区成功发射，将新征程01卫星、新征程02卫星和天视卫星01星精准送入预定轨道，发射任务取得圆满成功。 發(fā)表于：2026/3/31 TrendForce预计2026年全球笔记本电脑出货将下滑14.8% 3月30日消息，根据市场研究机构TrendForce最新笔记本电脑产业调查，近期全球笔记本电脑出货量进一步明显转弱的迹象浮现，TrendForce在预期终端消费动能疲软、供应链成本持续走高的双重影响下，正式更新2026全年笔记本电脑出货预测，从年减9.2%下调至年减14.8%，以反映产业进入更深层的调整阶段。 發(fā)表于：2026/3/31 台系六大芯片厂商集体涨价 涨幅最高20% 3月30日消息，据台媒《经济日报》报道，由于全球半导体材料、芯片制造、能源及物流成本持续上升，包括矽创、奕力、联咏、天钰、瑞鼎、敦泰等六大台系芯片设计厂商均计划涨价，部分产品涨幅最高达20%。 發(fā)表于：2026/3/31 特斯拉TeslaAI宣布TERAFAB项目正式发布 "3月30日，特斯拉TeslaAI宣布TERAFAB项目正式发布，旨在实现每年超过1太瓦（1TW）的算力产出。该项目标志着特斯拉在核心电动汽车业务之外的一次重要扩张，将为未来大规模应用的人形机器人及完全自动驾驶系统（FSD）生产核心芯片。\n\n根据规划，TERAFAB将重点生产两类芯片：一是用于支撑汽车与机器人本地智能决策的边缘推理芯片；二是专为SpaceX轨道AI数据中心设计的太空专用抗辐射高性能芯片，以适应太空极端环境并构建算力网络。在产能分配上，该项目计划将约80%的算力用于航天相关领域，剩余20%用于地面。这一比例主要源于对地面电力瓶颈的考量，因美国目前全年约0.5太瓦的发电量难以支撑预期的庞大算力消耗。" 發(fā)表于：2026/3/30 三星计划2028年实现AI芯片全面集成硅光器件 3 月 30 日消息，据《韩国经济日报》当地时间本月 29 日报道，三星电子晶圆代工业务在本月中旬于美国举行的 OFC 2026 光纤通信会议与博览会上公布了一份硅光子学路线图，目标到 2028 年实现硅光器件与 AI芯片的全面集成。 發(fā)表于：2026/3/30 三星西安晶圆厂升级完成 实现236层V8 3D NAND闪存量产 3 月 30 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间 29 日报道称，三星电子位于中国西安的 NAND 晶圆厂近期成功完成工艺制程升级，实现了 236 层堆叠的第八代 V-NAND (V8 NAND) 的量产。 發(fā)表于：2026/3/30 铠侠与SK海力士突遭美国337调查 当地时间3月26日，美国国际贸易委员会（USITC）宣布，已投票决定对某些NAND和DRAM存储芯片展开调查。调查涉及的产品已在委员会的调查通知中进行了描述。 發(fā)表于：2026/3/30 日本功率半导体三巨头宣布签署合并备忘录 2026年3月27日，日本功率半导体行业迎来历史性时刻。 罗姆（Rohm）、东芝（Toshiba）与三菱电机（Mitsubishi Electric）宣布已签署备忘录（Memorandum of Understanding），三家企业计划将功率半导体业务合并，设立一家合资运营公司。 發(fā)表于：2026/3/30 存储芯片短缺 索尼存储卡暂停接单 2026年3月27日，受全球存储芯片持续供不应求、价格飙升的影响，日本科技大厂索尼公司通过官网宣布，自2026年3月27日起暂停接受来自授权经销商和索尼商店客户的CFexpress存储卡和SD存储卡订单。 發(fā)表于：2026/3/30 湖南三安金刚石方案：激光器芯片热阻较陶瓷基板降低81.1% 随着AI算力集群功耗密度持续攀升，高功率激光器热管理挑战日益突出，传统散热方案在应对高热流密度场景时逐渐接近技术极限。面对这一挑战，金刚石材料因其极致的热导率性能，成为热管理领域的重要突破方向。近期，三安光电的全资子公司湖南三安在金刚石热沉材料领域实现应用的关键跨越，其金刚石热沉衬底已在民用射频、民用雷达、激光等领域被客户采用并进入小批量出货阶段。 發(fā)表于：2026/3/30 2026 IPC电子装联大师赛圆满落幕，获奖名单揭晓 【中国上海，2026年3月27日】— 2026 IPC电子装联大师赛中国区赛事于今日圆满收官。 發(fā)表于：2026/3/27 我国半导体分立器件制造业开年利润暴增130.5% ①半导体产业快速发展带动链条行业利润增长较快； ②半导体分立器件板块的交易重心转移到了AI服务器和电力带来的通胀效应； ③涨价潮已席卷半导体各细分领域。 發(fā)表于：2026/3/27 三星展示超高容量密集封装技术 单颗芯片4TB 三星于3月27日公开了超高密度固态硬盘的最新路线图，计划在2027年推出容量高达256TB的第六代E3.S规格固态硬盘。 该产品的核心技术突破在于封装层面的跨越。三星目前的16颗裸片（Die）封装技术已趋于成熟，而新一代32颗裸片封装技术通过堆叠32颗1Tb QLC裸片，可实现单颗4TB容量的封装体，直接推动整盘容量翻倍。 路线图显示，三星超高密度固态硬盘的EDSFF规格具备更薄、更宽、更快、更密集的特点。在产品演进方面，第五代E3.S产品采用2Tb 32DP 16规格，实现128TB容量；而定于2027年问世的第六代E3.S产品将升级至2Tb 32DP 32规格，将单盘容量推向256TB。这一系列技术进步标志着三星在超高密度存储领域的持续扩张。 發(fā)表于：2026/3/27 格罗方德与Tower掀起晶圆代工行业专利战 3 月 27 日消息，格罗方德 (GF / GlobalFoundries) 美国当地时间 26 日宣布对高塔半导体 (Tower Semiconductor) 提起多项诉讼，指控后者侵犯 GF 专利，对 GF 数十年的创新成果搭便车，意图非法抢夺 GF 的业务。 發(fā)表于：2026/3/27 消息称三星Exynos 2800采用第二代2nm工艺SF2P 3 月 26 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日援引业界消息报道称，三星电子计划用于 2028 年旗舰 Galaxy 智能手机的 Exynos 2800 移动处理器有望在 2026 年内流片。 發(fā)表于：2026/3/27 <12345678910…>
